具有防滑和防旋转特征的晶片支撑基座制造技术

本发明专利技术涉及具有防滑和防旋转特征的晶片支撑基座。提供了一种用于半导体处理的装置，其包括基座，所述基座包括晶片支撑表面，所述晶片支撑表面包括多个台和凹槽结构。每个台可以被界定在两个或更多个凹槽之间，每个台可以包括多个台侧壁，台侧壁至少部分地与凹槽中的一个以及与基本上是平坦的表面的台顶表面相交，台顶表面可以彼此基本上共面，并且台顶表面可以被配置为在半导体操作期间支撑晶片。

【技术实现步骤摘要】
具有防滑和防旋转特征的晶片支撑基座
专利技术总体上涉及半导体领域，更具体涉及具有防滑和防旋转特征的晶片支撑基座。
技术介绍
在半导体处理操作期间，半导体晶片可暴露于半导体处理室内的各种半导体处理环境。除了其他变化的参数之外，这样的环境还可以包括不同水平的室压强、不同种类的反应物气体、不同的温度、以及等离子体的存在或不存在。
技术实现思路
在一种实施方式中，可以提供一种用于半导体处理的装置。所述装置可以包括：基座，其包括晶片支撑表面，所述晶片支撑表面包括多个台(mesa)和凹槽结构。每个台可以被界定(bracket)在两个或更多个凹槽之间，每个台可以包括多个台侧壁，每个台侧壁至少部分地与所述凹槽中的一个以及与基本上是平坦表面的台顶表面相交，所述台顶表面基本上彼此共面，并且所述台顶表面可以被配置为在半导体操作期间支撑晶片。在一些实施方式中，所述基座可以不包括向所述凹槽或所述台供应气体的特征。在一些实施方式中，所述凹槽结构可以包括平行于第一轴线并且沿着第一轴线排列的第一线性阵列的凹槽和平行于第二轴线并且沿着第二轴线排列的第二线性阵列的凹槽，所述第一轴线基本上正交于所述第二轴线。在一些这样的实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于半导体处理的装置，所述装置包括：基座，其包括晶片支撑表面，所述晶片支撑表面包括多个台和凹槽结构，其中：每个台被界定在两个或更多个凹槽之间，每个台包括多个台侧壁，每个台侧壁至少部分地与所述凹槽中的一个以及与基本上是平坦表面的台顶表面相交，所述台顶表面基本上彼此共面，并且所述台顶表面被配置为在半导体操作期间支撑晶片。

【技术特征摘要】
2015.12.11 US 62/266,472;2016.05.13 US 15/154,5651.一种用于半导体处理的装置，所述装置包括：基座，其包括晶片支撑表面，所述晶片支撑表面包括多个台和凹槽结构，其中：每个台被界定在两个或更多个凹槽之间，每个台包括多个台侧壁，每个台侧壁至少部分地与所述凹槽中的一个以及与基本上是平坦表面的台顶表面相交，所述台顶表面基本上彼此共面，并且所述台顶表面被配置为在半导体操作期间支撑晶片。2.根据权利要求1所述的装置，其中所述基座不包括向所述凹槽或所述台供应气体的特征。3.根据权利要求1所述的装置，其中：所述凹槽结构包括平行于第一轴线并且沿着第一轴线排列的第一线性阵列的凹槽和平行于第二轴线并且沿着第二轴线排列的第二线性阵列的凹槽，并且所述第一轴线基本上正交于所述第二轴线。4.根据权利要求3所述的装置，其中：所述凹槽结构包括具有第一深度和第一宽度的多个深凹槽以及具有第二深度和第二宽度的多个浅凹槽，所述第一线性阵列的凹槽包括以下项中的一个或多个：两个或更多个深凹槽和两个或更多个浅凹槽，所述第二线性阵列的凹槽包括以下项中的一个或多个：两个或更多个深凹槽和两个或更多个浅凹槽，所述第二深度小于所述第一深度，以及所述第二宽度小于所述第一宽度。5.根据权利要求4所述的装置，其中：两个或更多个深凹槽被包括在所述第一线性阵列中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：彼得·科洛托夫，埃里克·H·伦茨，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国,US