固体摄像器件和电子装置制造方法及图纸

本技术涉及能够实现来自光电二极管的稳定溢出并且能够防止Qs的减少和混色的发生的固体摄像器件和电子装置。根据本技术一个方面的固体摄像器件在半导体基板内的受光面侧处包括：电荷保持部，所述电荷保持部响应于入射光而产生电荷并保持所述电荷；OFD部，在所述电荷保持部处达到饱和的所述电荷被排放到所述OFD部中；以及势垒部，所述势垒部成为从所述电荷保持部向所述OFD部流动的所述电荷的壁垒。这里，所述OFD部包括杂质类型相同且杂质浓度不同的低浓度OFD部和高浓度OFD部，并且所述高浓度OFD部和所述势垒部被形成得间隔开。本技术例如可适用于CMOS图像传感器。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】固体摄像器件和电子装置
本技术涉及固体摄像器件和电子装置，并且更具体地，涉及能够实现来自光电二极管的稳定溢出的固体摄像器件和电子装置。
技术介绍
作为安装在数码照相机或数码摄影机等中的固体摄像器件，已知的有互补金属氧化物半导体(CMOS：ComplementaryMetalOxideSemiconductor)图像传感器。在CMOS图像传感器(在下文中，称为CIS)中，通过对应于各个像素而形成的光电二极管(PD：Photodiode)的光电转换，响应于入射光而产生电荷，所产生的电荷经由传输晶体管而被传送到浮动扩散部(FD：FloatingDiffusion)，并且在FD中该电荷被转换成电气信号(像素信号)以供读取。与此同时，传统地，为了提高CIS的Qs(饱和电荷量)和为了形成沿纵向层叠有多个PD的纵向分光CIS等，曾经提出了一种在Si(硅)基板的深部中(后表面侧处)形成PD的构造。在PD中产生和累积的并且要被读取的电荷经由垂直晶体管而被传送到布置在Si基板的前表面侧处的FD，该垂直晶体管例如沿与Si基板垂直的方向(纵向)而被设置着。在上述构造的情况下，PD与FD之间的距离长，并且在P本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种固体摄像器件，所述固体摄像器件在半导体基板内的受光面侧处包括：电荷保持部，所述电荷保持部响应于入射光而产生电荷并保持所述电荷；OFD部，在所述电荷保持部处达到饱和的所述电荷被排放到所述OFD部中；以及势垒部，所述势垒部成为从所述电荷保持部向所述OFD部流动的所述电荷的壁垒，所述OFD部包括低浓度OFD部和高浓度OFD部，所述低浓度OFD部和所述高浓度OFD部的杂质类型相同且杂质浓度不同，并且所述高浓度OFD部和所述势垒部被形成得间隔开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.18 JP 2014-256043;2015.12.09 JP 2015-239941.一种固体摄像器件，所述固体摄像器件在半导体基板内的受光面侧处包括：电荷保持部，所述电荷保持部响应于入射光而产生电荷并保持所述电荷；OFD部，在所述电荷保持部处达到饱和的所述电荷被排放到所述OFD部中；以及势垒部，所述势垒部成为从所述电荷保持部向所述OFD部流动的所述电荷的壁垒，所述OFD部包括低浓度OFD部和高浓度OFD部，所述低浓度OFD部和所述高浓度OFD部的杂质类型相同且杂质浓度不同，并且所述高浓度OFD部和所述势垒部被形成得间隔开。2.根据权利要求1所述的固体摄像器件，其中，所述电荷保持部和所述低浓度OFD部的杂质类型相同且杂质浓度相等。3.根据权利要求2所述的固体摄像器件，其还包括：第一垂直晶体管，所述第一垂直晶体管从所述半导体基板的与所述受光面相反的表面被形成，并且与所述高浓度OFD部接触。4.根据权利要求3所述的固体摄像器件，其中，所述第一垂直晶体管和所述势垒部被形成得间隔开。5.根据权利要求3所述的固体摄像器件，其还包括：沟道层，所述沟道层在像素晶体管与所述电荷保持部之间从所述第一垂直晶体管沿水平方向延伸，所述像素晶体管形成于所述半导体基板上。6.根据权利要求5所述的固体摄像器件，其中，所述沟道层由包含与所述电荷保持部相同类型的杂质的扩散层形成。7.根据权利要求3所述的固体摄像器件，其还包括：阱隔离层，所述阱隔离层将所述半导体基板的阱区域之中的预定像素晶体管的下部区域与所述阱区域之中的其他区域电气隔离，并且所述阱隔离层从所述第一垂直晶体管沿水平方向延伸。8.根据权利要求7所述的固体摄像器件，其中，通过所述阱隔离层而被电气隔离的所述预定像素晶体管的所述下部区域的电位低于所述其他区域的电位。9.根据权利要求7所述的固体摄像器件，其中，所述预定像素晶体管是AMP晶体管和SEL晶体管。10.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡部泰一郎，中村良助，佐藤友亮，古闲史彦，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP