一种在多层陶瓷电路加工过程中抑制生瓷变形的工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种在多层陶瓷电路加工过程中抑制生瓷变形的工艺方法，包括步骤：首先对生瓷进行脱膜、老化，再对老化后的生瓷二次贴膜，然后采用常规的冲孔、填孔、印刷、脱膜、叠层、压层、烧结、分片、测试/检验的多层陶瓷电路工艺进行加工。该方法对生瓷进行脱膜、老化，消除流延的残余应力，让生瓷变形到位，再对老化后的生瓷二次贴膜后进行后续加工，将生瓷形变率从传统的0.06％以上降低到0.03％以下，有效解决多层陶瓷电路层间叠层对位精度差的问题，且与现有技术方法相比操作简单，制造成本低。

Process for suppressing deformation of porcelain during processing of multilayer ceramic circuit

The invention discloses a method, a suppression of green ceramic deformation in the multilayer ceramic circuit process comprises the following steps: firstly, to porcelain film, aging, the green ceramic two film after aging, and then by conventional punching, hole filling, printing, film, laminated and laminated and sintering, slice, ceramic multilayer circuit technology test for processing. By removing the film, the method of aging porcelain, eliminate the casting residual stress, make porcelain deformation in place, and then subsequent processing of two porcelain film after aging, the students from the traditional porcelain deformation rate above 0.06% is reduced to less than 0.03%, effectively solve the laminated precision ceramic multilayer circuit among the problems, and compared with the existing technique has the advantages of simple operation, low manufacturing cost.

【技术实现步骤摘要】
一种在多层陶瓷电路加工过程中抑制生瓷变形的工艺方法
本专利技术属于陶瓷电路制造领域，具体涉及一种在多层陶瓷电路加工过程中抑制生瓷变形的工艺方法。
技术介绍
多层共烧陶瓷电路基板的常规制作工艺是：1)按照设计图形，分别在各层生瓷上制作导体图形、导体通孔、腔体等，2)将制作好导体图形、导体通孔和腔体的生瓷按照顺序叠层，然后通过加热加压的方法将其压制成致密的生瓷块，3)对压制好的生瓷块进行烧结，使生瓷与导体实现共烧，最终形成多层共烧陶瓷电路基板。由于生瓷大多是通过流延制得，因此在生瓷与对其支撑作用的膜带(Mylar膜)之间会有残余应力，在经历冲孔、填孔、印刷、脱膜(脱去Mylar膜)等工序以后往往会出现较大的变形，且这种变形具有区域随机分布和变形量各层不一的特点，导致层间的叠层对位精度变差，尤其对于元件/基板的射频性能产生不利影响，产品性能偏离，成品率低。现有技术中采用的方法是将各层生瓷粘接在一个金属硬质边框上，通过固定的方式限制生瓷的变形，但这种方法需要给每一张生瓷配置一个金属边框，导致了工艺过程中半成品转移及储存的巨大负担，且粘贴边框所需的区域也降低了生瓷的有效利用率，导致生产效率降低本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在多层陶瓷电路加工过程中抑制生瓷变形的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：首先对生瓷进行脱膜、老化，再对老化后的生瓷二次贴膜，然后采用常规的冲孔、填孔、印刷、脱膜、叠层、压层、烧结、分片、测试/检验的多层陶瓷电路工艺进行加工。

【技术特征摘要】
1.一种在多层陶瓷电路加工过程中抑制生瓷变形的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：首先对生瓷进行脱膜、老化，再对老化后的生瓷二次贴膜，然后采用常规的冲孔、填孔、印刷、脱膜、叠层、压层、烧结、分片、测试/检验的多层陶瓷电路工艺进行加工。2.根据权利要求1所述的在多层陶瓷电路加工过程中抑制生瓷变形的工艺方法，其特征在于，所述老化是在40～80℃下干燥20～40min，或者在干燥环境中自然放置8h以上。3.根据权利要求1所述的在多层陶瓷电路加工过程中抑制生瓷变形的工艺方法，其特征在于，所述二次贴膜为单面具有低粘性的有机膜片。4.根据权利要求3所述的在多层陶瓷电路加工过程中抑制生瓷变形的工艺方法，其特征在于，所述二次贴膜的有机膜片厚度为30μm～100μm，单面涂敷厚度为0.5um～...

【专利技术属性】
技术研发人员：岳帅旗，刘志辉，张刚，王娜，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十九研究所，
类型：发明
国别省市：四川,51