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一种半导体器件，包括半导体衬底、辐射传感区域、至少一个隔离结构以及掺杂的钝化层。辐射传感区域位于半导体衬底中。隔离结构位于半导体衬底中并且邻近辐射传感区域。掺杂的钝化层以基本上共形的方式至少部分地围绕隔离结构。本发明还提供了另一种半导体器件...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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