碳化硅基板的制造方法技术
【技术实现步骤摘要】
碳化硅基板的制造方法分案申请本申请是中国申请号为201280021347.3(国际申请号PCT/JP2012/061834)的专利技术专利申请的分案申请。中国专利技术专利申请201280021347.3的申请日为2012年5月9日，专利技术名称为“碳化硅基板的制造方法”。
本专利技术涉及一种碳化硅基板的制造方法，并且更具体地，涉及一种能够抑制主面中的面取向的变化的碳化硅基板的制造方法。
技术介绍
近年来，在高温等环境中使用半导体装置时，为了实现半导体装置的高击穿电压和低损失，碳化硅已经越来越多地被用作形成半导体装置的材料。碳化硅是与传统上广泛地用作形成半导体装置的材料的硅相比具有更大带隙的宽带隙半导体。因此，通过将碳化硅用作形成半导体装置的材料，能够实现半导体装置的高击穿电压、低接通电阻(ONresistance)等。此外，采用碳化硅作为材料的半导体装置与采用硅作为材料的半导体装置相比也更为有利，因为在高温环境下使用该半导体装置时半导体装置的特性退化是小的。包括碳化硅作为材料的半导体装置例如通过如下方式形成：在碳化硅基板上形成外延生长层，在外延生长层中制成已经引入...
【技术保护点】
一种碳化硅基板的制造方法，包括如下步骤：制备单结晶碳化硅的结晶(1)；将所述结晶(1)设置成柱状，以使得所述结晶(1)的侧表面的一部分由支撑基部(2)支撑；以及通过切割所述结晶(1)来获得基板(3)，在所述获得基板(3)的步骤中，在线(9)沿着所述结晶(1)的直径方向的方向行进的同时，所述线(9)沿着与所述线(9)的行进方向相垂直的切割方向移动，并且在如下方向上进行切割：所述方向相对于所述结晶(1)的<11‑20>方向或<1‑100>方向所形成的角度在{0001}面上的正投影中是15°±5°，并且在所述获得基板(3)的步骤中，所述结晶(1)被切割为：...
【技术特征摘要】
2011.06.02 JP 2011-1239281.一种碳化硅基板的制造方法，包括如下步骤：制备单结晶碳化硅的结晶(1)；将所述结晶(1)设置成柱状，以使得所述结晶(1)的侧表面的一部分由支撑基部(2)支撑；以及通过切割所述结晶(1)来获得基板(3)，在所述获得基板(3)的步骤中，在线(9)沿着所述结晶(1)的直径方向的方向行进的同时，所述线(9)沿着与所述线(9)的行进方向相垂直的切割方向移动，并且在如下方向上进行切割：所述方向相对于所述结晶(1)的<11-20>方向或<1-100>方向所形成的角度在{0001}面上的正投影中是15°±5°，并且在所述获得基板(3)的步骤中，所述结晶(1)被切割为：使得所述基板(3)的直径与厚度的比值不小于100。2.根据权利要求1所述的碳化硅基...
【专利技术属性】
技术研发人员：冲田恭子，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。