辐射探测器芯组件制造技术

本发明专利技术涉及一种湿气阻隔的辐射探测器芯组件，其通过首先组装光子‑电子转换层、集成电路以及其之间的连接元件并且然后封装整个组件来构建。这提供了改进的湿气阻隔性质，因为该封装也覆盖了连接元件，并且不必被打开以应用电连接，如针对已知的辐射探测器芯组件所做的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】辐射探测器芯组件
本专利技术总体涉及用于构造辐射探测器芯组件的方法、辐射探测器芯组件、辐射探测器、辐射成像设备、以及计算机断层摄影成像系统。
技术介绍
如在例如计算机断层摄影(CT)成像中所使用的直接转换辐射探测器通过将进入的辐射直接转换成电信号来探测辐射，其可以被用于光子计数等。直接转换探测器、并且特别是具有碲锌镉(CdZnTe或CZT)直接转换层的那些直接转换探测器对湿气敏感。随着时间的推移，暴露于湿气可能改变光子-电子转换层以及直接转换探测器的表面的性质。这可能导致泄漏电流的增加，其负面地影响直接转换探测器的光子计数性质。还有其他直接转化材料，例如碲化镉或(其他)单晶材料，类似地受湿气的影响。在较短的时间帧内，湿气可能经由直接转换层表面导致阴极和阳极之间的短路，这几乎肯定将破坏探测器的集成电路(ASIC)和传感器。此外，直接转换层中的湿气与设备中所使用的高电压的组合可能引起增加的击穿机会。并且，辐射探测器中的湿气敏感度并非对于直接转换层是独有的。同样地，诸如电极和连接件的其他部件的性质也可能受湿气的不利影响。出于同样的原因，问题也扩展到非直接转换辐射探测器。另外，具有诸如碘化铯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于构造辐射探测器芯组件的方法，包括以下步骤：‑从光子‑电子转换元件、集成电路和至少一个连接元件来组装辐射探测器芯组件，所述至少一个连接元件被定位于所述光子‑电子转换元件与所述集成电路之间并且机械地连接所述光子‑电子转换元件与所述集成电路；‑在低于100度的温度下在至少所述光子‑电子转换元件的所有外表面以及至少一个电连接元件的所有外表面上将气态封装材料沉积到所组装的探测器芯组件上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.20 EP 14193976.91.一种用于构造辐射探测器芯组件的方法，包括以下步骤：-从光子-电子转换元件、集成电路和至少一个连接元件来组装辐射探测器芯组件，所述至少一个连接元件被定位于所述光子-电子转换元件与所述集成电路之间并且机械地连接所述光子-电子转换元件与所述集成电路；-在低于100度的温度下在至少所述光子-电子转换元件的所有外表面以及至少一个电连接元件的所有外表面上将气态封装材料沉积到所组装的探测器芯组件上。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述温度低于60摄氏度，优选为室温。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述气态封装材料是聚对二甲苯前驱体材料，所述聚对二甲苯前驱体材料在所述沉积的步骤期间或之后在所组装的探测器芯组件上形成聚对二甲苯封装层。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述聚对二甲苯前驱体材料是对二甲苯基单体，任选是被置换的对二甲苯基单体，其优选是从对-环芳的热分解形成的。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述聚对二甲苯前驱体材料是在反应室中形成的，所述反应室被能控制地连接到在其中执行所述沉积的步骤的沉积室。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的方法，其中，所述至少一个连接元件包括：将所述光子-电子转换元件与所述集成电路电气地连接的电连接元件，诸如焊球或填充金属的环氧树脂滴；和/或将所述光子-电子转换元件与所述集成电路光学地连接的光学连接元件。7.一种通过根据权利要求1至6中的任一项所述的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：F·韦尔巴凯尔，P·范德尔夫特，
申请(专利权)人：皇家飞利浦有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL