再装填装置及使用了该再装填装置的硅原料的熔解方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种不仅能够可靠地进行原料的再装填，而且能够在之后的原料熔解工序中提高原料的加热效率的再装填装置以及使用了该再装填装置的电力削减效果高的硅原料的熔解方法。再装填装置（20）具有装料管（21）、底盖（23）和轴（24），该装料管收纳硅原料（S），该底盖对装料管的下端开口部（21b）进行开闭，该轴将底盖支承为能够升降。底盖包括锥部（23a）和底板部（23b），该锥部是圆锥形状的，构成装料管的内侧底面，该底板部是平坦的，构成装料管的外侧底面，锥部由石英玻璃构成，底板部由耐热性比锥部高的材料构成。底盖通过下降到比下端开口部靠下方处，使下端开口部敞开，使装料管内的硅原料落下。

Reloading device and method for melting silicon material using the same

The present invention provides a reliable raw materials can not only refill, and can melt method and filling device to improve heating efficiency of raw materials in the process of melting and reduction effect of the silicon power reloading device in high use of. Reloading device (20) has a filling tube (21) and a bottom cover (23) and a shaft (24), the filling tube containing silicon raw material (S), the bottom cover of lower end of the loading pipe opening part (21b) for opening and closing, the axis of the bottom cover support to lift. The bottom cover includes a cone (23a) and bottom plate (23B), the cone is a cone shape, form the bottom inside the loading pipe, the bottom plate is flat, constitute the outer bottom surface of the loading pipe, cone composed of quartz glass, a bottom plate made of heat-resistant high ratio of cone material. The bottom cover is lowered to a lower opening than the lower opening so that the lower end opening is opened so that the silicon material in the charging pipe falls.

【技术实现步骤摘要】
再装填装置及使用了该再装填装置的硅原料的熔解方法
本专利技术涉及在基于直拉单晶制造法（以下称为CZ法）进行的硅单晶的制造工序中使用的硅原料的再装填装置及使用了该再装填装置的硅原料的熔解方法。
技术介绍
作为基于CZ法的硅单晶的制造方法，已知有多提拉法（マルチプリング）（例如参照专利文献1）。在多提拉法中，在提拉硅单晶后，向同一石英坩埚内追加供给多晶硅等原料并进行熔解，从获得的硅熔液中进行硅单晶的提拉，重复这种原料供给工序和单晶提拉工序，由此，从一个石英坩埚中制造多根硅单晶锭。根据多提拉法，能够降低包含石英坩埚的原价在内的每一根单晶锭的制造成本。并且，由于能够降低将腔室解体来更换石英坩埚的频率，所以能够使作业效率提高。在多提拉法中，使用用于追加供给原料的工具即再装填装置。例如，专利文献1中记载了一种再装填装置，在由石英构成的筒体的下端设有双扇对开式的底板，底板由钼构成。将收纳有灯泡（ランプ）状原料的筒体以利用线材悬吊的状态配置于腔室内的坩埚的上方，将底板打开，由此将灯泡状原料向坩埚内投入。并且，专利文献2中记载了一种再装填装置，具备由石英玻璃构成的圆筒状的料斗主体和对料斗主体的下端开口本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种再装填装置，其特征在于，具有装料管、底盖和轴，前述装料管收纳硅原料，前述底盖对前述装料管的下端开口部进行开闭，前述轴将前述底盖支承为能够升降，前述底盖包括锥部和底板部，前述锥部构成前述装料管的内侧底面，前述锥部是圆锥形状的，前述底板部构成前述装料管的外侧底面，前述底板部是平坦的，前述锥部由石英玻璃构成，前述底板部由耐热性比前述锥部高的材料构成，前述底盖通过下降到比前述下端开口部靠下方处，使前述下端开口部敞开，使前述装料管内的前述硅原料落下。

【技术特征摘要】
2016.01.05 JP 2016-0003671.一种再装填装置，其特征在于，具有装料管、底盖和轴，前述装料管收纳硅原料，前述底盖对前述装料管的下端开口部进行开闭，前述轴将前述底盖支承为能够升降，前述底盖包括锥部和底板部，前述锥部构成前述装料管的内侧底面，前述锥部是圆锥形状的，前述底板部构成前述装料管的外侧底面，前述底板部是平坦的，前述锥部由石英玻璃构成，前述底板部由耐热性比前述锥部高的材料构成，前述底盖通过下降到比前述下端开口部靠下方处，使前述下端开口部敞开，使前述装料管内的前述硅原料落下。2.根据权利要求1所述的再装填装置，其特征在于，前述底板部包含从石墨、钨及钼中选择的至少一个材料。3.根据权利要求1或2所述的再装填装置，其特征在于，由前述锥部和前述底板部包围的前述底盖的内部为空腔。4.根据权利要求1或2所述的再装填装置，其特征在于，在由前述锥部和前述底板部包围的前述底盖的内部填充有碳纤维。5.根据权利要求1或2所述的再装填装置，其特征在于，在由前述锥部和前述底板部包围的前述底盖的内部设有多层构造体，该多层构造体是绝热材料层和空腔层交替地层叠的多层构造体，前述绝热材料层包含从石墨、钨及钼中选择的至少一个材料。6.根据权利要求1或2所述的再装填装置，其特征在于，在由前述锥部和前述底板部包围的前述底盖的内部设有多层构造体，该多层构造体是第一绝热材料层和第二绝热材料层交替地层叠的多层构造体，前述第一绝热材料层包含从石墨、钨及钼中选择的至少一个材料，前述第二绝热材料层由碳纤维构成。7.一种硅原料的熔解方法，是使用了再装填装置的硅原料的熔解方法，其特征在于，包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：金原崇浩，宗实贤二，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP