具有对高强度光的降低的敏感度的高动态范围图像传感器制造技术

本申请案涉及一种具有对高强度光的降低的敏感度的高动态范围图像传感器。图像传感器包含在半导体衬底中彼此穿插其中的第一及第二多个光电二极管。入射光待被引导通过所述半导体衬底的表面到所述第一及第二多个光电二极管中。相较于所述第二多个光电二极管，所述第一多个光电二极管对所述入射光具有更大的敏感度。金属膜层安置于所述第二多个光电二极管上方的所述半导体衬底的所述表面上方，且未安置于所述第一多个光电二极管上方。金属栅格安置于所述半导体衬底的所述表面上方，且包含第一多个开口，所述入射光通过所述第一多个开口被引导到所述第一多个光电二极管中。所述金属栅格进一步包含第二多个开口，所述入射光通过所述第二多个开口被引导通过所述金属膜层到所述第二多个光电二极管中。

High dynamic range image sensor having a sensitivity to degradation of high intensity light

The present application relates to a high dynamic range image sensor having a sensitivity to degradation of high intensity light. The image sensor includes first and second interspersed among the more than 2 photodiodes with each other in a semiconductor substrate. The incident light to be guided by the surface of the semiconductor substrate to the first and more than 2 photodiode. Compared with the first more than 2 photodiodes, the first plurality of photodiodes of the incident light is more sensitive. Above the surface of the semiconductor substrate metal layer arranged in the article more than 2 over the photodiode, and arranged in the first plurality of photodiodes above. The metal grid is disposed over the surface of the semiconductor substrate and includes a first plurality of openings that are guided into the first plurality of photodiodes by the first plurality of openings. The metal grid further comprise a more than 2 opening, the incident light through the first more than 2 openings are guided through the metal layer to the first more than 2 photodiode.

【技术实现步骤摘要】
具有对高强度光的降低的敏感度的高动态范围图像传感器
本专利技术大体上涉及成像，且更特定来说，本专利技术涉及高动态范围图像传感器。
技术介绍
图像传感器已变得无处不在。它们广泛用于数码相机，蜂窝电话、监控摄像机，以及医疗、汽车及其它应用中。用于制造图像传感器(例如(举例来说)互补金属氧化物半导体(COMS)图像传感器(CIS))的技术已持续以迅猛的速度进步。举例来说，对更高分辨率及更低能耗的需求已促进这些图像传感器的进一步微型化及集成化。高动态范围(HDR)图像传感器可用于许多应用。一般来说，普通图像传感器(包含(举例来说)电荷耦合装置(CCD)及CMOS图像传感器)具有约70dB动态范围的动态范围。相比之下，人眼具有高达约100dB的动态范围。存在各种情形，其中具有增加的动态范围的图像传感器是有益的。举例来说，为了能够处置不同极端照明条件(例如，从黑暗隧道驶向光明阳光下)，在汽车行业中有时需要具有100dB或以上的动态范围的图像传感器。当成像发光二极管(LED)照射以(举例来说)90到300Hz发出脉冲并具有较高峰值光强度的汽车灯、交通信号灯及标志牌时，另一极端光照情形实例发生。在这本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像传感器，其包括：第一多个光电二极管，其布置于半导体衬底中；第二多个光电二极管，其布置于所述半导体衬底中，其中所述第一及第二多个光电二极管在所述半导体衬底中彼此穿插其中，其中入射光待被引导通过所述半导体衬底的表面到所述第一及第二多个光电二极管中，其中相较于所述第二多个光电二极管，所述第一多个光电二极管对所述入射光具有更大的敏感度；金属膜层，其安置于所述第二多个光电二极管上方的所述半导体衬底的所述表面上方，其中所述金属膜层未安置于所述第一多个光电二极管上方；及金属栅格，其安置于所述半导体衬底的所述表面上方，其中所述金属栅格包含第一多个开口，所述入射光通过所述第一多个开口被引导通过金属栅格，...

【技术特征摘要】
2016.01.25 US 15/005,6721.一种图像传感器，其包括：第一多个光电二极管，其布置于半导体衬底中；第二多个光电二极管，其布置于所述半导体衬底中，其中所述第一及第二多个光电二极管在所述半导体衬底中彼此穿插其中，其中入射光待被引导通过所述半导体衬底的表面到所述第一及第二多个光电二极管中，其中相较于所述第二多个光电二极管，所述第一多个光电二极管对所述入射光具有更大的敏感度；金属膜层，其安置于所述第二多个光电二极管上方的所述半导体衬底的所述表面上方，其中所述金属膜层未安置于所述第一多个光电二极管上方；及金属栅格，其安置于所述半导体衬底的所述表面上方，其中所述金属栅格包含第一多个开口，所述入射光通过所述第一多个开口被引导通过金属栅格，且接着通过所述表面到所述第一多个光电二极管中，其中所述金属栅格进一步包含第二多个开口，所述入射光通过所述第二多个开口被引导通过所述金属栅格，且接着通过所述金属膜层及所述表面到所述第二多个光电二极管中。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其进一步包括安置于所述金属栅格、所述金属层及所述半导体衬底的所述表面上方的钝化层。3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述金属膜层包括铝。4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述金属膜层包括钨。5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述金属膜层包括钛。6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述金属膜层包括氮化钛。7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述入射光通过所述金属膜层的透射率响应于所述金属膜层的厚度。8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述金属栅格包括铝。9.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述金属栅格包括氮化钛。10.一种制造图像传感器的方法，其包括：将第一多个光电二极管布置于半导体衬底中；将第二多个光电二极管穿插于所述半导体衬底中的所述第一多个光电二极管当中，其中入射光待被引导通过所述半导体衬底的表面到所述第一及第二多个光电二极管中，其中相较于所述第二多个光电二极管，所述第一多个光电二极管对所述入射光具有更大的敏感度；将金属膜层提供于在所述第二多个光电二极管上方的所述半导体衬底的所述表面上方且并未将其提供于所述第一多个光电二极管上方；以及将金属栅格提供于所述半导体衬底的所述表面上方，其中所述金属栅格包含第一多个开口，所述入射光通过所述第一多个开口被引导通过金属栅格，且接着通过所述表面到所述第一多个光电二极管中，其中所述金属栅格进一步...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱胤，张明，陆震伟，李津，缪佳君，戴森·H·戴，
申请(专利权)人：豪威科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US