带载体的极薄铜箔及其制造方法技术
Thin copper foil with carrier and manufacturing method thereof
The invention provides a copper foil with a carrier capable of taking into account fine circuit formation and laser processing in the manufacture of a copper clad laminate to a printed circuit board. The thin copper foil with carrier of the invention has carrier foil, peeling layer and extremely thin copper foil in turn. The average distance of the surface layer peeling on one side of the surface peak between the ultra-thin copper foil (Peak spacing) for 20 m, the maximum height and the corrugated surface and the ultra-thin copper foil peeling layer opposite the degree of difference (Wmax) to 1 m.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】带载体的极薄铜箔及其制造方法
本专利技术涉及带载体的极薄铜箔及其制造方法。
技术介绍
近年来，作为适合于电路微细化的印刷电路板的制造方法，广泛采用MSAP(改良型半加成工艺)法。MSAP法是极其适合形成微细电路的方法，为了活用其特征，使用带载体箔的极薄铜箔来进行。例如，如图1和图2所示那样，使用底漆层12对极薄铜箔10进行按压使其与在基底基材11a上具备预浸料11b的绝缘树脂基板11(根据需要可内含下层电路11c)密合(步骤(a))，剥掉载体箔(未图示)后，根据需要通过激光穿孔形成通路孔13(步骤(b))。接着，实施化学镀铜14(步骤(c))后，通过使用了干膜15的曝光和显影，用特定的图案进行掩蔽(步骤(d))，实施电镀铜16(步骤(e))。去除干膜15而形成配线部分16a(步骤(f))后，将相邻的配线部分16a,16a间的无用极薄铜箔等在它们的整体厚度上通过蚀刻来去除(步骤(g))，得到通过特定图案形成的配线17。尤其是，近年来随着电子电路的小型轻量化，寻求电路形成性更优异(例如能够形成线/空间＝15μm以下/15μm以下的微细电路)的MSAP法用铜箔。例如，专...
【技术保护点】
一种带载体的极薄铜箔，其依次具备载体箔、剥离层和极薄铜箔，所述极薄铜箔的剥离层一侧的表面的表面峰间的平均距离(Peak spacing)为20μm以下，且所述极薄铜箔的与剥离层相反一侧的表面的波纹度的最大高低差(Wmax)为1.0μm以下。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.01.22 JP 2015-0104311.一种带载体的极薄铜箔，其依次具备载体箔、剥离层和极薄铜箔，所述极薄铜箔的剥离层一侧的表面的表面峰间的平均距离(Peakspacing)为20μm以下，且所述极薄铜箔的与剥离层相反一侧的表面的波纹度的最大高低差(Wmax)为1.0μm以下。2.根据权利要求1所述的带载体的极薄铜箔，其中，所述极薄铜箔的剥离层一侧的表面的所述表面峰间的平均距离(Peakspacing)为1～15μm。3.根据权利要求1或2所述的带载体的极薄铜箔，其中，所述极薄铜箔的与剥离层相反一侧的表面的波纹度的最大高低差(Wmax)为0.8μm以下。4.根据权利要求1～3中任一项所述的带载体的极薄铜箔，其中，所述极薄铜箔的与剥离层相反一侧的表面为粗化面。5.根据权利要求4所述的带载体的极薄铜箔，其中，所述粗化面具有多个粗化颗粒，该多个粗化颗粒自基底面起的平均粗化颗粒高度为1.0～1.4μm，且与自所述基底面起的高度相应的切断面中的粗化颗粒的截面数的分布曲线的1/10值宽度为1.3μm以下，所述基底面是相当于所述多个粗化颗粒间的谷底之中的最低位置且与所述极薄铜箔平行的面。6.根据权利要求1～5中任一项所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：花田徹，高梨哲聪，松永哲广，立冈步，
申请(专利权)人：三井金属矿业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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