电光器件制造技术

本实用新型专利技术涉及一种电光器件，包括：复合衬底，包括硅衬底层以及键合在所述硅衬底层上的蓝宝石衬底层；开关结构层，由生长在所述蓝宝石衬底层上的氮化镓晶体形成；以及器件主体结构，包括键合于所述硅衬底层上的电光晶体层。上述电光器件，由于采用氮化镓基晶体管的开关结构层，与Si基晶体管相比，可以降低待机功耗并且可以提高工作频率。上述电光器件中的开关结构层，采用蓝宝石衬底层与硅衬底层键合而成的复合衬底，这样可以在蓝宝石衬底层上生长高质量的氮化镓晶体，从而有利于获得高质量的开关结构层，进而有利于制造出性能优异的电光器件；同时该复合衬底的硅衬底层，可以满足大尺寸主流生产线的需求，与现有的硅衬底工艺兼容。

Electrooptic device

The utility model relates to an electro-optic device includes a composite substrate, comprising a silicon substrate layer and the sapphire substrate bonding layer on the silicon substrate layer; switch structure layer formed by the crystal growth of gallium nitride on the sapphire substrate; and the device body structure, including electro-optic crystal layer bonding to the the silicon substrate layer. Because of the switch structure layer of the gallium nitride based transistor, the electro-optical device can reduce the standby power consumption and increase the operating frequency compared with the Si based transistor. The switch structure layer of the electro-optic devices, composite substrate using sapphire substrate and silicon substrate layer bonding, which can grow high quality GaN on sapphire substrate layer, so as to obtain the switch structure layer of high quality, which is conducive to create excellent performance of electro-optical devices and the composite; the substrate silicon substrate layer, can meet the demand of large size mainstream production line, compatible with the existing technique of silicon substrate.

【技术实现步骤摘要】
电光器件
本技术涉及半导体器件
，特别是涉及一种电光器件。
技术介绍
氮化镓材料的研究与应用是全球半导体研究的热点，是研制半导体器件的新型半导体材料，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。氮化镓具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力，在半导体器件领域有着广阔的应用前景。例如氮化镓基晶体管。形成氮化镓基的半导体器件，必须先选择一种衬底来形成氮化镓层。目前有的采用硅(Si)衬底，有的采用蓝宝石衬底，有的采用碳化硅(SiC)衬底，亦有采用GaN衬底。蓝宝石衬底、碳化硅衬底、以及GaN衬底，它们在成本、供应量及尺寸方面都有缺点。虽然硅衬底是最吸引的低成本衬底，但使用也有困难，生长的氮化镓品质不高。例如会形成瑕疵及变形，这是因为硅衬底与氮化镓层之间在晶格常数和热膨胀系数方面本质上不匹配。目前，无论哪一种均无法满足的越来越高的需求，衬底性能还有待于进一步提高，以有利于形成低成本、高质量的氮化镓基晶体管。
技术实现思路
基于此，有必要针对现有的氮化镓基晶体管成本高、质量差的问题，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电光器件，其特征在于，包括：复合衬底，包括硅衬底层以及键合在所述硅衬底层上的蓝宝石衬底层；开关结构层，由生长在所述蓝宝石衬底层上的氮化镓晶体形成；以及器件主体结构，包括键合于所述硅衬底层上的电光晶体层。

【技术特征摘要】
1.一种电光器件，其特征在于，包括：复合衬底，包括硅衬底层以及键合在所述硅衬底层上的蓝宝石衬底层；开关结构层，由生长在所述蓝宝石衬底层上的氮化镓晶体形成；以及器件主体结构，包括键合于所述硅衬底层上的电光晶体层。2.根据权利要求1所述的电光器件，其特征在于，所述电光晶体层由钽酸锂晶体制成。3.根据权利要求1所述的电光器件，其特征在于，所述电光晶体层由铌酸锂晶体制成。4.根据权利要求1所述的电光器件，其特征在于，所述复合衬底还包括生长在所述蓝宝石衬底层上的硅膜；所...

【专利技术属性】
技术研发人员：林岳明，
申请(专利权)人：苏州爱彼光电材料有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32