制造半导体封装的方法技术

本发明专利技术公开了一种制造半导体封装的方法，其包含在晶圆中形成至少一个导电通孔，其中导电通孔具有第一端与相对第一端的第二端，其中晶圆具有第一表面与相对第一表面的第二表面，且导电通孔的第一端露出于晶圆的第一表面；研磨晶圆的第二表面以形成内部分与环绕内部分的外围部分，其中内部分的厚度比外围部分的厚度薄；以及蚀刻内部分以露出导电通孔的第二端。借此，本发明专利技术的制造半导体封装的方法，外围部分作为把手，以在工艺中支撑薄的晶圆。

Method of manufacturing a semiconductor package

The invention discloses a method for manufacturing a semiconductor package that includes forming at least one conductive vias in the wafer, wherein the conductive hole has a first end and a second end opposite to the first end, wherein the wafer has a first surface and a second surface opposite to the first surface, and a conductive via a first end of the exposed wafer the first surface; second surface polishing wafer to form a peripheral portion surrounding the inner part and the part, wherein the inner part of the outer part of the thickness of thin thickness ratio; and etching in part to expose the conductive via the second end. In this way, the inventive method of manufacturing a semiconductor package, the peripheral portion as a handle, to support the thin wafer in the process.

【技术实现步骤摘要】
制造半导体封装的方法
本专利技术涉及一种制造半导体封装的方法。
技术介绍
半导体产业中，通过持续地降低最小特征尺寸，不断改善各式各样的电子元件(例如电晶体、二极管、电阻、电容等)的积体密度，这使得在一预定区域内可以整合愈来愈多的元件。在部分应用上，这些小型电子元件需要小型的封装，以相较于以往的封装占据较小的面积。晶圆级封装技术是一门先进的封装技术，在晶圆上制作并测试晶粒，其后将晶圆切割单个化以用于表面安装线的组装。由于晶圆级封装技术将整个晶圆视为一物件，而非单一个晶片或晶粒，因此，在执行切割程序之前，已经完成封装与测试；更甚者，晶圆级封装是如此先进的技术，其可以省略导线接合、晶粒安装以及底部填充。借由晶圆级封装技术，可以降低成本与制造时间，且晶圆级封装的所得结构可能与晶粒相等；因此，此技术符合电子装置微小化的需求。虽然上述的晶圆极封装技术具有多种优势，但仍存有许多争议而影响晶圆极封装技术的接受程度。举例而言，积体散出型晶圆级封装(IntegratedFan-OutWafer-LevelPackaging；InFO-WLP)是一种正在发展的晶圆极封装技术，其中晶圆级封装的结构与母板之间本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体封装的方法，其特征在于，所述制造半导体封装的方法包含：在晶圆中形成至少一个导电通孔，其中所述导电通孔具有第一端与相对所述第一端的第二端，其中所述晶圆具有第一表面与相对所述第一表面的第二表面，且所述导电通孔的所述第一端露出于所述晶圆的所述第一表面；研磨所述晶圆的所述第二表面以形成内部分与环绕所述内部分的外围部分，其中所述内部分的厚度比所述外围部分的厚度薄；以及蚀刻所述内部分以露出所述导电通孔的所述第二端。

【技术特征摘要】
2016.01.21 US 15/002,4051.一种制造半导体封装的方法，其特征在于，所述制造半导体封装的方法包含：在晶圆中形成至少一个导电通孔，其中所述导电通孔具有第一端与相对所述第一端的第二端，其中所述晶圆具有第一表面与相对所述第一表面的第二表面，且所述导电通孔的所述第一端露出于所述晶圆的所述第一表面；研磨所述晶圆的所述第二表面以形成内部分与环绕所述内部分的外围部分，其中所述内部分的厚度比所述外围部分的厚度薄；以及蚀刻所述内部分以露出所述导电通孔的所述第二端。2.如权利要求1所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，所述晶圆包含：硅基板，其邻近所述晶圆的所述第二表面；上硅层，其邻近所述晶圆的所述第一表面；以及内埋介质层，其设置于所述硅基板与所述上硅层之间，其中在所述研磨之前，所述导电通孔延伸经过所述上硅层与所述内埋介质层。3.如权利要求2所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，在所述研磨之前，所述导电通孔还延伸至所述硅基板的一部分。4.如权利要求2所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，研磨所述晶圆的所述第二表面包含研磨所述晶圆的所述硅基板。5.如权利要求4所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，蚀刻所述内部分包含：蚀刻所述硅基板的剩余部分，其中所述内埋介质层为蚀刻停止层。6.如权利要求5所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，所述内埋介质层是由二氧化硅所组成。7.如权利要求2所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，所述导电通孔包含导电柱以及环绕所述导电柱的绝缘层，其中所述方法还包含：在蚀刻所述内部分之后，蚀刻所述导电通孔的所述绝缘层。8.如权利要求7所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，所述导电通孔的所述绝缘层的厚度比所述晶圆的所述内埋介质层的厚度薄。9.如权利要求7所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，所述绝缘层与所述内埋介质层皆由二氧化硅所组成。10.如权利要求7所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗翊仁，施能泰，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国,US