【技术实现步骤摘要】
用于制造鳍式场效应晶体管和半导体器件的方法
本专利技术实施例涉及集成电路器件,更具体地,涉及用于制造鳍式场效应晶体管和半导体器件的方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)产业经历了指数增长。IC材料和设计的技术进步产生了多代IC,其中,每代都具有比前一代更小且更复杂的电路。在IC发展过程中,功能密度(即每芯片面积上互连器件的数量)通常增大了而几何尺寸(即,使用制造工艺可以做出的最小的元件(或线))减小了。这种按比例缩小工艺通常通过增加生产效率和降低相关成本来提供很多益处。这种按比例缩小工艺还增加了处理和制造IC的复杂性并且,为了实现这些进步,需要IC处理和制造方面的相似进步。例如,已经引入诸如鳍式场效应晶体管(FinFET)的三维晶体管以代替平面晶体管。尽管现有的FinFET器件和形成FinFET器件的方法已通常满足它们的期望目的,但是它们还不能完全满足所有方面的要求。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种用于制造鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法,包括:在具有半导体鳍的衬底上方形成栅极堆叠件;在所述栅极堆叠件旁边的所述半导体鳍中形成凹槽;实施预清洗工艺以去 ...
【技术保护点】
一种用于制造鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法,包括:在具有半导体鳍的衬底上方形成栅极堆叠件;在所述栅极堆叠件旁边的所述半导体鳍中形成凹槽;实施预清洗工艺以去除所述凹槽的表面上的本征氧化物;在所述预清洗之后,使用含氟气体和第一氢气对所述凹槽实施选择性接近推送工艺;以及在所述凹槽中形成应变层。
【技术特征摘要】
2016.01.29 US 15/009,8281.一种用于制造鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法,包括:在具有半导体鳍的衬底上方形成栅极堆叠件;在所述栅极堆叠件旁边的所述半导体鳍中形成凹槽;实施预清洗工艺以去除所述凹槽的表面上的本征氧化物;在所述预清洗之后,使用含氟气体和第一氢气对所述凹槽实施选择性接近推送工艺;以及在所述凹槽中形成应变层。2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述含氟气体和所述第一氢气中的一种用作经过喷头被引入至所述衬底的等离子体源,并且所述含氟气体和所述第一氢气中的另一种用作被直接引入至所述衬底的协流气体。3.根据权利要求2所述的方法,其中,通过进一步使用第二氢气实施所述选择性接近推送工艺,并且所述第二氢气和所述含氟气体用作所述等离子体源或所述协流气体。4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述含氟气体和所述第一氢气用作等离子体源。5.根据权利要求1所述的方法,其中,在实施所述选择性接近推送工艺之后,所述方法还包括实施后清洗工艺以去除所述凹槽的表面上的本征氧化物。6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述含氟气体包括NF3。7.一种用于制造鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法,包括:在具有半导体鳍的衬底上方形成栅极堆叠件;在所述栅极堆叠件的侧壁...
【专利技术属性】
技术研发人员:蔡俊雄,詹前泰,方子韦,陈科维,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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