一种防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法技术

本发明专利技术提供了一种防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法，其中将多晶硅氧化的工艺处理从在逻辑栅极刻蚀之后执行变化到在闪存单元字线刻蚀之后执行，包括：第一步骤：形成逻辑栅极多晶硅层，并执行逻辑栅极多晶硅刻蚀处理；第二步骤：形成闪存单元字线多晶硅层，并执行字线多晶硅刻蚀处理；第三步骤：对刻蚀后的逻辑栅极多晶硅层和闪存单元字线多晶硅层执行多晶硅氧化处理。在根据本发明专利技术的防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法中，通过改变多晶硅氧化的工艺步骤，不仅可以解决了闪存单元中逻辑器件的短沟道效应，而且可以消除闪存单元的浮栅以及字线多晶硅蚀刻后的残留，避免闪存功能失效。

Method for preventing split gate flash memory, floating gate and word line polysilicon residue

The invention provides a method for preventing split gate flash memory floating gate and method of word line polysilicon residue, which will process the change from the implementation of polysilicon oxidation after the logic gate etching to perform after etching in the flash unit word line comprises a first step of forming a logic gate polysilicon layer, and performs a logical gate polysilicon etching treatment; second steps: forming a flash unit word line and a polysilicon layer, polysilicon etching processing to perform word line; third steps of etching the logic gate polysilicon layer and a polysilicon layer implementation of flash memory unit word line polysilicon oxidation treatment. In according to the present invention prevent split gate flash memory floating gate and word line polysilicon residual method, through the process of polysilicon oxidation steps to change, not only can solve the short channel effect logic device flash memory unit, and can eliminate the floating gate flash memory unit and residual word line polysilicon after etching, avoid flash function failure.

【技术实现步骤摘要】
一种防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法
本专利技术涉及半导体制造领域，更具体地说，本专利技术涉及一种防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法。
技术介绍
闪存以其便捷，存储密度高，可靠性好等优点成为非挥发性存储器中研究的热点。从二十世纪八十年代第一个闪存产品问世以来，随着技术的发展和各类电子产品对存储的需求，闪存被广泛用于手机，笔记本，掌上电脑和U盘等移动和通讯设备中。闪存为一种非易变性存储器，其运作原理是通过改变晶体管或存储单元的临界电压来控制门极通道的开关以达到存储数据的目的，使存储在存储器中的数据不会因电源中断而消失，而闪存为电可擦除且可编程的只读存储器的一种特殊结构。如今，闪存已经占据了非挥发性半导体存储器的大部分市场份额，成为发展最快的非挥发性半导体存储器。一般而言，闪存为分栅结构或堆叠栅结构或两种结构的组合。分栅式闪存由于其特殊的结构，相比堆叠栅闪存在编程和擦除的时候都体现出其独特的性能优势；分栅式结构由于具有高的编程效率，字线的结构可以避免“过擦除”等优点，因此应用尤为广泛。图1所示是现有技术中的一种分栅结构存储器阵列中相邻存储单元的结构示意图。如图1所示，其为现有技术中的一种分栅结构存储器阵列中相邻存储单元的结构示意图，每个存储单元包括衬底10，形成在衬底中的逻辑区和闪存单元区，闪存单元区中形成源极12和漏极11，在所述漏极11上引出有位线20，在所述源极12上引出有源线30，以及位于所述源线30和位线20之间的字线40。为了防止字线蚀刻以后，闪存单元具有浮栅以及字线多晶硅残留，已经采取了特殊的光刻及刻蚀步骤来降低存储单元阵列的字线和位线区域的浅沟槽高度来防止多晶硅残留。在闪存产品的早期阶段，已经发现由于工艺偏移，一些多晶硅残留导致了低成品率问题。如果字线和位线发生桥接，则产品在芯片擦除操作之后会显示出整行失效，而且会出现列编程失效。因此，希望的是，提供一种能够有效的防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法。为了实现上述技术目的，根据本专利技术，提供了一种防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法，其中，将多晶硅氧化的工艺处理从在逻辑栅极刻蚀之后执行变化到在闪存单元字线刻蚀之后执行。所述的防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法包括：第一步骤：形成逻辑栅极多晶硅层，并执行栅极多晶硅刻蚀处理；第二步骤：形成闪存单元字线多晶硅层，并执行字线多晶硅刻蚀处理；第三步骤：对刻蚀后的逻辑栅极多晶硅层和闪存单元字线多晶硅层执行多晶硅氧化处理。优选地，在所述的防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法中，所述防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法用于制造闪存存储器。优选地，在所述的防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法中，所述防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法制造分栅快闪存储器存储单元。优选地，在所述的防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法中，所述分栅快闪存储器存储单元包括：提供衬底，形成在衬底中的逻辑区和闪存单元区，闪存单元区中形成源线和位线以及位于所述源线和位线之间的字线。优选地，在所述的防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法中，栅极多晶硅刻蚀处理包括：涂覆第一光刻胶，形成第一光刻胶的图案，并且利用第一光刻胶的图案对逻辑栅极多晶硅层执行刻蚀工艺。优选地，在所述的防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法中，栅极多晶硅刻蚀处理包括：涂覆第二光刻胶，形成第二光刻胶的图案，并且利用第二光刻胶的图案对闪存单元字线多晶硅层执行刻蚀工艺。优选地，在所述的防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法中，多晶硅氧化处理包括：对刻蚀后的逻辑栅极多晶硅层和闪存单元字线多晶硅层执行快速热氧化处理。优选地，在所述的防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法中，在执行快速热氧化之前对晶圆执行预清洗。优选地，在所述的防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法中，在第一步骤、第二步骤和第三步骤之后执行轻掺杂注入区的离子注入。在根据本专利技术的防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法中，通过改变多晶硅氧化的工艺步骤，不仅可以解决了逻辑器件的短沟道效应，而且可以消除闪存单元浮栅以及字线多晶硅蚀刻后的残留，避免闪存功能失效。附图说明结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本专利技术有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：图1所示是本技术中分栅结构存储器阵列中相邻存储单元的结构示意图。图2示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法的流程图。需要说明的是，附图用于说明本专利技术，而非限制本专利技术。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。具体实施方式为了使本专利技术的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本专利技术的内容进行详细描述。为了降低短沟道效应，逻辑产品使用多晶硅氧化来增大源漏轻掺杂注入区之间的距离，由此本专利技术的专利技术人提出可以考虑使用这种多晶硅氧化的方法来避免分栅快闪存储器浮栅以及字线的多晶硅残留。由此，在根据本专利技术的防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法中，将多晶硅氧化的工艺处理从在逻辑栅极刻蚀之后执行变化到在闪存单元字线刻蚀之后执行。这样，不仅可以解决了闪存单元中逻辑器件的短沟道效应，而且可以消除闪存单元浮栅以及字线多晶硅蚀刻后的残留，避免闪存功能失效。下面将结合流程图来具体描述本专利技术的优选实施例。图2示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法的流程图。如图2所示，根据本专利技术优选实施例的防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法包括：第一步骤S1：形成逻辑栅极多晶硅层，并执行逻辑栅极多晶硅刻蚀处理；具体地，例如，逻辑栅极多晶硅刻蚀处理包括：涂覆第一光刻胶，形成第一光刻胶的图案，并且利用第一光刻胶的图案对逻辑栅极多晶硅层执行刻蚀工艺。第二步骤S2：形成闪存单元字线多晶硅层，并执行字线多晶硅刻蚀处理；具体地，例如，栅极多晶硅刻蚀处理包括：涂覆第二光刻胶，形成第二光刻胶的图案，并且利用第二光刻胶的图案对闪存单元字线多晶硅层执行刻蚀工艺。第三步骤S3：对刻蚀后的逻辑栅极多晶硅层和闪存单元字线多晶硅层执行多晶硅氧化处理。具体地，例如，优选地，多晶硅氧化处理包括：对刻蚀后的逻辑栅极多晶硅层和闪存单元字线多晶硅层执行快速热氧化(RapidThermalOxidation，RTO)。而且优选地，在执行快速热氧化之前对晶圆执行预清洗。当然，在第一步骤S1、第二步骤S2和第三步骤S3之间可以执行其它工艺步骤，以形成产品的其它结构。在第一步骤S1、第二步骤S2和第三步骤S3之后，可以执行轻掺杂注入区的离子注入。根据本专利技术优选实施例的防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法可以用于制造闪存存储器，尤其是制造分栅快闪存储器存储单元。例如，分栅快闪存储器存储单元包括衬底10，形成在衬底中的逻辑区和闪存单元区，闪存单元区(参考图1)中形成源极12和漏极11，在所述漏极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法，其特征在于，将多晶硅氧化的工艺处理从在逻辑栅极刻蚀之后执行变化到在闪存单元字线刻蚀之后执行。

【技术特征摘要】
1.一种防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法，其特征在于，将多晶硅氧化的工艺处理从在逻辑栅极刻蚀之后执行变化到在闪存单元字线刻蚀之后执行。2.根据权利要求1所述的防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法，其特征在于包括：第一步骤：形成逻辑栅极多晶硅层，并执行栅极多晶硅刻蚀处理；第二步骤：形成闪存单元字线多晶硅层，并执行字线多晶硅刻蚀处理；第三步骤：对刻蚀后的逻辑栅极多晶硅层和闪存单元字线多晶硅层执行多晶硅氧化处理。3.根据权利要求1或2所述的防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法，其特征在于，所述防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法用于制造闪存存储器。4.根据权利要求1或2所述的防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法，其特征在于，所述防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法制造分栅快闪存储器存储单元。5.根据权利要求4所述的防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法，其特征在于，分栅快闪存储器存储单元包括：提供衬底，形成在衬底中的逻辑区和闪存单元区，闪存单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐涛，孔蔚然，曹子贵，张博，李冰寒，汤志林，陈宏，王卉，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31