【技术实现步骤摘要】
一种高纯度氧化铝的制备方法
本专利技术涉及氧化铝粉体制备
,具体的说是涉及一种高纯度氧化铝的制备方法。
技术介绍
目前应用于电子材料以及LED荧光粉、PDP荧光粉、三基色荧光粉等领域的高纯氧化铝主要以胆碱水解法、金属铝水解法、硫酸铝铵法,用上述方法生产的氧化铝的形貌主要是片状、针状、絮状,采用上述粉体生产的荧光粉形貌差、亮度低、分散性不好易团聚,不仅做成灯具后光通量小、光衰快,且上述方法成本高,对环境污染大。
技术实现思路
本专利技术的目的就在于提供一种高纯度氧化铝的制备方法,以有效克服上述现有技术的不足。为了实现上述目的,本专利技术采用的技术方案是:一种高纯度氧化铝的制备方法,它包括以下步骤:a.氢氧化铝与片碱反应生成偏铝酸钠溶液;b.提纯偏铝酸钠溶液,除去偏铝酸钠溶液中的杂质离子;c.稀释;d.加入高分子分散剂;e.加热搅拌,通入CO2气体;f.洗涤氢氧化铝,去除氢氧化铝中的游离钠离子;g.水热反应;h.干燥,煅烧。优选的,所述氢氧化铝与片碱反应生成偏铝酸钠溶液的反应条件为氢氧化铝:片碱分子为1.4:1.6,其反应温度为140~150℃,反应时间2h。优选的,所述提纯方法为采用脱硅剂进行两段深度脱硅,采用细小氢氧化铝为种分晶种,种分分解率控制在4~6%,后过滤以去除铝酸钠溶液中的铁、钙、铜等金属离子。优选的,所述稀释为将偏铝酸钠溶液稀释到50~80g/L。优选的,所述高分子分散剂为丙烯酸酯或马来酸酯,其高分子分散剂加入量为铝酸钠溶液中氧化铝含量的1~5%。所述步骤e中CO2流量为0.8~1.2t/h,温度60~80℃,搅拌转速400~600r/min ...
【技术保护点】
一种高纯度氧化铝的制备方法,其特征在于:它包括以下步骤:a.氢氧化铝与片碱反应生成偏铝酸钠溶液;b.提纯偏铝酸钠溶液,除去偏铝酸钠溶液中的杂质离子;c.稀释;d.加入高分子分散剂;e.加热搅拌,通入CO2气体;f.洗涤氢氧化铝,去除氢氧化铝中的游离钠离子;g.水热反应;h.干燥,煅烧。
【技术特征摘要】
1.一种高纯度氧化铝的制备方法,其特征在于:它包括以下步骤:a.氢氧化铝与片碱反应生成偏铝酸钠溶液;b.提纯偏铝酸钠溶液,除去偏铝酸钠溶液中的杂质离子;c.稀释;d.加入高分子分散剂;e.加热搅拌,通入CO2气体;f.洗涤氢氧化铝,去除氢氧化铝中的游离钠离子;g.水热反应;h.干燥,煅烧。2.根据权利要求1所述的一种高纯度氧化铝的制备方法,其特征在于:所述氢氧化铝与片碱反应生成偏铝酸钠溶液的反应条件为氢氧化铝:片碱分子为1.4:1.6,其反应温度为140~150℃,反应时间2h。3.根据权利要求1所述的一种高纯度氧化铝的制备方法,其特征在于:所述提纯方法为采用脱硅剂进行两段深度脱硅,采用细小氢氧化铝为种分晶种,种分分解率控制在4~6%,后过滤以去除铝酸钠溶液中的铁、钙、铜等金属离子。4.根据权利要求1所述的一种高纯度氧化铝的制备方法,其特征在于:所述稀释为将偏铝酸钠溶液稀释到50~80g/L。5.根据权利要求1所述的一种高纯度...
【专利技术属性】
技术研发人员:方向华,
申请(专利权)人:重庆任丙科技有限公司,
类型:发明
国别省市:重庆,50
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