多指状晶体管的电阻计算方法及多指状晶体管的仿真方法技术

本申请公开了一种多指状晶体管的电阻计算方法及多指状晶体管的仿真方法。该多指状晶体管包括依次设置的多个栅极，以及设置于各栅极的两侧的源极和漏极，且源极和漏极依次间隔设置，该多指状晶体管包括nf个栅极，多指状晶体管在平行于栅极的延伸方向上的源漏电阻宽度为w，nf≥2，该计算方法包括以下公式：nrd＝Ld/nf/w，nrd为多指状晶体管的漏极方块电阻，Ld为各漏极在垂直于栅极的延伸方向上的电阻长度之和；nrs＝Ls/nf/w，nrs为多指状晶体管的源极方块电阻，Ls为各源极在垂直于栅极的延伸方向上的电阻长度之和。利用该计算方法实现了准确地对晶体管进行仿真的目的。

Resistance calculation method of multi finger transistor and simulation method of multi finger transistor

The present invention discloses a method for calculating the resistance of a multi finger transistor and a simulation method for a multi finger transistor. The multi finger transistor includes a plurality of gate are sequentially arranged on both sides, and set up at the gate of the source and drain and source and drain electrodes are arranged at intervals, the multi finger transistor includes a gate NF transistor, multi finger in the direction parallel to the gate source and drain resistance width for W, NF = 2, the method includes the following formula: NRD = Ld/nf/w, NRD refers to the sheetresistance like transistor leakage, leakage resistance Ld for each length in the direction perpendicular to the gate of NRs = Ls/nf/w, NRS; for multi finger transistor source side block Ls is the source of resistance, resistance in the direction perpendicular to the length of the gate and. The method is used to simulate transistors accurately.

【技术实现步骤摘要】
多指状晶体管的电阻计算方法及多指状晶体管的仿真方法
本申请涉及半导体集成电路的
，具体而言，涉及一种多指状晶体管的电阻计算方法及多指状晶体管的仿真方法。
技术介绍
晶体管是半导体集成电路中一种重要的半导体器件，它在集成电路工艺领域中被广泛的应用。为了预测晶体管器件在其所处的环境中的性能和可靠性，需要对晶体管进行仿真。器件仿真在集成电路设计中具有非常重要的作用，它可大大缩短产品的设计生产周期、提高产品的成品率以及节省成本等。多指状晶体管通常由多个晶体管组成，即多指状晶体管包括依次设置的多个栅极，以及设置于各栅极的两侧的源极和漏极，且源极和漏极依次间隔设置。多指状晶体管的源漏饱和电流(Ids)随着源漏极的电阻宽度和栅极的个数的增加而呈非线性减少。因此，目前现有技术中还没有计算多指状晶体管的源极方块电阻(nrs)和漏极方块电阻(nrd)的方法，从而导致无法准确地对晶体管进行仿真。
技术实现思路
本申请旨在提供一种多指状晶体管的电阻计算方法及多指状晶体管的仿真方法，以准确地计算多指状晶体管的源极方块电阻和漏极方块电阻。为了实现上述目的，本申请提供了一种多指状晶体管的电阻计算方法，该多指状晶体管包括依次设置的多个栅极，以及设置于各栅极的两侧的源极和漏极，且源极和漏极依次间隔设置，其特征在于，多指状晶体管包括nf个栅极，多指状晶体管在平行于栅极的延伸方向上的源漏电阻宽度为w，nf≥2，且该电阻计算方法包括以下公式：nrd＝Ld/nf/w，其中，nrd为多指状晶体管的漏极方块电阻，Ld为各漏极在垂直于栅极的延伸方向上的电阻长度之和；以及nrs＝Ls/nf/w，其中，nrs为多指状晶体管的源极方块电阻，Ls为各源极在垂直于栅极的延伸方向上的电阻长度之和。进一步地，nf为偶数，多指状晶体管包括nf/2个漏极和nf/2+1个源极，且位于所有栅极的外侧的两个源极的电阻长度分别为sa和sb，相邻栅极之间的电阻长度为sd，计算方法包括以下公式：Ld＝(nf/2×sd)，且nrd＝(nf/2×sd)/nf/w＝sd/(2w)；Ls＝sa+sb+(nf/2-1)×sd，且nrs＝(sa+sb+(nf/2-1)×sd)/nf/w。进一步地，nf≥4，且sa＝sb。进一步地，nf为奇数，位于所有栅极的外侧的漏极的电阻长度为sb，位于所有栅极的外侧的源极的电阻长度为sb，相邻栅极之间的电阻长度为sd，计算方法包括以下公式：Ld＝(nf-1)/2*sd+sa，且nrd＝((nf-1)/2*sd+sa)/nf/w；Ls＝(nf-1)/2*sd+sb，且nrs＝((nf-1)/2*sd+sa)/nf/w。进一步地，nf≥3，且sa＝sb。进一步地，该计算方法还包括利用漏极方块电阻和源极方块电阻计算多指状晶体管的源漏电阻的步骤。本申请还提供了一种多指状晶体管的仿真方法，包括采用多指状晶体管的漏极方块电阻和多指状晶体管的源极方块电阻对多指状晶体管的源漏饱和电流和多指状晶体管的源漏电压之间的关系曲线进行仿真的步骤，其特征在于，多指状晶体管的漏极方块电阻和多指状晶体管的源极方块电阻由本申请提供的电阻计算方法计算获得。进一步地，采用Spice软件进行仿真。进一步地，仿真处理的步骤中，栅极电压为0.5～1.2V。进一步地，多指状晶体管的制程为40nm或28nm。应用本申请的技术方案，本申请提供的多指状晶体管的电阻计算方法包括以下公式：nrd＝Ld/nf/w，以及nrs＝Ls/nf/w，利用该公式能够准确地计算多指状晶体管的源极方块电阻和漏极方块电阻，从而实现准确地对晶体管进行仿真的目的。附图说明构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：图1示出了本申请一种优选实施方式所提供的多指状晶体管的电阻计算方法中，多指状晶体管的剖面结构示意图；图2示出了本申请另一种优选实施方式所提供的多指状晶体管的电阻计算方法中，多指状晶体管的剖面结构示意图；以及图3示出了本申请实施方式所提供的多指状晶体管的仿真方法的仿真结果图。具体实施方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。正如
技术介绍
中所介绍的，现有技术中还没有计算多指状晶体管的源极方块电阻(nrs)和漏极方块电阻(nrd)的方法，从而导致无法准确地对晶体管进行仿真。本申请的专利技术人针对上述问题进行研究，提出了一种多指状晶体管的电阻计算方法，该多指状晶体管包括依次设置的多个栅极，以及设置于各栅极的两侧的源极和漏极，且源极和漏极依次间隔设置，且多指状晶体管包括nf个栅极，多指状晶体管在平行于栅极的延伸方向上的源漏电阻宽度为w，nf≥2，且该电阻计算方法包括以下公式：nrd＝Ld/nf/w，其中，nrd为多指状晶体管的漏极方块电阻，Ld为各漏极在垂直于栅极的延伸方向上的电阻长度之和；以及nrs＝Ls/nf/w，其中，nrs为多指状晶体管的源极方块电阻，Ls为各源极在垂直于栅极的延伸方向上的电阻长度之和。本申请提供的多指状晶体管的电阻计算方法包括以下公式：nrd＝Ld/nf/w，以及nrs＝Ls/nf/w，利用该公式能够准确地计算多指状晶体管的源极方块电阻和漏极方块电阻，从而实现准确地对晶体管进行仿真的目的。下面将更详细地描述本申请提供的多指状晶体管的电阻计算方法的示例性实施方式。然而，这些示例性实施方式可以由多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的实施方式。应当理解的是，提供这些实施方式是为了使得本申请的公开彻底且完整，并且将这些示例性实施方式的构思充分传达给本领域普通技术人员上述电阻计算方法中，nf可以为偶数或奇数，且当nf为偶数或奇数时电阻计算方法的公式有所不同。在一种优选的实施方式中，如图1所示，nf为偶数，多指状晶体管包括nf/2个漏极和nf/2+1个源极，且位于所有栅极的外侧的两个源极的电阻长度分别为sa和sb，相邻栅极之间的电阻长度为sd，计算方法包括以下公式：Ld＝(nf/2×sd)，且nrd＝(nf/2×本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多指状晶体管的电阻计算方法，所述多指状晶体管包括依次设置的多个栅极，以及设置于各所述栅极的两侧的源极和漏极，且所述源极和所述漏极依次间隔设置，其特征在于，所述多指状晶体管包括nf个所述栅极，所述多指状晶体管在平行于所述栅极的延伸方向上的源漏电阻宽度为w，nf≥2，且所述电阻计算方法包括以下公式：nrd＝Ld/nf/w，其中，nrd为所述多指状晶体管的漏极方块电阻，Ld为各所述漏极在垂直于所述栅极的延伸方向上的电阻长度之和；以及nrs＝Ls/nf/w，其中，nrs为所述多指状晶体管的源极方块电阻，Ls为各所述源极在垂直于所述栅极的延伸方向上的电阻长度之和。

【技术特征摘要】
1.一种多指状晶体管的电阻计算方法，所述多指状晶体管包括依次设置的多个栅极，以及设置于各所述栅极的两侧的源极和漏极，且所述源极和所述漏极依次间隔设置，其特征在于，所述多指状晶体管包括nf个所述栅极，所述多指状晶体管在平行于所述栅极的延伸方向上的源漏电阻宽度为w，nf≥2，且所述电阻计算方法包括以下公式：nrd＝Ld/nf/w，其中，nrd为所述多指状晶体管的漏极方块电阻，Ld为各所述漏极在垂直于所述栅极的延伸方向上的电阻长度之和；以及nrs＝Ls/nf/w，其中，nrs为所述多指状晶体管的源极方块电阻，Ls为各所述源极在垂直于所述栅极的延伸方向上的电阻长度之和。2.根据权利要求1所述的电阻计算方法，其特征在于，nf为偶数，所述多指状晶体管包括nf/2个所述漏极和nf/2+1个所述源极，且位于所有所述栅极的外侧的两个所述源极的电阻长度分别为sa和sb，相邻所述栅极之间的电阻长度为sd，所述计算方法包括以下公式：Ld＝(nf/2×sd)，且nrd＝(nf/2×sd)/nf/w＝sd/(2w)；Ls＝sa+sb+(nf/2-1)×sd，且nrs＝(sa+sb+(nf/2-1)×sd)/nf/w。3.根据权利要求2所述的电阻计算方法，其特征在于，nf≥4，且sa＝sb。4.根据权利要求1所述的电阻计算方法，其特征在于，nf为奇数，位...

【专利技术属性】
技术研发人员：何丹，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31