一种P型多晶硅沟槽结构的肖特基二极管及其制备方法技术
【技术实现步骤摘要】
一种P型多晶硅沟槽结构的肖特基二极管及其制备方法
本专利技术涉及半导体领域，更确切地说是一种P型多晶硅沟槽结构的肖特基二极管。
技术介绍
肖特基二极管以其良好的正向导通特性及快速开关速度在功率器件领域占有一席之地，但是由于其本身制作上采用金属半导体接触，其反向耐压情况不佳。现有技术中，沟槽式金属氧化物半导体结构的肖特基二极管将电场集中到了沟槽底部，提高了其他部位耗尽区的分压能力，有效的提高了器件的反向击穿电压，而在高压大电流下的正向导通电压却不是十分理想。在不影响其他参数的前提下，改善肖特基二极管高压大电流下的正向导通电压有着十分重要的意义。现有沟槽肖特基结构器件在高压大电流下的开启电压过大，仍有许多改善空间。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种P型多晶硅沟槽结构的肖特基二极管及其制备方法，其可以实现在沟槽肖特基二极管中，用沟槽式PN结的结构代替沟槽式金属氧化物半导体结构，并在不改变外延条件的情况下，可以降低器件在大电流和高温下的正向导通电压的目的，同时还能进一步提高反向击穿电压。本专利技术采用以下技术方案：一种P型多晶硅沟槽肖特基二极管，包括若干沟槽，所述沟槽...
【技术保护点】
一种P型多晶硅沟槽肖特基二极管，其特征在于，包括若干沟槽，所述沟槽内部通过多晶硅淀设满，且所述多晶硅为P型掺杂多晶硅。
【技术特征摘要】
1.一种P型多晶硅沟槽肖特基二极管，其特征在于，包括若干沟槽，所述沟槽内部通过多晶硅淀设满，且所述多晶硅为P型掺杂多晶硅。2.根据权利要求1所述的P型多晶硅沟槽肖特基二极管，其特征在于，所述沟槽设于N型外延层内。3.根据权利要求2所述的P型多晶硅沟槽肖特基二极管，其特征在于，所述N型外延层未设有沟槽的一侧设于N型基片上。4.根据权利要求3所述的P型多晶硅沟槽肖特基二极管，其特征在于，在N型外延层的一侧淀积绝缘层，且所述绝缘层淀积于N型外延层上及沟槽的顶部，形成终端区。5.根据权利要求4所述的P型多晶硅沟槽肖特基二极管，其特征在于，在N型外延层未淀积绝缘层部分及绝缘层上方淀积金属层，形...
【专利技术属性】
技术研发人员：高盼盼，代萌，顾嘉庆，
申请(专利权)人：上海格瑞宝电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。