光传感器制造技术

本申请的光传感器具备：半导体层；半导体层上的栅极绝缘层，该栅极绝缘层包含光电转换层；栅极绝缘层上的栅极电极；电压供给电路，该电压供给电路对半导体层内的源极区和漏极区中的一者与栅极电极之间施加电压；以及信号检测电路，该信号检测电路与源极区和漏极区中的另一者连接。光电转换层具有下述光电流特性：具有第一电压范围、第二电压范围和第三电压范围，该第一电压范围是随着逆向的偏压增大而使输出电流密度的绝对值增大，该第二电压范围是随着正向的偏压增大而使输出电流密度增大，该第三电压范围是在第一电压范围与第二电压范围之间并且输出电流密度相对于偏压的变化率的绝对值比第一电压范围和第二电压范围小，电压供给电路以使施加于光电转换层的偏压为第三电压范围内的方式施加电压，信号检测电路对与由入射光而产生的光电转换层的容量变化相对应的电信号进行检测。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光传感器
本申请涉及光传感器。
技术介绍
以往，在光检测装置、图像传感器等中使用了光检测元件。光检测元件的典型例子有光电二极管、光电晶体管等光电转换元件。如众所周知的那样，对通过照射光产生于光电转换元件的光电流进行检测，由此能够对光进行检测。下述专利文献1在图2中公开了一种薄膜晶体管(TFT)，其具有规定化合物分散在有机聚合物中而成的有机膜作为栅极绝缘膜。作为构成有机膜的规定化合物，选择通过照射光会使极化状态发生变化的化合物。就专利文献1的薄膜晶体管来说，在对栅极绝缘膜照射光时，栅极绝缘膜的介电常数发生变化。因此，通过向栅极绝缘膜照射光，在源极-漏极之间流动的电流发生变化。专利文献1记载了可将这样的薄膜晶体管用于光传感器。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011-60830号公报
技术实现思路
提供具有新颖构成的光传感器。根据本申请的没有限定性的某个例示性实施方式，可提供下述方案。一种光传感器，其具备：半导体层，该半导体层包含源极区和漏极区；栅极绝缘层，该栅极绝缘层位于被半导体层的源极区和漏极区所夹持的区域上，并且包含光电转换层；栅极绝缘层上的栅极电极；电压供给电路，该电压供给电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光传感器，其具备：半导体层，该半导体层包含源极区和漏极区；栅极绝缘层，该栅极绝缘层位于被所述半导体层的所述源极区和所述漏极区所夹持的区域上，并且包含光电转换层；所述栅极绝缘层上的栅极电极；电压供给电路，该电压供给电路对所述源极区和所述漏极区中的一者与所述栅极电极之间施加电压；以及信号检测电路，该信号检测电路与所述源极区和所述漏极区中的另一者连接，其中，所述光电转换层具有下述光电流特性：具有第一电压范围、第二电压范围和第三电压范围，该第一电压范围是随着逆向的偏压增大而使输出电流密度的绝对值增大，该第二电压范围是随着正向的偏压增大而使输出电流密度增大，该第三电压范围是在所述第一电压范围与所述第...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.11.12 JP 2015-2220631.一种光传感器，其具备：半导体层，该半导体层包含源极区和漏极区；栅极绝缘层，该栅极绝缘层位于被所述半导体层的所述源极区和所述漏极区所夹持的区域上，并且包含光电转换层；所述栅极绝缘层上的栅极电极；电压供给电路，该电压供给电路对所述源极区和所述漏极区中的一者与所述栅极电极之间施加电压；以及信号检测电路，该信号检测电路与所述源极区和所述漏极区中的另一者连接，其中，所述光电转换层具有下述光电流特性：具有第一电压范围、第二电压范围和第三电压范围，该第一电压范围是随着逆向的偏压增大而使输出电流密度的绝对值增大，该第二电压范围是随着正向的偏压增大而使输出电流密度增大，该第三电压范围是在所述第一电压范围与所述第二电压范围之间并且输出电流密度相对于偏压的变化率的绝对值比所述第一电压范围和所述第二电压范围小，所述电压供给电路以使施加于所述光电转换层的偏压为所述第三电压范围内的方式施加所述电压，所述信号检测电路对与由入射光而产生的所述光电转换层的容量变化相对应的电信号进行检测。2.根据权利要求1所述的光传感器，其中，所述栅极绝缘层包含第一绝缘层，该第一绝缘层配置在所述光电转换层与所述半导体层之间。3.根据权利要求1或2所述的光传感器，其具备遮光膜，该遮光膜配置在所述栅极电极与所述半导体层之间。4.一种光传感器，其具备：第一电极；第二电极，该第二电极与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：玉置德彦，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP