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本发明涉及一种电压稳定器电路，包含：电阻R1、电阻R2、齐纳二极管D1、低压NMOS管N1、高压NMOS管N2、低压双极型NPN晶体管Q1；电阻R1，连接电源电压VDD及N2管的栅端；电阻R2连接GND端及N1管的栅端；齐纳二极管D1，阳极...
该专利属于普冉半导体（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过普冉半导体（上海）有限公司授权不得商用。

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