使用热与机械强化层的装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种使用热与机械强化层的装置及其制造方法。本发明专利技术实施例提供的方法包含将第一层级装置裸片附接到虚设裸片，将所述第一层级装置裸片囊封于第一囊封材料中，在所述第一层级装置裸片上方形成贯穿通路并且将其电耦合到所述第一层级装置裸片，将第二层级装置裸片附接于所述第一层级装置裸片上方，以及将所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片于囊封第二囊封材料中。重布线形成于所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片上方并且电耦合到所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片。所述虚设裸片、所述第一层级装置裸片、所述第一囊封材料、所述第二层级装置裸片、以及所述第二囊封材料形成复合晶片的部分。

【技术实现步骤摘要】
使用热与机械强化层的装置及其制造方法
本专利技术实施例是关于一种使用热与机械强化层的装置及其制造方法。
技术介绍
堆叠裸片通常用于三维(3D)集成电路中。经由裸片的堆叠，降低封装的覆盖区(尺寸架构)。此外，经由堆叠裸片的形成，显著简化于裸片中绕线的金属线。在一些常规应用中，堆叠多个裸片，形成裸片堆叠，其中所述多个裸片包含贯穿衬底通路(TSV，有时称为贯穿硅通路)。堆叠的裸片总数有时可达到八或更多。当形成此一裸片堆叠时，在封装衬底上，经由倒装芯片接合，先接合第一裸片，其中回焊焊料区/球以结合第一裸片到封装衬底。第一底胶填充分散于第一裸片与封装结构之间的间隙。而后，硬化第一底胶填充。而后进行测试，确保第一裸片适当连接到封装衬底，以及第一裸片与封装衬底具有所要的功能。接着，第二裸片经由倒装芯片接合而接合到第一裸片上，其中回焊焊料区/球以结合第二裸片到第一裸片。第二底胶填充分散于第二裸片与第一裸片之间的间隙中。而后，硬化第二底胶填充。而后，进行测试，以确保第二裸片正确连接到第一裸片与封装衬底，以及第一裸片、第二裸片、以及封装衬底具有所要的功能。接着，第三裸片经由与接合第一裸片及第二裸片相同的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，其包括：将第一层级装置裸片附接到虚设裸片；将所述第一层级装置裸片囊封于第一囊封材料中；形成位于所述第一层级装置裸片上方并且电耦合到所述第一层级装置裸片的多个第一贯穿通路；将第二层级装置裸片附接于所述第一层级装置裸片上方；将所述第一贯穿通路与所述第二层级装置裸片囊封于第二囊封材料中；以及在所述第一贯穿通路与所述第二层级装置裸片上方形成多个重布线，所述重布线电耦合到所述第一贯穿通路与所述第二层级装置裸片，所述虚设裸片、所述第一层级装置裸片、所述第一囊封材料、所述第二层级装置裸片、以及所述第二囊封材料是复合晶片的一部分。

【技术特征摘要】
2016.01.06 US 62/275,550;2016.03.02 US 15/058,8181.一种方法，其包括：将第一层级装置裸片附接到虚设裸片；将所述第一层级装置裸片囊封于第一囊封材料中；形成位于所述第一层级装置裸片上方并且电耦合到所述第一层级装置裸片的多个第一贯穿通路；将第二层级装置裸片附接于所述第一层级装置裸片上方；将所述第一贯穿通路与所述第二层级装置裸片囊封于第二囊封材料中；以及在所述第一贯穿通路与所述第二层级装置裸片上方形成多个重布线，所述重布线电耦合到所述第一贯穿通路与所述第二层级装置裸片，所述虚设裸片、所述第一层级装置裸片、所述第一囊封材料、所述第二层级装置裸片、以及所述第二囊封材料是复合晶片的一部分。2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在附接所述第一层级装置裸片之前，将所述虚设裸片到附接载体；以及在形成所述重布线之后，从所述虚设裸片将所述载体脱离。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述虚设裸片是未切割挡片的一部分，且所述方法进一步包括：薄化所述未切割的挡片，所述第一层级装置裸片附接到所述薄化的未切割挡片中的所述虚设裸片；以及将所述复合晶片切割成为多个封装，所述薄化的挡片被切割为多个虚设裸片，其中所述多个虚设裸片包括所述虚设裸片。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述虚设裸片是分离的裸片，且所述方法进一步包括切割所述复合晶片，以形成包括所述虚设裸片的封装，其中所述虚设裸片的边缘与所述封装的个别最近边缘相隔。5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在所述第一层级装置裸片与所述第一贯穿通路上方形成多个第二贯穿通路并且将其电耦合到所述第一层级装置裸片与所述第一贯穿通路；将第三层级装置裸片附接于所述第二层级装置裸片上方；以及将所述第二贯穿通路与所述第三层级装置裸片囊封于第...

【专利技术属性】
技术研发人员：余振华，苏安治，陈威宇，陈英儒，林宗澍，张进传，陈宪伟，吴伟诚，叶德强，黄立贤，吴集锡，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71