一种半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。包括步骤：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有若干浮栅结构，在相邻的所述浮栅结构之间形成有向下延伸至半导体衬底中的浅沟槽隔离结构；回蚀刻去除浅沟槽隔离结构中的部分隔离材料，以形成凹槽，露出浮栅结构的部分侧壁；对凹槽中暴露的浅沟槽隔离结构中的隔离材料进行离子注入，以在浅沟槽隔离结构的隔离材料中形成具有较高湿法蚀刻速率的离子注入层，其中，离子注入层的湿法蚀刻速率大于隔离材料的湿法蚀刻速率；进行湿法清洗，以去除离子注入层。本发明专利技术的方法提高了湿法蚀刻对于氧化物的蚀刻速率，有效去除了残留于浮栅结构侧壁上的氧化物，提高了器件的良率和性能。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的制造方法
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件的制造方法。
技术介绍
NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，由于NAND闪存以页为单位读写数据，所以适合于存储连续的数据，如图片、音频或其他文件数据；同时因其成本低、容量大且写入速度快、擦除时间短的优点在移动通讯装置及便携式多媒体装置的存储领域得到了广泛的应用。目前，为了提高NAND闪存的容量，需要在制备过程中提高NAND闪存的集成密度。在所述NAND闪存制备过程中，首先形成浮栅结构以及位于所述浮栅结构之间的浅沟槽隔离结构，然后执行存储单元打开(cellopen,COPEN)的步骤，所述COPEN步骤包括：干法蚀刻去除部分所述浅沟槽隔离结构中的氧化物，以露出所述浮栅结构的部分侧壁，以及ONO介质层沉积前的预清洗，以便后续制备的ONO介质层和控制栅极能和所述浮栅结构形成稳定的接触，避免由于器件尺寸减小引起接触不稳定的情况。然而当NAND闪存单元的尺寸缩小到2Xnm以下时，COPEN步骤总是遭遇氧化物在浮栅的侧壁上残留的问题，如图1中左图所示，氧化物残留的存在对控制栅极和浮栅之间的接触造成负面影响本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干浮栅结构，在相邻的所述浮栅结构之间形成有向下延伸至所述半导体衬底中的浅沟槽隔离结构；回蚀刻去除所述浅沟槽隔离结构中的部分隔离材料，以形成凹槽，露出所述浮栅结构的部分侧壁；对所述凹槽中暴露的所述浅沟槽隔离结构中的隔离材料进行离子注入，以在所述浅沟槽隔离结构的隔离材料中形成具有较高湿法蚀刻速率的离子注入层，其中，所述离子注入层的湿法蚀刻速率大于所述隔离材料的湿法蚀刻速率；进行湿法清洗，以去除所述离子注入层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干浮栅结构，在相邻的所述浮栅结构之间形成有向下延伸至所述半导体衬底中的浅沟槽隔离结构；回蚀刻去除所述浅沟槽隔离结构中的部分隔离材料，以形成凹槽，露出所述浮栅结构的部分侧壁；对所述凹槽中暴露的所述浅沟槽隔离结构中的隔离材料进行离子注入，以在所述浅沟槽隔离结构的隔离材料中形成具有较高湿法蚀刻速率的离子注入层，其中，所述离子注入层的湿法蚀刻速率大于所述隔离材料的湿法蚀刻速率；进行湿法清洗，以去除所述离子注入层。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述隔离材料包括氧化物。3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述离子注入的离子为VA族重金属元素。4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述离子注入的离子为砷离子。5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述湿法清洗为软蚀刻。6.如权利要求1所述的制造方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈亮，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31