温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。包括步骤：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有若干浮栅结构，在相邻的所述浮栅结构之间形成有向下延伸至半导体衬底中的浅沟槽隔离结构；回蚀刻去除浅沟槽隔离结构中的部分隔离材料，以形成凹槽，...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。