半导体器件及其形成方法技术

一种半导体器件，包括半导体衬底、辐射传感区域、至少一个隔离结构以及掺杂的钝化层。辐射传感区域位于半导体衬底中。隔离结构位于半导体衬底中并且邻近辐射传感区域。掺杂的钝化层以基本上共形的方式至少部分地围绕隔离结构。本发明专利技术还提供了另一种半导体器件以及一种用于形成半导体器件的方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法优先权声明及交叉引用本申请要求于2015年10月20日提交的美国临时申请第62/243,904号的优先权，其内容结合于此作为参考。
本专利技术涉及半导体领域，更具体地，涉及半导体器件及其形成方法。
技术介绍
图像传感器是感测和传递构成图像的信息的传感器。互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)用于各种用途，比如用于数码相机或者手机摄像头。上述器件使用了衬底中的像素阵列，包括光电二极管和晶体管，这些光电二极管和晶体管可以吸收射向该衬底的辐射，并且将所感测到的辐射转换为电信号。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种半导体器件，包括：半导体衬底；辐射传感区域，位于半导体衬底中；至少一个隔离结构，位于半导体衬底中并且邻近辐射传感区域；以及掺杂的钝化层，以基本上共形的方式至少部分地围绕隔离结构。本专利技术的实施例提供了一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有位于其中的至少一个沟槽；辐射传感区域，位于半导体衬底中；至少一个介电材料，位于半导体衬底的沟槽中；以及掺杂的钝化层，至少位于沟槽的至少一个侧壁中并且至少基本上与沟槽的至少一个侧壁共形。本专利技术的实施例提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体衬底；辐射传感区域，位于所述半导体衬底中；至少一个隔离结构，位于所述半导体衬底中并且邻近所述辐射传感区域；以及掺杂的钝化层，以基本上共形的方式至少部分地围绕所述隔离结构。

【技术特征摘要】
2015.10.20 US 62/243,904;2016.06.02 US 15/171,9591.一种半导体器件，包括：半导体衬底；辐射传感区域，位于所述半导体衬底中；至少一个隔离结构，位于所述半导体衬底中并且邻近所述辐射传感区域；以及掺杂的钝化层，以基本上共形的方式至少部分地围绕所述隔离结构。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体衬底具有前侧和后侧，所述辐射传感区域可操作地感测通过所述半导体衬底的所述后侧进入所述半导体衬底的辐射波，并且所述隔离结构从所述半导体衬底的所述后侧延伸。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体衬底具有前侧和后侧，所述辐射传感区域可操作地感测通过所述半导体衬底的所述后侧进入所述半导体衬底的辐射波，并且所述掺杂的钝化层进一步至少部分地位于所述半导体衬底的所述后侧中。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述掺杂的钝化层进一步基本上与所述半导体衬底的所述后侧共形。5.根据权利要求1所述的半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡宗翰，郑允玮，李国政，周俊豪，许永隆，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71