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本发明公开了一种P型多晶硅沟槽肖特基二极管，所述沟槽内部通过多晶硅淀设满，且所述多晶硅为P型掺杂多晶硅。本发明将传统的沟槽肖特基结构沟槽内部的氧化层和N型多晶硅的填充方式用P型多晶硅替代，达到降低大电流下开启电压的目的，通过调节多晶硅掺杂浓...
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