半导体制造设备及用于处理晶圆的方法技术

本发明专利技术的实施例提供了一种半导体制造设备，包括处理室、至少一个反射器和至少一个电磁波发射器件。反射器存在于处理室中。在处理室中，电磁波发射器件存在于反射器与晶圆之间。电磁波发射器件配置为向晶圆发射电磁波光谱。关于电磁波光谱，反射器具有对于Al2O3的相对反射率，并且反射器的相对反射率在从约70％至约120％的范围内。本发明专利技术的实施例还提供了一种用于处理晶圆的方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体制造设备及用于处理晶圆的方法
本专利技术的实施例涉及半导体领域，更具体地涉及半导体制造设备及用于处理晶圆的方法。
技术介绍
本专利技术通常涉及半导体制造设备。在半导体制造工艺中，进行若干过程以处理晶圆。在这些过程中，涉及光处理的应用。通常，光处理包括闪光退火(flashannealing)、紫外线(UV)固化以及通过红外线(IR)加热等的应用。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种半导体制造设备，包括：处理室；至少一个反射器，存在于所述处理室中；以及至少一个电磁波发射器件，在所述处理室中存在于所述反射器与晶圆之间，所述电磁波发射器件配置为向所述晶圆发射电磁波光谱，其中，关于所述电磁波光谱，所述反射器具有对于Al2O3的相对反射率，并且所述反射器的相对反射率在从70％至120％的范围内。本专利技术的实施例还提供了一种半导体制造设备，包括：处理室；电磁波发射器件，存在于所述处理室中，所述电磁波发射器件配置为向晶圆发射电磁波光谱；以及反射器，存在于所述电磁波发射器件的与所述晶圆相对的侧部处，其中，关于所述电磁波光谱，所述反射器具有对于Al2O3的相对漫反射率，并且所述反射器的相对漫本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体制造设备，包括：处理室；至少一个反射器，存在于所述处理室中；以及至少一个电磁波发射器件，在所述处理室中存在于所述反射器与晶圆之间，所述电磁波发射器件配置为向所述晶圆发射电磁波光谱，其中，关于所述电磁波光谱，所述反射器具有对于Al2O3的相对反射率，并且所述反射器的相对反射率在从70％至120％的范围内。

【技术特征摘要】
2016.01.05 US 14/988,6741.一种半导体制造设备，包括：处理室；至少一个反射器，存在于所述处理室中；以及至少一个电磁波发射器件，在所述处...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘信志，黄嘉宏，陈仁仲，曾同庆，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71