【技术实现步骤摘要】
半导体器件和制造半导体器件的方法
本说明书涉及一种半导体器件和制造半导体器件的方法。
技术介绍
RF功率放大器是用于个人通信系统(例如GSM、EDGE、W-CDMA)的基站中的关键元件。RF横向扩散金属氧化物半导体(RF-LDMOS，RFLaterallyDiffusedMetalOxideSemiconductor)晶体管是用于此类型的功率放大器普遍技术选择。在功率放大器中，直流(DC)偏置点是控制性能的关键参数。RF-LDMOS晶体管的最佳直流偏置点取决于诸如温度和制造工艺变化之类的因素。包括LDMOS晶体管的偏置电路可用来施加直流偏置。偏置电路可与RF-LDMOS晶体管集成在同一半导体管芯中，以使得所述偏置电路可补偿温度效应。小的参考LDMOS晶体管也设置在同一管芯中，可用来补偿制造工艺变化。
技术实现思路
本公开的各个方面在所附的独立和从属权利要求权利要求中对本公开的各个方面进行陈述。从属权利要求中的特征组合可适当的与独立权利要求的特征结合，而不仅仅是在权利要求书中明确陈述的。根据本公开的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有主要表面；栅极，位...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有主要表面；栅极，位于所述主要表面上；漏极区域，具有第一导电类型；源极区域，具有所述第一导电类型，其中，所述源极区域位于具有第二导电类型的区域内；沟道区域，由所述具有第二导电类型的区域的位于所述栅极之下的一部分组成，并且其中，所述漏极区域沿着所述衬底的所述主要表面背离所述栅极横向延伸，并且其中，所述漏极还在所述栅极、所述源极区域和所述具有第二导电类型的区域之下延伸，以便将所述源极区域和所述具有第二导电类型的区域与所述衬底的下方区域隔离开。
【技术特征摘要】
2015.09.18 EP 15185954.31.一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有主要表面；栅极，位于所述主要表面上；漏极区域，具有第一导电类型；源极区域，具有所述第一导电类型，其中，所述源极区域位于具有第二导电类型的区域内；沟道区域，由所述具有第二导电类型的区域的位于所述栅极之下的一部分组成，并且其中，所述漏极区域沿着所述衬底的所述主要表面背离所述栅极横向延伸，并且其中，所述漏极还在所述栅极、所述源极区域和所述具有第二导电类型的区域之下延伸，以便将所述源极区域和所述具有第二导电类型的区域与所述衬底的下方区域隔离开。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述漏极区域位于所述栅极之下的一部分延伸进所述主要表面之下的深度比所述漏极不位于所述栅极之下的部分延伸的深度更浅。3.根据任一前述权利要求所述的半导体器件，进一步包括公共接触部，所述公共接触部连接至所述源极区域和所述具有第二导电类型的区域。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述接触部包括位于所述主要表面处的硅化物区域，其中，所述硅化物区域在所述源极区域和具有所述第二导电性的所述区域之间的结上延伸。5.根据任一前述权利要求所述的半导体器件，其中，所述源极区域、所述漏极区域和所述具有第二导电性的区域包括掺杂区域，该掺杂区域位于半导体材料的外延层中。6.根据任一前述权利要求所述的半导体器件，其中，所述第一导电类型为n型，并且其中，所述第二导电类型为p型。7.一种半导体器件，包括电路，所述电路包括第一类型的LDMOS晶体管和第二类型的LDMOS晶体管，所述第一类型的LDMOS晶体管和所述第二类型的LDMOS晶体管设置在公共的衬底上，所述衬底具有主要表面并且包括外延层，所述衬底和所述外延层都具有第二导电类型，其中，所述第一类型的LDMOS晶体管被配置为在前述权利要求中任一项中限定的半导体，其中，所述半导体的所述漏极区域沿着所述衬底的所述主要表面在所述栅极之下并背离所述栅极横向延伸，以致所述漏极区域包围所述主要表面之下具有第二导电类型的区域；其中，所述第二类型的LDMOS晶体管包括：第二栅极，位于所述主要表面上；第二漏极区域，具有第一导电类型，所述第二漏极区域形成横向延伸的漏极；第二源极区域，具有所述第一导电类型，其中，所述第二源极区域位于具有第二导电类型的第二区域之内；第二沟道区域，由具有第二导电类型的所述第二区域的位于所述第二栅极之下的一部分组成；以及公共连接部，连接至所述第二源极区域和所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：约翰内斯·A·M·德波特，
申请(专利权)人：安普林荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL
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