一种显示基板及其制备方法、显示面板技术

本发明专利技术的实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示面板，涉及显示技术领域，可使银胶不易扩散到其周边的走线区域，有效避免银胶与其周边的走线短路的问题。该显示基板包括衬底，置于衬底上的至少一个银胶点和走线；银胶点和与其靠近的走线之间具有凸起结构，用于阻挡银胶扩散至走线的区域；以衬底的设置银胶点和走线的表面为参考面，凸起结构的上表面与参考面之间的高度大于银胶点的上表面与参考面之间的高度。或者，该显示基板包括衬底，设置于衬底上的银胶点和走线；银胶点包括金属图案层和设置于金属图案层远离衬底一侧的透明导电图案层；金属图案层包括间隔设置的多个第一条形镂空结构，第一条形镂空结构沿其靠近的走线的方向延伸。

Display substrate, preparation method thereof and display panel

The embodiment of the invention provides a display substrate and a preparation method thereof and a display panel, relates to the technical field of display, the silver paste is not easy to spread to the surrounding area to walk the line, effectively avoid the silver colloid and its surrounding wire short circuit problem. The display substrate includes a substrate, at least one silver point in the substrate and wire; each convex structure is between silver and close to the line, for blocking the silver diffusion to go line region; to set the silver substrate and point line surface as the reference surface, between the upper surface with the reference surface of the protruding structure height is greater than between the upper surface and the reference plane at the height of the silver colloid. Or, the display substrate includes a substrate, silver glue dots arranged on a substrate and wire; silver glue includes the transparent conductive pattern layer and a metal pattern is arranged on the metal pattern layer away from the substrate layer; the metal pattern layer comprises a plurality of first strip hollow structure arranged at intervals, the first strip extends along the hollow structure near the line direction.

【技术实现步骤摘要】
一种显示基板及其制备方法、显示面板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示面板。
技术介绍
TFT-LCD(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，薄膜晶体管液晶显示器)具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特点，而被广泛的应用。液晶显示面板包括显示基板和对盒基板，通常会在对盒基板上设置防静电结构，采用点银胶工艺使防静电结构与显示基板侧的银胶点连接，而该银胶点与接地线电连接，从而达到防静电的目的。目前，如图1所示，银胶点10由两层结构构成，一层为金属图案层101，另一层为透明导电图案层102，透明导电图案层102设置于显示基板的外表面，且透明导电图案层102与金属图案层101通过位于二者之间的钝化层20上的过孔电连接。然而，由于涂覆工艺中，银胶30具有一定的流动性，会出现银胶30扩散到其周边走线区域的现象，同时由于在使用、运输和信赖性测试中，钝化层20往往会出现破裂、穿孔等现象，因此就会出现银胶30与其周边的走线40的短路现象，引起显示不良。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示面板，可使银胶不易扩散到其周边的走线区域，从而可有效避免银胶与其周边的走线短路的问题。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：第一方面，提供一种显示基板，包括衬底，设置于所述衬底上的银胶点和走线，所述银胶点的个数为至少一个；所述银胶点和与其靠近的所述走线之间具有凸起结构；以所述衬底的设置所述银胶点和所述走线的表面为参考面，所述凸起结构远离所述衬底的上表面与所述参考面之间的高度，大于所述银胶点远离所述衬底的上表面与所述参考面之间的高度；所述凸起结构用于阻挡银胶扩散至所述走线的区域。优选的，在所述银胶点和所述凸起结构之间，还具有凹陷结构；以所述衬底的设置所述银胶点和所述走线的表面为参考面，所述凹陷结构靠近所述衬底的下表面与所述参考面之间的高度，小于所述银胶点远离所述衬底的上表面与所述参考面之间的高度。优选的，所述显示基板还包括设置于所述衬底上的薄膜晶体管和像素电极；所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极；所述凸起结构包括多层图案层，所述多层图案层中的至少部分图案层与所述栅极同层设置，和/或与所述有源层同层设置，和/或与所述源极和所述漏极设置，和/或与所述像素电极同层设置。进一步优选的，所述显示基板还包括公共电极和钝化层；所述多层图案层中的至少部分图案层与所述栅极同层设置，和/或与所述有源层同层设置，和/或与所述源极和所述漏极设置，和/或与所述像素电极同层设置，和/或与所述公共电极同层设置。进一步优选的，所述凸起结构包括第一图案层、所述栅绝缘层、第二图案层、第三图案层、第四图案层、钝化层、以及第五图案层。其中，所述第一图案层与所述栅极同层；所述第二图案层与所述有源层同层；所述第三图案层与所述源极和所述漏极同层；第四图案层与所述像素电极同层；所述第五图案层与所述公共电极同层。进一步的，所述银胶点包括金属图案层和透明导电图案层；所述金属图案层与所述源极和所述漏极、栅极中的至少一者同层，所述透明导电图案层与像素电极、公共电极中的中的至少一者一者同层。优选的，所述凹陷结构的下表面与所述参考面处于同一平面。第一方面提供的显示基板，通过在银胶点和其靠近的走线之间设置凸起结构，可在点银胶工艺后，银胶被凸起结构阻挡而不易跨越凸起结构扩散到走线的区域，从而可有效避免银胶与其周边的走线短路的问题。第二方面，提供一种显示基板，包括衬底，设置于所述衬底上的银胶点和走线；所述银胶点包括金属图案层和设置于所述金属图案层远离所述衬底一侧的透明导电图案层；所述金属图案层包括间隔设置的多个第一条形镂空结构，所述第一条形镂空结构沿其靠近的所述走线的方向延伸。优选的，金属图案层和透明导电图案层之间设置有绝缘层；所述绝缘层包括间隔设置的多个第二条形镂空结构，所述第二条形镂空结构与所述第一条形镂空结构一一对应，且所述第二条形镂空结构在衬底上的正投影与所述第一条形镂空结构在所述衬底上的正投影重叠。优选的，所述银胶点和与其靠近的所述走线之间具有凸起结构；以所述衬底的设置所述银胶点和所述走线的表面为参考面，所述凸起结构远离所述衬底的上表面与所述参考面之间的高度，大于所述银胶点远离所述衬底的上表面与所述参考面之间的高度；所述凸起结构用于阻挡银胶扩散至所述走线的区域。进一步优选的，在所述银胶点和所述凸起结构之间，还具有凹陷结构；以所述衬底的设置所述银胶点和所述走线的表面为参考面，所述凹陷结构靠近所述衬底的下表面与所述参考面之间的高度，小于所述银胶点远离所述衬底的上表面与所述参考面之间的高度优选的，所述金属图案层与所述源极和所述漏极、栅极中的至少一种同层，所述透明导电图案层与像素电极、公共电极中的至少一者同层。第二方面提供的显示基板，通过将金属图案层设置为包括间隔设置的多个第一条形镂空结构，可使银胶点具有沿第一条形镂空结构的延伸方向排布的多个凹坑，从而在点银胶工艺后，银胶可沿凹坑的延伸方向流动，在此基础上，当将第一条形镂空结构的延伸方向与靠近的走线方向平行时，可使银胶不易扩散到其周边的走线区域，从而可有效避免银胶与周边的走线短路的问题。第三方面，提供一种显示面板，包括第一方面或第二方面所述的显示基板，还包括对盒基板，所述对盒基板上具有防静电结构；所述防静电结构通过银胶与所述显示基板上的银胶点电连接。优选的，所述银胶点的个数为两个，分别设置在所述显示基板的对角线的两端。优选的，所述防静电结构为透明导电膜层，所述透明导电膜层设置于对盒基板的远离所述显示基板一侧。第三方面提供的显示面板，具有与第一方面或者第二方面提供的显示基板具有相同的技术效果。第四方面，提供一种显示基板的制备方法，包括在衬底上形成银胶点和走线，所述银胶点的个数为至少一个；所述方法还包括在所述银胶点和与其靠近的所述走线之间形成凸起结构；所述凸起结构包括多层图案层，所述多层图案层中的至少部分图案层与薄膜晶体管的栅极通过同一次构图工艺形成，和/或与所述薄膜晶体管的有源层通过同一次构图工艺形成，和/或与所述薄膜晶体管的源极和漏极通过同一次构图工艺形成，和/或与像素电极通过同一次构图工艺形成。其中，以所述衬底的形成所述银胶点和所述走线的表面为参考面，所述凸起结构远离所述衬底的上表面与所述参考面之间的高度，大于所述银胶点远离所述衬底的上表面与所述参考面之间的高度；所述凸起结构用于阻挡所述银胶扩散至所述走线的区域。优选的，所述方法还包括形成公共电极和钝化层；所述多层图案层中的至少部分图案层与所述栅极通过同一次构图工艺形成，和/或与所述有源层通过同一次构图工艺形成，和/或与所述源极和所述漏极通过同一次构图工艺形成，和/或与所述像素电极通过同一次构图工艺形成，和/或与所述公共电极通过同一次构图工艺形成。进一步优选的，所述凸起结构包括第一图案层、栅绝缘层、第二图案层、第三图案层、第四图案层、所述钝化层、以及第五图案层。其中，所述第一图案层与所述栅极通过同一次构图工艺形成；所述第二图案层与所述有源层通过同一次构图工艺形成；所述第三图案层与所述源极和所述漏极通过同一次构图工艺形成；所述第四图案层与所述像素电极通过同一次本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示基板，其特征在于，包括衬底，设置于所述衬底上的银胶点和走线，所述银胶点的个数为至少一个；所述银胶点和与其靠近的所述走线之间具有凸起结构；以所述衬底的设置所述银胶点和所述走线的表面为参考面，所述凸起结构远离所述衬底的上表面与所述参考面之间的高度，大于所述银胶点远离所述衬底的上表面与所述参考面之间的高度；所述凸起结构用于阻挡银胶扩散至所述走线的区域。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，包括衬底，设置于所述衬底上的银胶点和走线，所述银胶点的个数为至少一个；所述银胶点和与其靠近的所述走线之间具有凸起结构；以所述衬底的设置所述银胶点和所述走线的表面为参考面，所述凸起结构远离所述衬底的上表面与所述参考面之间的高度，大于所述银胶点远离所述衬底的上表面与所述参考面之间的高度；所述凸起结构用于阻挡银胶扩散至所述走线的区域。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，在所述银胶点和所述凸起结构之间，还具有凹陷结构；以所述衬底的设置所述银胶点和所述走线的表面为参考面，所述凹陷结构靠近所述衬底的下表面与所述参考面之间的高度，小于所述银胶点远离所述衬底的上表面与所述参考面之间的高度。3.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括设置于所述衬底上的薄膜晶体管和像素电极；所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极；所述凸起结构包括多层图案层，所述多层图案层中的至少部分图案层与所述栅极同层设置，和/或与所述有源层同层设置，和/或与所述源极和所述漏极设置，和/或与所述像素电极同层设置。4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括公共电极和钝化层；所述多层图案层中的至少部分图案层与所述栅极同层设置，和/或与所述有源层同层设置，和/或与所述源极和所述漏极设置，和/或与所述像素电极同层设置，和/或与所述公共电极同层设置。5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述凸起结构包括第一图案层、所述栅绝缘层、第二图案层、第三图案层、第四图案层、所述钝化层、以及第五图案层；其中，所述第一图案层与所述栅极同层；所述第二图案层与所述有源层同层；所述第三图案层与所述源极和所述漏极同层；第四图案层与所述像素电极同层；所述第五图案层与所述公共电极同层。6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述银胶点包括金属图案层和透明导电图案层；所述金属图案层与所述源极和所述漏极、栅极中的至少一者同层，所述透明导电图案层与像素电极、公共电极中的至少一者同层。7.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述凹陷结构的下表面与所述参考面处于同一平面。8.一种显示基板，其特征在于，包括衬底，设置于所述衬底上的银胶点和走线；所述银胶点包括金属图案层和设置于所述金属图案层远离所述衬底一侧的透明导电图案层；所述金属图案层包括间隔设置的多个第一条形镂空结构，所述第一条形镂空结构沿其靠近的所述走线的方向延伸。9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述金属图案层和所述透明导电图案层之间设置有绝缘层；所述绝缘层包括间隔设置的多个第二条形镂空结构，所述第二条形镂空结构与所述第一条形镂空结构一一对应，且所述第二条形镂空结构在衬底上的正投影与所述第一条形镂空结构在所述衬底上的正投影重叠。10.根据权利要求8或9所述的显示基板，其特征在于，所述银胶点和与其靠近的所述走线之间具有凸起结构；以所述衬底的设置所述银胶点和所述走线的表面为参考面，所述凸起结构远离所述衬底的上表面与所述参考面之间的高度，大于所述银胶...

【专利技术属性】
技术研发人员：王杨，刘庭良，黄炜赟，高山，徐元杰，臧鹏程，曹中林，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11