半导体装置、倒相电路、驱动装置、车辆以及升降机制造方法及图纸

本发明专利技术的实施方式的半导体装置具备：具备第一面的SiC层；绝缘层；以及SiC层的第一面与绝缘层之间的区域，该区域含有Be(铍)、Mg(镁)、Ca(钙)、Sr(锶)、Ba(钡)之中的至少一个元素，元素的浓度峰的半值全宽为1nm以下，当将在第一面上具有未与SiC层中的Si(硅)或C(碳)之中的任一个键合的键的Si(硅)和C(碳)的面密度设定为第一面密度时，元素的面密度即第二面密度为第一面密度的1/2以下。

【技术实现步骤摘要】
本申请基于2015年3月24日申请的日本专利申请第2015-061799号和2015年12月3日申请的日本专利申请第2015-236876号主张优先权，将其全部内容援引至此。
本专利技术的实施方式涉及半导体装置、倒相电路、驱动装置、车辆以及升降机。
技术介绍
SiC(碳化硅)作为下一代半导体器件用材料备受期待。SiC与Si(硅)相比，具有带隙为3倍、击穿电场强度为约10倍、热导率为约3倍的优异物性。若充分地利用该特性，就能够实现低损耗且能进行高温动作的半导体器件。然而，例如当使用SiC来形成MIS(金属绝缘层半导体；Metal Insulator Semiconductor)结构时，存在于半导体与绝缘层之间的界面态的密度与Si相比变大。因此，有电荷迁移率降低、MISFET(金属绝缘体半导体场效应晶体管；Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管；Insulated Gate Bipolar Transistor)的导通电阻变高之类的问题。另外，例如当在SiC上设置金属电极来制造SBD(肖特本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其具备：具备第一面的SiC层；绝缘层；以及所述SiC层的所述第一面与所述绝缘层之间的区域，该区域含有Be(铍)、Mg(镁)、Ca(钙)、Sr(锶)、Ba(钡)之中的至少一个元素，所述元素的浓度峰的半值全宽为1nm以下，当将在所述第一面上具有未与所述SiC层中的Si(硅)或C(碳)之中的任一个键合的键的Si(硅)和C(碳)的面密度设定为第一面密度时，所述元素的面密度即第二面密度为所述第一面密度的1/2以下。

【技术特征摘要】
2015.03.24 JP 2015-061799;2015.12.03 JP 2015-236871.一种半导体装置，其具备：具备第一面的SiC层；绝缘层；以及所述SiC层的所述第一面与所述绝缘层之间的区域，该区域含有Be(铍)、Mg(镁)、Ca(钙)、Sr(锶)、Ba(钡)之中的至少一个元素，所述元素的浓度峰的半值全宽为1nm以下，当将在所述第一面上具有未与所述SiC层中的Si(硅)或C(碳)之中的任一个键合的键的Si(硅)和C(碳)的面密度设定为第一面密度时，所述元素的面密度即第二面密度为所述第一面密度的1/2以下。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二面密度为所述第一面密度的1/120以下。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二面密度为所述第一面密度的1/12000以上。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述峰的所述元素的浓度为5×1018cm-3以上。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述绝缘层中的所述元素的浓度为1×1018cm-3以下。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述区域为所述元素的单原子层(monoatomic layer)。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一面为相对于＜0001＞方向倾斜0度～30度的面。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一面为相对于(000-1)面倾斜0度～30度的面。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述绝缘层上还...

【专利技术属性】
技术研发人员：清水达雄，饭岛良介，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP