一种单晶硅上料装置制造方法及图纸

技术编号:15888803 阅读:56 留言:0更新日期:2017-07-28 16:37
本发明专利技术公开了一种单晶硅上料装置,包括底板和第二电机,所述底板上设有熔炉本体,所述熔炉本体上设有进料口,所述进料口上设有进料斗,所述底板的上方通过安装架固定安装有第一电机,所述第一电机的输出轴的下端转动安装有转轴,所述转轴的外壁焊接有螺旋刀片,所述底板的右侧上方通过支架倾斜固定安装有主梁,所述主梁的上下两端转动安装有从动轮和主动轮,所述从动轮和主动轮的外壁套装有传送带,所述主动轮的皮带轮与第二电机的皮带轮通过皮带传动连接;该单晶硅上料装置,操作简单,上料效率高,进行强制供料,有效的防止堵塞,大大提高了生产效率。

Monocrystalline silicon charging device

The invention discloses a silicon material device, which comprises a bottom plate and a second motor, wherein the bottom plate is provided with the furnace body, the furnace body is provided with a feed inlet, the inlet is provided with a feed hopper, mounting bracket is fixedly provided with a first motor through the upper part of the bottom of the lower end of the output shaft. The first motor rotation of a rotating shaft is installed, the outer wall of the shaft is welded with a spiral blade, right above the base plate through a bracket is fixedly provided with inclined girder ends are rotatably installed on a driven wheel and a driving wheel under the main beam on the wall, set the driven wheel and a driving wheel of a conveyor belt, the the driving wheel of the belt pulley and the second motor pulley by a belt drive connection; feeding device, the silicon material has the advantages of simple operation, high efficiency, forced feeding, effectively prevent clogging greatly Improved production efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种单晶硅上料装置
本专利技术涉及单晶硅
,具体为一种单晶硅上料装置。
技术介绍
单晶硅大多是用字拉法制备。在这种方法中,单晶硅锭的生产步骤如下:往熔炉中加入多晶硅,然后将一个籽晶加入硅熔体中,以一种足够达到晶锭所希望直径的方式提拉籽晶,并在那个直径下生长单晶。当在给熔炉加料的过程中,传统的加料方式,费时费力,而且容易发生堵塞,严重影响生产效率,因此需要改进。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种单晶硅上料装置,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种单晶硅上料装置,包括底板和第二电机,所述底板上设有熔炉本体,所述熔炉本体上设有进料口,所述进料口上设有进料斗,所述底板的上方通过安装架固定安装有第一电机,所述第一电机的输出轴的下端转动安装有转轴,所述转轴的外壁焊接有螺旋刀片,所述底板的右侧上方通过支架倾斜固定安装有主梁,所述主梁的上下两端转动安装有从动轮和主动轮,所述从动轮和主动轮的外壁套装有传送带,所述主动轮的皮带轮与第二电机的皮带轮通过皮带传动连接。优选的,所述传送带的前后两侧的外部均套装有环形限位板。优选的,所述传送带的外壁设有板块,且板块至少设有八个,且板块呈等距分布设置。优选的,所述转轴的左右两侧壁上均焊接有刮板,所述刮板与进料斗的斜壁平行。优选的,所述转轴的底部套装有轴承,所述轴承的外壁通过连接杆与进料口的内壁固定焊接。优选的,所述刮板为弧线型刮板设置。与现有技术相比,本专利技术的有益效果是:该单晶硅上料装置,使用时,依次启动第一电机和第二电机,将原料放在传送带上,第二电机带动主动轮带动传送带旋转,将运料运送至进料斗的上方,下落到进料斗的内部,第一电机带动转轴带动螺旋刀片旋转为熔炉本体进行强制供料,操作简单,上料效率高,进行强制供料,有效的防止堵塞。该单晶硅上料装置,操作简单,上料效率高,进行强制供料,有效的防止堵塞,大大提高了生产效率。附图说明图1为本专利技术结构主视图;图2为本专利技术传送带结构示意图;图3为本专利技术刮板结构示意图。图中:1底板、2熔炉本体、3进料口、4进料斗、5安装架、6第一电机、7转轴、8螺旋刀片、9支架、10主梁、11从动轮、12主动轮、13传送带、14第二电机、15环形限位板、16刮板、17轴承、18连接杆、19板块。具体实施方式下面结合说明书附图和实施例,对本专利技术的具体实施例做进一步详细描述:请参阅图1-3,本专利技术提供一种技术方案:一种单晶硅上料装置,包括底板1和第二电机14,所述底板1上设有熔炉本体2,所述熔炉本体2上设有进料口3,所述进料口3上设有进料斗4,所述底板1的上方通过安装架5固定安装有第一电机6,所述第一电机6的输出轴的下端转动安装有转轴7,所述转轴7的外壁焊接有螺旋刀片8,所述底板1的右侧上方通过支架9倾斜固定安装有主梁10,所述主梁10的上下两端转动安装有从动轮11和主动轮12,所述从动轮11和主动轮12的外壁套装有传送带13,所述主动轮12的皮带轮与第二电机14的皮带轮通过皮带传动连接。具体地,所述传送带13的前后两侧的外部均套装有环形限位板15。防止原料从传送带13的前后两侧滑落。具体地,所述传送带13的外壁设有板块19,且板块19至少设有八个,且板块19呈等距分布设置。多个板块19的限位作用,防止原料顺着传送带13下滑,有利于平稳上料。具体地,所述转轴7的左右两侧壁上均焊接有刮板16,所述刮板16与进料斗4的斜壁平行。转轴7带动刮板16旋转,刮板16可刮动进料斗4的侧壁上的原料。具体地,所述转轴7的底部套装有轴承17,所述轴承17的外壁通过连接杆18与进料口3的内壁固定焊接。提高了转轴7的稳定性。具体地,所述刮板16为弧线型刮板设置。刮板16在转动时,可将进料斗4边缘的饲料推动到进料斗4的中心。该单晶硅上料装置,使用时,依次启动第一电机6和第二电机14,将原料放在传送带13上,第二电机14带动主动轮12带动传送带13旋转,将运料运送至进料斗4的上方,下落到进料斗4的内部,第一电机6带动转轴7带动螺旋刀片8旋转为熔炉本体2进行强制供料,操作简单,上料效率高,进行强制供料,有效的防止堵塞;传送带13的前后两侧的外部均套装有环形限位板15,防止原料从传送带13的前后两侧滑落;多个板块19的限位作用,防止原料顺着传送带13下滑,有利于平稳上料;转轴7带动刮板16旋转,刮板16可刮动进料斗4的侧壁上的原料;转轴7的底部套装有轴承17,轴承17的外壁通过连接杆18与进料口3的内壁固定焊接,提高了转轴7的稳定性;刮板16为弧线型刮板设置,刮板16在转动时,可将进料斗4边缘的饲料推动到进料斗4的中心。因此该单晶硅上料装置,操作简单,上料效率高,进行强制供料,有效的防止堵塞,大大提高了生产效率。以上所述,仅是本专利技术的较佳实施例而已,并非对本专利技术的技术范围作出任何限制,故凡是依据本专利技术的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰,均仍属于本专利技术的技术方案的范围内。本文档来自技高网...
一种单晶硅上料装置

【技术保护点】
一种单晶硅上料装置,包括底板(1)和第二电机(14),所述底板(1)上设有熔炉本体(2),所述熔炉本体(2)上设有进料口(3),其特征在于:所述进料口(3)上设有进料斗(4),所述底板(1)的上方通过安装架(5)固定安装有第一电机(6),所述第一电机(6)的输出轴的下端转动安装有转轴(7),所述转轴(7)的外壁焊接有螺旋刀片(8),所述底板(1)的右侧上方通过支架(9)倾斜固定安装有主梁(10),所述主梁(10)的上下两端转动安装有从动轮(11)和主动轮(12),所述从动轮(11)和主动轮(12)的外壁套装有传送带(13),所述主动轮(12)的皮带轮与第二电机(14)的皮带轮通过皮带传动连接。

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅上料装置,包括底板(1)和第二电机(14),所述底板(1)上设有熔炉本体(2),所述熔炉本体(2)上设有进料口(3),其特征在于:所述进料口(3)上设有进料斗(4),所述底板(1)的上方通过安装架(5)固定安装有第一电机(6),所述第一电机(6)的输出轴的下端转动安装有转轴(7),所述转轴(7)的外壁焊接有螺旋刀片(8),所述底板(1)的右侧上方通过支架(9)倾斜固定安装有主梁(10),所述主梁(10)的上下两端转动安装有从动轮(11)和主动轮(12),所述从动轮(11)和主动轮(12)的外壁套装有传送带(13),所述主动轮(12)的皮带轮与第二电机(14)的皮带轮通过皮带传动连接。2.根据权利要求1所述的一种单晶硅上...

【专利技术属性】
技术研发人员:袁荣张巍费凌翔吴倩倩王涛王静周海燕
申请(专利权)人:芜湖中科智捷信息科技有限责任公司
类型:发明
国别省市:安徽,34

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