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提供了一种用于制造鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法。该方法包括以下步骤。在具有半导体鳍的衬底上方形成栅极堆叠件。在栅极堆叠件旁边的半导体鳍中形成凹槽。实施预清洗工艺以去除在凹槽的表面上的本征氧化物。在预清洗工艺之后，使用含氟气体和第一...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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