温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提供晶片的加工方法。其具有：改质层形成步骤，在晶片W的内部形成改质层；以及分割步骤，以改质层为分割起点对晶片W进行分割，改质层形成步骤至少包含：第1步骤，照射脉冲激光束(LB1)而形成第1改质层(10)；以及第2步骤，照射脉冲激光束(LB2...
该专利属于株式会社迪思科所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社迪思科授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。