具有硅和硅锗的互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器制造技术

本发明专利技术的实施例提供了一种具有硅和硅锗的互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。硅锗层邻接于硅层。光检测器布置在所述硅锗层中。晶体管，布置在所述硅层上，同时源/漏区埋置在所述硅层的表面内且电连接至所述光检测器。本发明专利技术的实施例还提供了用于制造CMOS图像传感器的方法。

【技术实现步骤摘要】
具有硅和硅锗的互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器相关申请的交叉参考本申请要求于2015年11月13日提交的美国临时申请第62/255,006号的优先权，其全部内容结合于此作为参考。
本专利技术的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及CMOS图像传感器。
技术介绍
许多现代电子设备包括图像传感器。一些图像传感器类型包括电荷连接器件(CCD)图像传感器和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。相比于CCD图像传感器，CMOS图像传感器日益受到青睐。CMOS图像传感器比CCD图像传感器提供了更低的功耗、更小的尺寸、以及更快的数据处理。此外，CMOS图像传感器提供数据的直接输出，而在CCD图像传感器中是不行的。甚至，相比于CCD图像传感器，CMOS图像传感器具有较低的制造成本。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器，包括：硅层，邻接硅锗层；光检测器，布置在所述硅锗层中；以及晶体管，布置在所述硅层上，所述晶体管具有埋置在所述硅层的表面内且电连接至所述光检测器的源/漏区。根据本专利技术的另一方面，提供了一种制造互补金属氧化物半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器，包括：硅层，邻接硅锗层；光检测器，布置在所述硅锗层中；以及晶体管，布置在所述硅层上，所述晶体管具有埋置在所述硅层的表面内且电连接至所述光检测器的源/漏区。

【技术特征摘要】
2015.11.13 US 62/255,006;2016.05.02 US 15/143,6901....

【专利技术属性】
技术研发人员：李岳川，陈嘉展，施俊吉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71