单晶圆湿式处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供的单晶圆湿式处理装置，用于防止晶圆边缘的底面遭受化学液或腐蚀性气体的腐蚀，其包括旋转夹头、背洗座及环形气体喷嘴。所述背洗座包括环形平面，所述环形平面与所述晶圆之底面具有预定间距。所述环形气体喷嘴开设于所述背洗座的所述环形平面上，并与所述晶圆边缘距离预定距离，且喷出气体的方向与所述环形平面夹预定夹角，用以在所述环形平面与所述晶圆的所述底面之间形成气墙。所述预定间距介于2mm至5mm，所述预定距离介于10mm至15mm，所述预定夹角介于30度至45度，可得最佳的晶圆底面保护效果。

【技术实现步骤摘要】
单晶圆湿式处理装置
本专利技术是关于一种晶圆处理装置，尤指一种适用于用于防止晶圆边缘的底面腐蚀的单晶圆湿式处理装置。
技术介绍
一般微电子元件是制造于半导体晶圆的正面或装置面。在半导体晶圆的工艺中，需要对半导体晶圆的正面进行多道工艺处理步骤，例如对晶圆的表面喷洒处理液(例如化学品或去离子水等)，以进行晶圆的蚀刻、清洗等湿式处理程序。请参照图1，图1为现有的旋转蚀刻清洗机台的剖面示意图。现有的旋转蚀刻清洗机台10包括一蚀刻腔体12，蚀刻腔体12中设有一载台14用以承载及固定一晶圆W，载台14下方的转轴16可依各种工艺参数的设定需求，进行高低速旋转，进而带动晶圆W旋转，蚀刻液19则由晶圆W上方的液体供给单元18流下，以对晶圆W的正面进行蚀刻。再进行上述蚀刻时，如果是在晶圆W低转速的工艺参数条件下，则晶圆W正面的化学液膜或腐蚀性气体，有可能因旋转离心力降低，会由晶圆W边缘流到晶圆W的底面及载台14上，进而产生腐蚀现象，而且在晶圆W底面形成腐蚀污染物，例如金属微粒、残留物或薄膜等等。若上述物质未移除，将会破坏或污染晶圆正面的元件。举例来说，某些用于工艺的金属材质，例如铜，可能自晶圆底本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单晶圆湿式处理装置，用于防止晶圆边缘的底面腐蚀，其特征在于，包括：旋转夹头，用于固持并旋转一晶圆；背洗座，设置于所述旋转夹头周围，包括环形平面，所述环形平面与所述晶圆之底面具有预定间距，背洗座于所述环形平面之外周缘处为直角结构；以及环形气体喷嘴，开设于所述背洗座的所述环形平面上，并与所述晶圆边缘相距预定距离，且喷出气体的方向与所述环形平面夹预定夹角，用以在所述环形平面与所述晶圆的所述底面之间形成气墙；其中所述预定间距介于2mm至5mm，所述预定距离介于10mm至15mm，所述预定夹角介于30度至45度。

【技术特征摘要】
1.一种单晶圆湿式处理装置，用于防止晶圆边缘的底面腐蚀，其特征在于，包括：旋转夹头，用于固持并旋转一晶圆；背洗座，设置于所述旋转夹头周围，包括环形平面，所述环形平面与所述晶圆之底面具有预定间距，背洗座于所述环形平面之外周缘处为直角结构；以及环形气体喷嘴，开设于所述背洗座的所述环形平面上，并与所述晶圆边缘相距预定距离，且喷出气体的方向与所述环形平面夹预定夹角，用以在所述环形平面与所述晶圆的所述底面之间形成气墙；其中所述预定间距介于2mm至5mm，所述预定距离介于10mm至15mm，所述预定夹角介于30度至45度。2.根据权利要求1所述的单晶圆湿式处理装置，其特征在于，所述环形平面之外周缘约等于所述晶圆边缘，且所述直角结构约切齐所述晶圆边缘。3.根据权利要求1所述的单晶圆湿式处理装置，其特征在于，所述预定间距为3mm。4.根据权利要求1所述的单晶圆湿式处理装置，其特征在于，所述预定距...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴宗恩，罗翔隆，徐子正，
申请(专利权)人：弘塑科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71