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一种半导体器件和制造半导体器件的方法。所述器件包括具有主要表面的半导体衬底。所述器件还包括位于所述主要表面的栅极。所述器件进一步包括具有第一导电类型的漏极区域。所述器件还包括具有第一导电类型的源极区域，其中，所述源极区域位于具有第二导电类型...
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