具有优化的效率的像素化闪烁体制造技术

本发明专利技术涉及一种用于制造像素化闪烁体的方法，其中，以这样的方式来提供像素化闪烁体结构(211)和连接结构(200)：使得所述连接结构与所述像素化闪烁体结构的两个邻近像素机械接触。此外，所述像素化闪烁体结构包括第一烧结‑收缩‑系数并且所述连接结构包括大于所述第一烧结‑收缩‑系数的第二烧结‑收缩‑系数。在另外的方法步骤中，烧结所述像素化闪烁体结构和所述连接结构，使得减小所述像素化闪烁体结构的两个邻近像素(201、202)之间的间隙(212)。此外，本发明专利技术还涉及像素化闪烁体、探测器以及成像装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有优化的效率的像素化闪烁体
本专利技术涉及闪烁体的领域。具体而言，本专利技术涉及用于制造像素化闪烁体的方法，并且涉及像素化闪烁体。
技术介绍
在辐射探测器中的闪烁体可以包括由间隙分开的个体像素的阵列。这样的像素化闪烁体能够由闪烁陶瓷材料形成。在US2012/0308837A1中描述了由3D喷墨打印生成制备陶瓷形状主体的工艺。
技术实现思路
能够期望优化像素化闪烁体的效率。在独立权利要求中陈述了本专利技术的各方面。在从属权利要求、说明书和附图中阐述了优点和另外的实施例。本专利技术的第一个方面涉及一种用于制造像素化闪烁体的方法。所述方法包括提供具有第一烧结-收缩-系数的像素化闪烁体结构的步骤，所述像素化闪烁体结构包括两个邻近像素，两者具有由间隙分开的顶部部分和底部部分。此外，所述方法包括提供连接结构的步骤，所述连接结构在所述两个邻近像素的底部部分处与所述两个邻近像素中的两者机械接触，其中，所述连接结构包括大于所述第一烧结-收缩-系数的第二烧结-收缩-系数。此外，所述方法包括以下步骤：烧结所述像素化闪烁体结构和所述连接结构，使得所述间隙由于在第一与第二烧结-收缩-系数之间的差异而减小。本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造像素化闪烁体(100)的方法，所述方法包括以下步骤：提供(S1)具有第一烧结‑收缩‑系数的像素化闪烁体结构(211)，所述像素化闪烁体结构包括两个邻近像素(201、202)，所述两个邻近像素两者都具有由间隙(212)分开的顶部部分和底部部分；提供(S2)连接结构(200、405)，所述连接结构在所述两个邻近像素的所述底部部分处与所述两个邻近像素中的两者机械接触，其中，所述连接结构包括大于所述第一烧结‑收缩‑系数的第二烧结‑收缩‑系数；并且烧结(S3)所述像素化闪烁体结构(211)和所述连接结构(200、405)。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.13 EP 14193004.01.一种用于制造像素化闪烁体(100)的方法，所述方法包括以下步骤：提供(S1)具有第一烧结-收缩-系数的像素化闪烁体结构(211)，所述像素化闪烁体结构包括两个邻近像素(201、202)，所述两个邻近像素两者都具有由间隙(212)分开的顶部部分和底部部分；提供(S2)连接结构(200、405)，所述连接结构在所述两个邻近像素的所述底部部分处与所述两个邻近像素中的两者机械接触，其中，所述连接结构包括大于所述第一烧结-收缩-系数的第二烧结-收缩-系数；并且烧结(S3)所述像素化闪烁体结构(211)和所述连接结构(200、405)。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述连接结构是基底层(200)；并且其中，所述像素化闪烁体结构(211)被沉积到所述基底层(200)上。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述基底层(200)具有0.2mm至2mm之间的厚度；并且其中，所述像素化闪烁体结构(211)具有0.2mm至5mm之间的厚度。4.根据权利要求2和3中的任一项所述的方法，还包括以下步骤：提供包括第三烧结-收缩-系数的中间层结构(301)，其中，所述第三烧结-收缩-系数小于所述第二烧结-收缩-系数并且大于所述第一烧结-收缩-系数，中间层材料与所述基底层(200)和所述像素化闪烁体结构(211)机械接触；并且其中，所述中间层材料与所述基底层和所述像素化闪烁体结构一起被烧结。5.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，还包括以下步骤：移除所述连接结构(200)。6.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述连接结构(405)被提供在将所述两个邻近像素(401...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·W·M·雅各布斯，O·J·维默斯，J·J·范厄凯尔，
申请(专利权)人：皇家飞利浦有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL