晶片的加工方法技术

提供晶片的加工方法。其具有：改质层形成步骤，在晶片W的内部形成改质层；以及分割步骤，以改质层为分割起点对晶片W进行分割，改质层形成步骤至少包含：第1步骤，照射脉冲激光束(LB1)而形成第1改质层(10)；以及第2步骤，照射脉冲激光束(LB2)而形成第2改质层(12)，对脉冲激光束的输出进行设定以使得从第1改质层(10)和第2改质层(12)产生的龟裂(11、13)成为不会与接下来照射的脉冲激光束(LB1、LB2)相遇的长度，规定的间隔(100)被设定为龟裂(11、13)彼此不连续的间隔，所以能够抑制脉冲激光束照在之前形成的龟裂(11、13)上而发生反射/散射，能够防止器件损伤。

Wafer processing method

Method for processing wafer. Having a modified layer forming step of forming a modified layer in the internal chip W; and the segmentation step, with modified layer as a starting point for W wafer segmentation segmentation, a modified layer forming step comprises at least first steps, a pulsed laser beam irradiation (LB1) and the formation of first modified layer (10); and the second step, irradiation of a pulsed laser beam (LB2) and the formation of second modified layer (12), the output pulse laser beam is set to the first from the modified layer (10) and second modified layer (12) from (11, 13) has cracked a pulsed laser beam irradiation and then not (LB1, LB2). The length of the specified intervals (100) is set to (11, 13) cracking each other discontinuous intervals, so it can suppress pulse laser beam before the formation of cracks (11, 13) on the occurrence of reflection / scattering, can prevent device damage.

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法
本专利技术涉及晶片的加工方法，在照射对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光束而在晶片内部形成了改质层之后，对晶片施加外力而以改质层为起点将晶片分割成多个器件芯片。
技术介绍
在晶片的正面上由分割预定线划分而形成有IC、LSI等器件，通过沿着分割预定线对该晶片进行分割而分割成具有器件的各个器件芯片。作为将晶片分割成各个芯片的方法，例如，具有如下方法：将对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光束的聚光点定位在与分割预定线对应的晶片的内部，沿着分割预定线照射脉冲激光束而在晶片的内部形成改质层，并沿着形成有改质层的分割预定线施加外力而以改质层为起点将晶片分割成各个器件芯片(例如，参照下述的专利文献1)。专利文献1：日本特开第4402708号公报但是，研究发现产生了新的如下的问题：当将脉冲激光束的聚光点定位在与之前形成在晶片的内部的改质层相邻的位置而从晶片的背面侧沿着分割预定线照射脉冲激光束从而在晶片的内部形成改质层时，激光束会散射到与照射了脉冲激光束的面(背面)相反的一侧的正面上，而攻击形成在正面上的器件使其损伤。推测出该问题的起因是：微细的龟裂(裂纹)从之前形成在晶片的内部的改质层起沿晶片的厚度方向伸展，接下来照射的脉冲激光束照在该龟裂上而发生折射或反射并攻击器件。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述的事情而完成的，其目的在于提供一种晶片的加工方法，在照射对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光束而在晶片内部形成改质层时，能够防止器件因透射光而损伤。本专利技术的晶片的加工方法通过激光加工装置对在正面上由多条分割预定线划分而形成有多个器件的晶片进行加工，该激光加工装置具有：保持单元，其对被加工物进行保持；激光束照射单元，其照射对于该保持单元所保持的被加工物具有透过性的波长的脉冲激光束而在被加工物的内部形成改质层；以及加工进给单元，其对该保持单元和该激光束照射单元相对地进行加工进给，该晶片的加工方法的特征在于，具有如下的步骤：改质层形成步骤，将对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光束的聚光点定位在晶片的内部而从晶片的背面对与该分割预定线对应的区域照射脉冲激光束，并且对该保持单元和该激光束照射单元相对地进行加工进给，从而在晶片的内部形成改质层；以及分割步骤，在实施了该改质层形成步骤之后，对晶片施加外力而以该改质层为分割起点将晶片沿着该分割预定线分割，该改质层形成步骤至少包含如下的步骤：第1步骤，将该脉冲激光束的聚光点定位在晶片的正面侧的第1深度的位置而照射该脉冲激光束从而形成第1改质层；以及第2步骤，将该脉冲激光束的聚光点定位在距该第1改质层隔开规定的间隔的背面侧的第2深度的位置而照射该脉冲激光束从而形成第2改质层，在该改质层形成步骤中，对脉冲激光束的输出进行设定以使得从该第1改质层和该第2改质层产生的龟裂成为不会与接下来照射的脉冲激光束相遇的长度，并且该规定的间隔被设定为使从该第1改质层和该第2改质层产生的龟裂彼此不连续的间隔。本专利技术的晶片的加工方法具有如下步骤：改质层形成步骤，在晶片的内部形成改质层；以及分割步骤，对晶片施加外力而以改质层为分割起点将晶片沿着分割预定线分割，改质层形成步骤至少包含：第1步骤，将该脉冲激光束的聚光点定位在晶片的正面侧的第1深度的位置而照射该脉冲激光束从而形成第1改质层；以及第2步骤，将该脉冲激光束的聚光点定位在距该第1改质层隔开规定的间隔的背面侧的第2深度的位置而照射该脉冲激光束从而形成第2改质层，在该改质层形成步骤中，对脉冲激光束的输出进行设定以使得从该第1改质层和该第2改质层产生的龟裂成为不会与接下来照射的脉冲激光束相遇的长度，并且该规定的间隔被设定为使从该第1改质层和该第2改质层产生的龟裂彼此不连续的间隔，所以从第1改质层和第2改质层产生的龟裂不会在晶片的厚度方向上较长地伸展。并且，从第1改质层和第2改质层产生的龟裂也不会因彼此连续而较长地连接，所以能够抑制接下来照射的脉冲激光束照在之前形成的龟裂上而发生反射/散射，能够防止器件损伤。附图说明图1是示出激光加工装置的结构的立体图。图2是示出晶片的一例的立体图。图3是示出改质层形成步骤(第1步骤)的局部放大剖视图。图4是示出改质层形成步骤(第2步骤)的局部放大剖视图。图5是示出损伤的产生数量和器件的分割率的实验结果的图表。标号说明1：激光加工装置；2：基台；2a：上表面；3：柱；4：保持单元；5：旋转单元；6：激光束照射单元；7：振荡器；8：聚光器；9a，9b：聚光点；10：第1改质层；100：规定的间隔；101：距离；11：龟裂；12：第2改质层；13：龟裂；20：加工进给单元；21：滚珠丝杠；22：电动机；23：导轨；24：移动基座；30：转位进给单元；31：滚珠丝杠；32：电动机；33：导轨；34：移动基座。具体实施方式图1所示的激光加工装置1具有基台2，在基台2的Y轴方向后部竖直设置有在Z轴方向上延伸的柱3。在基台2的上表面2a具有对被加工物进行保持的保持单元4。保持单元4与使保持单元4以规定的角度旋转的旋转单元5连接。在柱3的前方具有激光束照射单元6，该激光束照射单元6照射对于保持在保持单元4上的被加工物具有透过性的波长的脉冲激光束而在被加工物的内部形成改质层。激光束照射单元6至少具有：振荡器7，其振荡出脉冲激光束；以及聚光器8，其用于使振荡器7振荡出的脉冲激光束会聚在被加工物的内部的希望的位置。在振荡器7中具有对脉冲激光束的输出进行调整的输出调整部和重复频率设定部。激光束照射单元6能够在上下方向(Z轴方向)上移动，并使聚光器8上下移动，而能够将脉冲激光束在被加工物上的会聚位置调整至希望的位置。在保持单元4的下方具有加工进给单元20，该加工进给单元20对保持单元4和激光束照射单元6相对地进行加工进给。加工进给单元20具有：滚珠丝杠21，其在X轴方向上延伸；电动机22，其与滚珠丝杠21的一端连接；一对导轨23，其与滚珠丝杠21平行地延伸；以及移动基座24，其从下方对保持单元4进行支承。一对导轨23与移动基座24的一侧的面滑动接触，滚珠丝杠21与形成于移动基座24的中央部的螺母螺合。当电动机22使滚珠丝杠21转动时，移动基座24沿着导轨23在X轴方向上移动，并能够使保持单元4在X轴方向上移动。在基台2的上表面2a上配设有转位进给单元30，该转位进给单元30在与加工进给单元20的加工进给方向(X轴方向)垂直的方向(Y轴方向)上对保持单元4和加工进给单元20进行转位进给。转位进给单元30具有：滚珠丝杠31，其在Y轴方向上延伸；电动机32，其与滚珠丝杠31的一端连接；一对导轨33，其与滚珠丝杠31平行地延伸；以及移动基座34，其从下方对保持单元4和加工进给单元20进行支承。一对导轨33与移动基座34的一侧的面滑动接触，滚珠丝杠31与形成于移动基座34的中央部的螺母螺合。当电动机32使滚珠丝杠31转动时，移动基座34沿着导轨33在Y轴方向上移动，并能够在Y轴方向上对保持单元4和加工进给单元20进行转位进给。接着，对使用激光加工装置1对图2所示的晶片W进行加工的晶片的加工方法进行说明。晶片W是实施激光加工的圆形板状的被加工物的一例，例如，具有由硅(Si)构成的基板。在该基板的正面Wa上在由格子状的多条分割预定线S划分出的区域内形成有多个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片的加工方法，通过激光加工装置对在正面上由多条分割预定线划分而形成有多个器件的晶片进行加工，该激光加工装置具有：保持单元，其对被加工物进行保持；激光束照射单元，其照射对于该保持单元所保持的被加工物具有透过性的波长的脉冲激光束而在被加工物的内部形成改质层；以及加工进给单元，其对该保持单元和该激光束照射单元相对地进行加工进给，该晶片的加工方法的特征在于，具有如下的步骤：改质层形成步骤，将对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光束的聚光点定位在晶片的内部而从晶片的背面对与该分割预定线对应的区域照射脉冲激光束，并且对该保持单元和该激光束照射单元相对地进行加工进给，从而在晶片的内部形成改质层；以及分割步骤，在实施了该改质层形成步骤之后，对晶片施加外力而以该改质层为分割起点将晶片沿着该分割预定线分割，该改质层形成步骤至少包含如下的步骤：第1步骤，将该脉冲激光束的聚光点定位在晶片的正面侧的第1深度的位置而照射该脉冲激光束从而形成第1改质层；以及第2步骤，将该脉冲激光束的聚光点定位在距该第1改质层隔开规定的间隔的背面侧的第2深度的位置而照射该脉冲激光束从而形成第2改质层，在该改质层形成步骤中，对脉冲激光束的输出进行设定以使得从该第1改质层和该第2改质层产生的龟裂成为不会与接下来照射的脉冲激光束相遇的长度，并且该规定的间隔被设定为使从该第1改质层和该第2改质层产生的龟裂彼此不连续的间隔。...

【技术特征摘要】
2015.12.07 JP 2015-2384131.一种晶片的加工方法，通过激光加工装置对在正面上由多条分割预定线划分而形成有多个器件的晶片进行加工，该激光加工装置具有：保持单元，其对被加工物进行保持；激光束照射单元，其照射对于该保持单元所保持的被加工物具有透过性的波长的脉冲激光束而在被加工物的内部形成改质层；以及加工进给单元，其对该保持单元和该激光束照射单元相对地进行加工进给，该晶片的加工方法的特征在于，具有如下的步骤：改质层形成步骤，将对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光束的聚光点定位在晶片的内部而从晶片的背面对与该分割预定线对应的区域照射脉冲激光束，并且对该保持单元和该激光束照射单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：寺西俊辅，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP