DBC生产用铜片氧化治具制造技术

本实用新型专利技术属于微电子加工设备技术领域，具体涉及一种DBC生产用铜片氧化治具。本氧化治具包括形成有支撑平面的呈框架结构的支撑框，所述支撑框的内沿尺寸小于待氧化铜片的外沿尺寸；所述支撑框的中部设置有支撑梁；所述支撑框的左右两侧分别设置有将所述支撑框抬高的支撑立板，所述支撑立板的底端沿边缘向外弯折形成隔绝平板；所述支撑框的前后两侧分别设置有挡板，所述挡板的底端位置高于所述支撑立板的底端位置。本氧化治具能够使铜片表面均匀氧化，去除氧化时的边缘效应，并且能够避免铜片高温变软坍塌的变形问题。

【技术实现步骤摘要】
DBC生产用铜片氧化治具
本技术属于微电子加工设备
，具体涉及一种DBC生产用铜片氧化治具。
技术介绍
DBC(覆铜陶瓷基板)主要应用到微电子器件中，目前多数采用的是覆铜氧化铝陶瓷基板和覆铜氮化铝陶瓷基板。但无论哪种陶瓷的覆铜基板，陶瓷覆铜烧结前铜片都需要进行预氧化处理，铜片表面氧化生成一定氧化亚铜，然后将氧化好的铜片与瓷片摆好送至烧结炉内，在1065～1083的温度下铜表面氧化亚铜与氧生成共晶液并与陶瓷反应达到陶瓷覆铜的目的，其中铜片表面氧化亚铜的量直接影响共晶液形成的多少，从而影响共晶液与陶瓷的反应，最终影响陶瓷覆铜的结果，所以铜片的氧化状态对DBC陶瓷基板十分重要。目前，铜片主要采用前后条状物支撑、下面通氧氧化铜片的氧化工艺，其存在以下问题：1、铜片下表面靠近设备下通氧管，气流不均匀，表面氧化层厚度不均匀；2、铜片左右两边无遮挡，底部氧气往上窜，形成严重的边缘效应，铜片非烧结面边缘氧化过重烧结时容易出现疙瘩融化现象；3、上下氧气连通交换，铜片上下两面氧化无法独立精确控制；4、铜片高温变软，四周固定不全，铜片氧化后变形严重。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本技术的目的在于提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
DBC生产用铜片氧化治具，其特征在于：包括形成有支撑平面的呈框架结构的支撑框(1)，所述支撑框(1)的内沿尺寸小于待氧化铜片的外沿尺寸；所述支撑框(1)的中部设置有支撑梁(2)；所述支撑框(1)的左右两侧分别设置有将所述支撑框(1)抬高的支撑立板(3)，所述支撑立板(3)的底端沿边缘向外弯折形成隔绝平板(4)；所述支撑框(1)的前后两侧分别设置有挡板(5)，所述挡板(5)的底端位置高于所述支撑立板(3)的底端位置。

【技术特征摘要】
1.DBC生产用铜片氧化治具，其特征在于：包括形成有支撑平面的呈框架结构的支撑框(1)，所述支撑框(1)的内沿尺寸小于待氧化铜片的外沿尺寸；所述支撑框(1)的中部设置有支撑梁(2)；所述支撑框(1)的左右两侧分别设置有将所述支撑框(1)抬高的支撑立板(3)，所述支撑立板(3)的底端沿边缘向外弯折形成隔绝平板(4)；所述支撑框(1)的前后两侧分别设置有挡板(5)，所述挡板(5)的底端位置高于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：占湘湘，岑福星，林晓光，赵建光，
申请(专利权)人：南京中江新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32