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本发明提供了一种防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法，其中将多晶硅氧化的工艺处理从在逻辑栅极刻蚀之后执行变化到在闪存单元字线刻蚀之后执行，包括：第一步骤：形成逻辑栅极多晶硅层，并执行逻辑栅极多晶硅刻蚀处理；第二步骤：形成闪存单元字...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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