光检测装置制造方法及图纸

本申请的某个实施方式的光检测装置具备：半导体层，该半导体层包含源极区和漏极区；栅极绝缘层，该栅极绝缘层位于被半导体层的源极区和漏极区所夹持的区域上，并且包含光电转换层；栅极电极，该栅极电极位于栅极绝缘层上；信号检测电路，该信号检测电路包含输入与源极区和漏极区中的一者电连接的第一信号检测晶体管；第一传输晶体管，该第一传输晶体管连接在源极区和漏极区中的一者与第一信号检测晶体管的输入之间；以及第一电容器，该第一电容器的一端与第一信号检测晶体管的输入电连接，其中，信号检测电路对由光经由栅极电极射入光电转换层而产生的与光电转换层的介电常数变化相对应的电信号进行检测。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光检测装置
本申请涉及光检测装置。
技术介绍
以往，在光检测装置、图像传感器等中使用了光检测元件。光检测元件的典型例子有光电二极管、光电晶体管等光电转换元件。如众所周知的那样，对通过照射光产生于光电转换元件的光电流进行检测，由此能够对光进行检测。下述专利文献1在图2中公开了一种薄膜晶体管(TFT)，其具有规定化合物分散在有机聚合物中而成的有机膜作为栅极绝缘膜。作为构成有机膜的规定化合物，选择通过照射光会使极化状态发生变化的化合物。就专利文献1的薄膜晶体管来说，在对栅极绝缘膜照射光时，栅极绝缘膜的介电常数发生变化。因此，通过向栅极绝缘膜照射光，在源极-漏极之间流动的电流发生变化。专利文献1记载了可将这样的薄膜晶体管用于光传感器。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011-60830号公报
技术实现思路
提供具有新颖构成的光检测装置。根据本申请的没有限定性的某个例示性实施方式，可提供下述方案。一种光检测装置，其具备：半导体层，该半导体层包含源极区和漏极区；栅极绝缘层，该栅极绝缘层位于被半导体层的源极区和漏极区所夹持的区域上，并且包含光电转换层；栅极电极，该栅极电极位于栅极绝缘层上；信号本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光检测装置，其具备：半导体层，该半导体层包含源极区和漏极区；栅极绝缘层，该栅极绝缘层位于被所述半导体层的所述源极区和所述漏极区所夹持的区域上，并且包含光电转换层；栅极电极，该栅极电极位于所述栅极绝缘层上；信号检测电路，该信号检测电路包含输入与所述源极区和所述漏极区中的一者电连接的第一信号检测晶体管；第一传输晶体管，该第一传输晶体管连接在所述源极区和所述漏极区中的所述一者与所述第一信号检测晶体管的所述输入之间；以及第一电容器，该第一电容器的一端与所述第一信号检测晶体管的所述输入电连接，其中，所述信号检测电路对由光经由所述栅极电极射入所述光电转换层而产生的与所述光电转换层的介电常数变化相对应的...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.11.12 JP 2015-222063;2016.05.31 JP 2016-108611.一种光检测装置，其具备：半导体层，该半导体层包含源极区和漏极区；栅极绝缘层，该栅极绝缘层位于被所述半导体层的所述源极区和所述漏极区所夹持的区域上，并且包含光电转换层；栅极电极，该栅极电极位于所述栅极绝缘层上；信号检测电路，该信号检测电路包含输入与所述源极区和所述漏极区中的一者电连接的第一信号检测晶体管；第一传输晶体管，该第一传输晶体管连接在所述源极区和所述漏极区中的所述一者与所述第一信号检测晶体管的所述输入之间；以及第一电容器，该第一电容器的一端与所述第一信号检测晶体管的所述输入电连接，其中，所述信号检测电路对由光经由所述栅极电极射入所述光电转换层而产生的与所述光电转换层的介电常数变化相对应的电信号进行检测。2.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，所述栅极绝缘层包含绝缘层，该绝缘层位于所述光电转换层与所述半导体层之间。3.根据权利要求1或2所述的光检测装置，其具有遮光膜，该遮光膜位于所述栅极电极与所述半导体层之间。4.根据权利要求1～3中任一项所述的光检测装置，其中，所述光电转换层具有下述光电流特性：具有第一电压范围、第二电压范围和第三电压范围，该第一电压范围是随着逆向的偏压增大而使输出电流密度的绝对值增大，该第二电压范围是随着正向的偏压增大而使输出电流密度增大，该第三电压范围是在所述第一电压范围与所述第二电压范围之间并且输出电流密度相对于偏压的变化率的绝对值比所述第一电压范围和所述第二电压范围小。5.根据权利要求4所述的光检测装置，其还具备电压供给电路，该电压供给电路对所述栅极电极供给以所述源极区和所述漏极区中的另一者的电位为基准时处于所述第三电压范围内的栅极电压，其中，所述源极区和所述漏极区中的所述一者在所述源极区和所述漏极区中的所述另一者与所述栅极电极之间的电位差维持为所述第三电压范围内的状态下输出与所述光电转换层的介电常数变化相对应的所述电信号。6.根据权利要求1～5中任一项所述的光检测装置，其中，所述信号检测电路包含第二信号检测晶体管，该第二信号检测晶体管是输入与所述源极区和所述漏极区中的所述一者电连接，该光检测装置还具备：第二传输晶体管，该第二传输晶体管连接在所述源极区和所述漏极区中的所述一者与所述第二信号检测晶体管的输入之间；以及第二电容器，该第二电容器的一端与所述第二信号检测晶体管的所述输入电连接。7.根据权利要求1～6中任一项所述的光检测装置，其还具备第一电流放大电路，该第一电流放大电路电连接在所述源极区和所述漏极区中的所述一者与所述第一电容器的所述一端之间。8.根据权利要求1～7中任一项所述的光检测装置，其还具备反转放大器，该反转放大器电连接在所述源极区和所述漏极区中的所述一者与所述第一电容器的所述一端之间。9.一种光检测装置，其具备：第一电极；第二电极，该第二电极与所述第一电极相对置；光电转换层，该光电转换层配置在所述第一电极与所述第二电极之间；场效应晶体管，该场效应晶体管的栅极与所述第一电极电连接；信号检测...

【专利技术属性】
技术研发人员：岛崎直树，玉置德彦，宍戸三四郎，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP