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本申请公开了一种多指状晶体管的电阻计算方法及多指状晶体管的仿真方法。该多指状晶体管包括依次设置的多个栅极，以及设置于各栅极的两侧的源极和漏极，且源极和漏极依次间隔设置，该多指状晶体管包括nf个栅极，多指状晶体管在平行于栅极的延伸方向上的源漏...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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