一种适用于对热敏感的基片进行镀膜的镀膜装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及真空镀膜技术领域，尤其是一种适用于对热敏感的基片进行镀膜的镀膜装置，其特征在于：在所述镀膜源和所述镀膜伞架之间设置有具有水冷机构的水冷挡板，所述水冷挡板固定在所述真空镀膜室之中，在所述水冷挡板上开设有开口，所述开口的开设位置对应于所述镀膜源的设置位置，满足于使所述镀膜源的出射粒子通过所述开口到达所述镀膜伞架上的所述工位的需要。本实用新型专利技术的优点是：对于热敏感基片的降温效果明显，保证镀膜质量；在降温的同时，便于修正镀膜均一性；结构简单，成本低。

A coating device suitable for coating a thermally sensitive substrate

The utility model relates to the technical field of vacuum coating, especially a coating device for coating of heat sensitive substrate, characterized in that: between the coating and the coating source umbrella equipped with a water-cooled baffle with water cooling mechanism, the water-cooled baffle is fixed in the vacuum chamber. The water-cooled baffle is provided with an opening, the opening of the open position corresponding to the coating source location to meet in the coating source emitting particles through the opening to reach the station coating on the umbrella frame. The utility model has the advantages that the cooling effect of the heat sensitive base plate is obvious, and the coating quality is guaranteed; meanwhile, the uniformity of the coating is easy to be corrected when the temperature is lowered; the structure is simple, and the cost is low.

【技术实现步骤摘要】
一种适用于对热敏感的基片进行镀膜的镀膜装置
本技术涉及真空镀膜
，尤其是一种适用于对热敏感的基片进行镀膜的镀膜装置。
技术介绍
对于真空蒸发设备，通常在真空镀膜腔室内设置一个可旋转的镀膜伞架，镀膜伞架通过中心回转机构被安装在真空镀膜腔室顶部。镀膜时，承载着镀膜基片的镀膜伞架以中心回转机构为轴进行转动，以有利于实现镀膜均一性。真空蒸发设备的蒸发源可以选择电子束蒸发源、电阻加热蒸发源等。蒸发源通常设置在真空镀膜腔室的底部，并朝向镀膜伞架。真空蒸发设备通常还配备离子源，用于实现离子辅助镀膜。对于上述的蒸发源和离子源，在使用过程中均会产生大量多余的热量，从而造成镀膜基片受到不必要的加热。一般情况下，可采用在真空镀膜腔室的侧壁和顶壁设置水冷管来降低真空镀膜腔室内的温升，但是在一些特殊情况下，仅依靠侧壁水冷降温的方式还不能有效避免镀膜基片受到有害热辐射。尤其是一些对热敏感的镀膜基片，比如超薄ARTON树脂基片，过多的热量会导致基片材料性质发生明显变化，从而影响整体镀膜品质。针对上述问题，减小蒸发源和离子源的使用功率为一种解决途径，但这还不能有效解决多余热量到达镀膜基片的问题，而且还可能导致由于功率下降影响成膜质量。
技术实现思路
本技术的目的是根据上述现有技术的不足，提供了一种适用于对热敏感的基片进行镀膜的镀膜装置，通过在镀膜伞架和镀膜源之间设置加载了水冷机构的水冷挡板，使镀膜源的出射粒子在到达镀膜基片之前被水冷挡板降温，从而除去过多的热量，避免镀膜基片因受到过多的热量而发生材料性质变化，保证镀膜品质。本技术目的实现由以下技术方案完成：一种适用于对热敏感的基片进行镀膜的镀膜装置，包括真空镀膜室，在所述真空镀膜室的腔室顶部具有可旋转的镀膜伞架，所述镀膜伞架上具有用于承载镀膜基片的工位，在所述真空镀膜室的腔室内具有镀膜源，所述镀膜源设置于所述镀膜伞架的下方，其特征在于：在所述镀膜源和所述镀膜伞架之间设置有具有水冷机构的水冷挡板，所述水冷挡板固定在所述真空镀膜室之中，在所述水冷挡板上开设有开口，所述开口的开设位置对应于所述镀膜源的设置位置，满足于使所述镀膜源的出射粒子通过所述开口到达所述镀膜伞架上的所述工位的需要。所述真空镀膜室的腔室内具有至少两个所述镀膜源，所述水冷挡板上开设有与所述镀膜源一一对应的所述开口，所述开口之间通过设置在所述水冷挡板上的分割筋分隔。在所述镀膜源的外围设置有屏蔽罩，所述屏蔽罩上具有开口，所述开口位于所述镀膜源的出射区域中。所述镀膜源为蒸发源和离子源中的一种或两种的组合。所述开口为扇形或为两侧轮廓线是内收弧线的类扇形。所述水冷机构为水冷管。所述水冷挡板为不锈钢水冷挡板或铜水冷挡板。本技术的优点是：对于热敏感基片的降温效果明显，保证镀膜质量；在降温的同时，便于修正镀膜均一性；结构简单，成本低。附图说明图1为本技术的正视图；图2为图1的侧视图；图3为本技术水冷挡板以下部分的俯视图；图4为本技术中水冷挡板的俯视图。具体实施方式以下结合附图通过实施例对本技术特征及其它相关特征作进一步详细说明，以便于同行业技术人员的理解：如图1-4所示，图中标记1-15分别表示为：真空镀膜室1、镀膜伞架2、镀膜基片3、中心回转机构4、第一蒸发源5、第二蒸发源6、离子源7、第一蒸发源屏蔽罩8、第二蒸发源屏蔽罩9、离子源屏蔽罩10、水冷挡板11、分割筋12、第一蒸发源开口13、第二蒸发源开口14、离子源开口15。实施例：如图1所示，本实施例中适用于对热敏感的基片进行镀膜的镀膜装置包括真空镀膜室1，真空镀膜室1的腔室内部为镀膜空间。在真空镀膜室1的顶部设置有中心回转机构4，镀膜伞架2固定安装在中心回转机构4上，在中心回转机构4的驱动下，镀膜伞架2可绕中心回转机构4旋转。在镀膜伞架2上均匀布置有若干镀膜基片3。如图1所示，在镀膜伞架2的下方设置有第一蒸发源5、第二蒸发源6以及离子源7，三个镀膜源均固定设置在真空镀膜室1的内部，用于对承载在镀膜伞架2上的若干镀膜基片3进行镀膜。结合图1和图2所示，第一蒸发源5和第二蒸发源6固定设置在真空镀膜室1的底部，离子源7固定设置在真空镀膜室1的侧壁之上。如图1和图2所示，在镀膜伞架2与其下方的第一蒸发源5、第二蒸发源6、离子源7之间设置有水冷挡板11，水冷挡板11的两端分别与真空镀膜室1的腔室内壁相连接固定。水冷挡板11具有水冷机构（图中未示出），水冷机构可对水冷挡板11进行冷却，保证水冷挡板11具有较低的温度。如图4所示，水冷挡板11通过呈十字交叉状布置的两根分割筋12分隔成四个区域，在其中三个区域内分别开设有第一蒸发源开口13、第二蒸发源开口14以及离子源开口15，其中第一蒸发源开口13的开设位置与第一蒸发源5的设置位置相对应，第二蒸发源开口14与第二蒸发源6的设置位置相对应，离子源开口15的开设位置与离子源7的设置位置相对应，开设在水冷挡板11上的各开口与各镀膜源之间的位置对应满足于使各镀膜源的出射粒子能够分别通过对应的开口到达镀膜伞架2上的各镀膜基片3的需要。结合图1-图3所示，在第一蒸发源5和第二蒸发源6的外围分别设置有第一蒸发源屏蔽罩8和第二蒸发源屏蔽罩9，在离子源7的外围设置有离子源屏蔽罩10；第一蒸发源屏蔽罩8、第二蒸发源屏蔽罩9以及离子源屏蔽罩10上分别开设有第一蒸发源开口13、第二蒸发源开口14、离子源开口15，三个开口分别对应于三个镀膜源且分别处于对应的镀膜源的出射区域内，用于调整镀膜源的出射范围。各屏蔽罩上的开口与水冷挡板11上的开口位置相对应。当镀膜源在镀膜时，出射的粒子经过屏蔽罩调整其出射范围，而后经过水冷挡板11到达镀膜伞架2上的镀膜基片3，由于出射离子在路径上经过水冷挡板11冷却，因此在到达镀膜基片3时，其多余的热量已被去除，从而保证镀膜基片不会受到过多的热量而发生材料性质变化，保证镀膜品质。本实施例在具体实施时：为了提高镀膜质量，如图4所示，第一蒸发源开口13和第二蒸发源开口14的形状为两侧轮廓线为内收弧线的类扇形，用于实现镀膜的膜厚均一性；而离子源开口15的形状为扇形，用于实现镀膜致密度均一性。水冷挡板11的材质可选用不锈钢或铜，以保证良好的冷却效果。水冷机构可选用水冷管，以方便地实现对水冷挡板11的冷却。水冷挡板11上的开口数量、分割筋12的分隔区域的大小及数量可根据镀膜源的数量进行相应变化，以满足一一对应的需要。虽然以上实施例已经参照附图对本技术目的的构思和实施例做了详细说明，但本领域普通技术人员可以认识到，在没有脱离权利要求限定范围的前提条件下，仍然可以对本技术作出各种改进和变换，如各镀膜源的设置位置、水冷挡板11的设置位置，开口形状、大小、数量等，故在此不一一赘述。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种适用于对热敏感的基片进行镀膜的镀膜装置，包括真空镀膜室，在所述真空镀膜室的腔室顶部具有可旋转的镀膜伞架，所述镀膜伞架上具有用于承载镀膜基片的工位，在所述真空镀膜室的腔室内具有镀膜源，所述镀膜源设置于所述镀膜伞架的下方，其特征在于：在所述镀膜源和所述镀膜伞架之间设置有具有水冷机构的水冷挡板，所述水冷挡板固定在所述真空镀膜室之中，在所述水冷挡板上开设有开口，所述开口的开设位置对应于所述镀膜源的设置位置，满足于使所述镀膜源的出射粒子通过所述开口到达所述镀膜伞架上的所述工位的需要。

【技术特征摘要】
1.一种适用于对热敏感的基片进行镀膜的镀膜装置，包括真空镀膜室，在所述真空镀膜室的腔室顶部具有可旋转的镀膜伞架，所述镀膜伞架上具有用于承载镀膜基片的工位，在所述真空镀膜室的腔室内具有镀膜源，所述镀膜源设置于所述镀膜伞架的下方，其特征在于：在所述镀膜源和所述镀膜伞架之间设置有具有水冷机构的水冷挡板，所述水冷挡板固定在所述真空镀膜室之中，在所述水冷挡板上开设有开口，所述开口的开设位置对应于所述镀膜源的设置位置，满足于使所述镀膜源的出射粒子通过所述开口到达所述镀膜伞架上的所述工位的需要。2.根据权利要求1所述的一种适用于对热敏感的基片进行镀膜的镀膜装置，其特征在于：所述真空镀膜室的腔室内具有至少两个所述镀膜源，所述水冷挡板上开设有与所述镀膜源一一对应的所述开口，所述开口之间通过设置在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：余龙，龙汝磊，戴秀海，范滨，
申请(专利权)人：光驰科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31