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本发明涉及一种制造碳化硅基板的方法，包括制备单结晶碳化硅的晶块(1)的步骤和通过切割晶块(1)获得基板的步骤。然后，在获得基板的步骤中，在如下方向上进行切割：该方向相对于晶块(1)的<11‑20>方向或<1‑100>...
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