引线架及其制造方法技术

提供一种引线架，包括：成为半导体装置的单个区域；及外框部，从周边对所述单个区域进行支撑。所述外框部的厚度大于所述单个区域的厚度。

Lead frame and manufacturing method thereof

A lead frame is provided including: a single region that is a semiconductor device; and an outer frame supporting the individual region from the periphery. The thickness of the outer frame is greater than the thickness of the individual area.

【技术实现步骤摘要】
引线架及其制造方法
本专利技术涉及一种引线架及其制造方法。
技术介绍
现有技术中熟知的有一种被称为QFN(QuadFlatNon-leadedpackage)的无引线半导体装置。QFN型半导体装置例如可通过将半导体芯片安装在引线架上并由树脂密封后再进行单片化而形成。QFN型半导体装置所使用的引线架具有最后成为制品(半导体装置)的区域以及最后被除去而不成为制品(半导体装置)的区域。专利文献1：(日本)特开2014-44980号公报
技术实现思路
然而，在从前的引线架中，最后成为制品(半导体装置)的区域和最后被除去而不成为制品(半导体装置)的区域具有相同的厚度。为此，如果为了对半导体装置进行薄型化而对整个引线架的板厚进行薄型化，则刚性可能会下降进而导致产生变形。所以进行了如下研讨，即，通过在引线架本身的形状方面想办法或采用更硬的其他材料等确保刚性，以对引线架整体的板厚进行薄型化。但是，如果对引线架的形状或材料进行了变更，则存在着会对所制成的半导体装置的性能产生影响的情况。所以这样的变更实际上并不容易，结果还是难以在维持刚性的前提下对引线架板的厚进行薄型化。本专利技术是鉴于上述问题而提出的，其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种引线架，包括：成为半导体装置的单个区域；及外框部，从所述单个区域的周边对所述单个区域进行支撑，其中，所述外框部的厚度大于所述单个区域的厚度。

【技术特征摘要】
2015.10.23 JP 2015-2093491.一种引线架，包括：成为半导体装置的单个区域；及外框部，从所述单个区域的周边对所述单个区域进行支撑，其中，所述外框部的厚度大于所述单个区域的厚度。2.如权利要求1所述的引线架，其中：所述单个区域包括由密封树脂覆盖的被覆区域，在所述被覆区域内形成包括多个凹部的凹凸部，所述多个凹部的每一个的平面形状为圆形或多边形，该圆形的直径为0.020mm以上且0.060mm以下，该多边形的外接圆的直径为0.020mm以上且0.060mm以下，及在将所述凹凸部形成于平面的情况下，所述凹凸部的表面积相对于所述平面的表面积的比为1.7以上。3.如权利要求2所述的引线架，其中：所述被覆区域包括与金属线连接的连接区域，及所述凹凸部形成在所述连接区域内。4.如权利要求2所述的引线架，其中：对所述凹凸部的表面实施镀膜，及所述凹凸部的表面积为所述凹凸部的所述镀膜表面的面积。5.一种引线架，包括：成为半导体装置的多个单个区域；外框部，具有框架形状并对所述多个单个区域进行包围和支撑；及阻隔条，与所述外框部连接并位于所述外框部内的所述多个单个区域之间，其中，所述外框部的厚度大于所述多个单个区域的厚度。6.如权利要求5所述的引线架，其中：所述外框部的厚度大于所述阻隔条的厚度。7.如权利要求5所述的引线架，其中：所述多个单个区域的每一个包括由密封树脂覆盖的被覆区域，在所述多个单个区域的每一个的所述被覆区域内形成包括多个凹部的凹凸部，所述多个凹部的每一个的平面形状为圆形或多边形，该圆形的直径为0.020mm以上且0.060mm以下，该多边形的外接圆的直径为0.020mm以上且0.060mm以下，及在将所述凹凸部形成于平面的情况下，所述凹凸部的表面积相对于所述平面的表面积的比为1.7以上。8.如权利要求7所述的引线架，其中：所述多个单个区域的每一个的所述被覆区域包括与金属线连接的连接区域，及所述凹凸部形成在所述连接区域内。9.如权利要求7所述的引线架，其中：对所述凹凸部的表面实施镀膜，及所述凹凸部的表面积为所述凹凸部的所述镀膜表面的面积。10.如权利要求5所述的引线架，还包括：多个支撑条，每个支撑条分别设置于所述多个单个区域的一个单个区域，并与所述外框部和所述阻隔条中的至少一个连接，其中，所述外框部的厚度大于所述多个支撑条的厚度。11.如权利要求5所述的引线架，其中：所述外框部的厚度等于所述阻隔条的厚度。12.一种半导体装置，包括；引线架，包括引线；半导体芯片，安装于所述引线架；及密封树脂，对所述引线架和所述半导体芯片进行密封，其中，在所述引线的表面形成包括多个凹部的凹凸部，其中，所述多个凹部的每一个的平面形状为圆形或多边形，该圆形的直径为0.020mm以上且0.060mm以下，该...

【专利技术属性】
技术研发人员：林真太郎，
申请(专利权)人：新光电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP