元件制造方法及转印基板技术

能减轻电子元件制造业者的负担，且制造高精度电子元件。将构成电子元件的至少一部分积层构造体形成于转印基板即第1基板上后，将积层构造体(52)转印至第2基板(P2)上的元件制造方法，具备：第1步骤，藉由于第1基板(P1)上形成第1导电层(52a)，于第1导电层(52a)上形成功能层(52b)，于功能层(52b)上形成第2导电层(52c)，以形成积层构造体(52)；以及第2步骤，以第2导电层(52c)位于第2基板(P2)侧的方式使第1基板(P1)与第2基板(P2)暂时紧贴，以将积层构造体(52)转印至第2基板(P2)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是关于形成有构成电子元件的至少一部分的积层构造体的转印基板、与藉由将形成于该转印基板上的积层构造体转印至被转印基板以制造电子元件的元件制造方法。
技术介绍
于日本特开2006-302814号公报中揭示有一种有机EL层的形成方法。简单说明之，首先是藉由涂布法(喷射方式等)于第1无端皮带形成空穴输送层，藉由涂布法(喷射方式等)于第2无端皮带形成发光层，藉由涂布法(喷射方式等)于第3无端皮带形成电子输送层。接着，在从供应卷筒供应的片状基板转印形成于第1无端皮带的空穴输送层，其后，将形成于第2无端皮带的发光层转印至空穴输送层上，接着，将形成于第3无端皮带的电子输送层转印至发光层上，藉此形成有机EL层。
技术实现思路
然而，例如在制造薄膜晶体管等包含半导体元件的电子元件的场合，为了提升半导体元件的性能或良率或使特性稳定，较佳为在容易控制膜厚等真空空间进行成膜，通过如日本特开2006-302814号公报所记载技术的转印方式是难以制造高精度的电子元件。另一方面，虽一般大多是进行于玻璃基板上制造电子元件，并将完成的电子元件从玻璃基板转印至其他最终基板(例如柔性树脂膜或塑料板)的手法，但此情形下，电子元件的制造业者是在真空空间中进行成膜而将构成电子元件的层形成于玻璃基板，或依据电子元件的积层构造反复进行利用了光刻的显影处理、蚀刻处理、CVD处理、溅镀处理等而作成电子元件后，再将完成的电子元件转印至最终基板。因此，电子元件的制造业者，除了花费使用用以实施将电子元件的层构造形成于玻璃基板上的多数成膜制造工艺的设备来将完成的电子元件制作于玻璃基板上的制造成本以外，还必须花费将玻璃基板上的电子元件转印(转接)至最终基板上的制造成本(设备)。是以，难以压低最终的电子元件(LCD方式或有机EL方式的显示面板、触控面板等)的产品价格，对电子元件的制造业者的负担甚大。本专利技术的第1态样，为一种元件制造方法，将构成电子元件的至少一部分积层构造体形成于第1基板上后，将前述积层构造体转印至第2基板上，其特征在于，具备：第1步骤，藉由于前述第1基板上形成导电性材料所形成的第1导电层，于前述第1导电层上形成绝缘性及半导体的至少一材料所形成的功能层，于前述功能层上形成导电性材料所形成的第2导电层，以形成前述积层构造体；以及第2步骤，以前述第2导电层位于前述第2基板侧的方式使前述第1基板与前述第2基板暂时接近或紧贴，以将前述积层构造体转印至前述第2基板。本专利技术的第2态样，为一种转印基板，是用以在被转印基板转印构成电子元件的至少一部分积层构造体，其特征在于：于前述转印基板的表面形成有前述积层构造体，前述积层构造体是以使用导电性材料形成于前述转印基板上的第1导电层、使用绝缘性及半导体的至少一材料形成于前述第1导电层上的功能层、以及使用导电性材料形成于前述功能层上的第2导电层所构成。本专利技术的第3态样，为一种转印基板，是为了于形成包含半导体元件的电子元件的产品基板上转印构成前述电子元件的至少一部分积层构造体而担载前述积层构造体，其特征在于：前述积层构造体，是从前述转印基板的表面侧以使用导电性材料同样地或选择性地形成的第1导电层、使用绝缘性材料或显示半导体特性的材料同样地或选择性地形成的功能层、以及使用导电性材料同样地或选择性地形成的第2导电层的顺序积层。本专利技术的第4态样，为一种元件制造方法，将形成有构成电子元件的至少一部分积层构造体的第1基板转印至第2基板上，其特征在于，具备：第1步骤，准备前述第1基板作为以导电性材料形成的第1导电层，于前述第1导电层上形成以绝缘性及半导体的至少一材料形成的功能层，于前述功能层上形成以导电性材料形成的第2导电层，以形成前述积层构造体；以及第2步骤，以前述第2导电层位于前述第2基板侧的方式使前述第1基板与前述第2基板暂时接近或紧贴，以将包含前述第1基板的前述积层构造体转印至前述第2基板。本专利技术的第5态样，为一种转印基板，是用以在被转印基板转印构成电子元件的至少一部分积层构造体，其特征在于，具备：导电箔，使用导电性材料而发挥第1导电层功能；功能层，使用绝缘性及半导体的至少一材料形成于前述第1导电层上；以及第2导电层，使用导电性材料形成于前述功能层上。附图说明图1是显示第1实施形态的于基板形成薄膜的成膜装置的构成的图。图2是显示第1实施形态的用以将形成于第1基板的积层体构造转印至第2基板的积层装置的构成的图。图3是显示底接触型TFT制造方法的步骤一例的流程图。图4是显示底接触型TFT制造方法的步骤一例的流程图。图5A～图5F是显示以图3及图4所示步骤制造的TFT制造经过状态的剖面图。图6A～图6D是显示以图3及图4所示步骤制造的TFT制造经过状态的剖面图。图7是显示顶接触型TFT制造方法的步骤一例的流程图。图8是显示顶接触型TFT制造方法的步骤一例的流程图。图9A～图9D是显示以图7及图8所示步骤制造的TFT制造经过状态的剖面图。图10A～图10C是显示以图7及图8所示步骤制造的TFT制造经过状态的剖面图。图11是显示第1实施形态的变形例1的顶接触型TFT制造方法的步骤一例的流程图。图12是显示第1实施形态的变形例1的顶接触型TFT制造方法的步骤一例的流程图。图13A～图13F是显示以图11及图12所示步骤制造的TFT制造经过状态的剖面图。图14A～图14F是显示以图11及图12所示步骤制造的TFT制造经过状态的剖面图。图15是显示第1实施形态的变形例3中于第2导电层形成有对准标记时的剖面图。图16是显示第1实施形态的变形例3中于第1导电层形成有窗部时的剖面图。图17是显示第1实施形态的变形例4中的积层装置构成的图。图18是显示第1实施形态的变形例5中的积层装置构成的图。图19是显示第2实施形态中的有机EL显示器的像素电路一例的图。图20是显示图19所示的像素电路的具体构造的图。图21是显示图20所示的像素电路的制造方法的步骤一例的流程图。图22是显示图20所示的像素电路的制造方法的步骤一例的流程图。图23是以图21的步骤S101～步骤S105的步骤而形成于第1基板上的积层构造体的剖面图。图24是以图21的步骤S106～步骤S111的步骤加工出第2导电层的积层构造体的剖面图。图25是图24所示的积层构造体的俯视图。图26是将以图21的步骤S113形成于第1基板的积层构造体转印至第2基板时的剖面图。图27是以图22的步骤S114～步骤S118的步骤加工出第1导电层的积层构造体的剖面图。图28是图27所示的积层构造体的俯视图。图29是以图22的步骤S119～步骤S122的步骤蚀刻出图27所示的接触孔部分的功能层时的剖面图。图30是以图22的步骤S123而于图29所示的接触孔部分形成有无电镀接触件时的剖面图。图31是显示图1所示的成膜装置的变形例的图。图32是显示顶接触型TFT的积层构造体的其他构成例及其积层构造体的转印例的图。图33是显示在图32所示的转印时使用了平坦化膜的状态的图。图34A～图34D是显示将图23～图30所示的电子元件的积层构造体改良时的积层构造体的制造工艺的图。图35是显示形成于第1基板上的图34D所示的积层构造体的俯视配置构成的图。图36A是显示以转印步骤将形成于第1基板上的图34D所示的积层构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种元件制造方法，将构成电子元件的至少一部分积层构造体形成于第1基板上后，将前述积层构造体转印至第2基板上，其特征在于，具备：第1步骤，藉由于前述第1基板上形成导电性材料所形成的第1导电层，于前述第1导电层上形成绝缘性及半导体的至少一材料所形成的功能层，于前述功能层上形成导电性材料所形成的第2导电层，以形成前述积层构造体；以及第2步骤，以前述第2导电层位于前述第2基板侧的方式使前述第1基板与前述第2基板暂时接近或紧贴，以将前述积层构造体转印至前述第2基板。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.08.26 JP 2014-1712461.一种元件制造方法，将构成电子元件的至少一部分积层构造体形成于第1基板上后，将前述积层构造体转印至第2基板上，其特征在于，具备：第1步骤，藉由于前述第1基板上形成导电性材料所形成的第1导电层，于前述第1导电层上形成绝缘性及半导体的至少一材料所形成的功能层，于前述功能层上形成导电性材料所形成的第2导电层，以形成前述积层构造体；以及第2步骤，以前述第2导电层位于前述第2基板侧的方式使前述第1基板与前述第2基板暂时接近或紧贴，以将前述积层构造体转印至前述第2基板。2.如权利要求1所述的元件制造方法，其中，于前述第1步骤与前述第2步骤之间或前述第2步骤之后，具备对前述第2导电层或前述第1导电层施以利用光图案化法的加工处理以形成用以检测前述第2基板位置的对准标记的第3步骤。3.如权利要求1或2所述的元件制造方法，其具备第4步骤，该第4步骤是从成为转印至前述第2基板的前述积层构造体的表面的前述第1导电层侧，对前述积层构造体施以追加处理。4.如权利要求3所述的元件制造方法，其中，前述电子元件是薄膜晶体管；前述第1步骤包含对前述第2导电层施以利用光图案化法的加工处理以形成栅极电极的步骤；前述第4步骤包含对前述积层构造体的前述第1导电层施以利用光图案化法的加工处理以形成源极电极及漏极电极的步骤。5.如权利要求4所述的元件制造方法，其中，将前述功能层以绝缘层或半导体层与绝缘层的积层来构成。6.如权利要求4所述的元件制造方法，其中，前述电子元件是底接触型的薄膜晶体管；前述功能层藉由绝缘性材料构成；前述第4步骤包含在前述源极电极及前述漏极电极之间形成半导体层的步骤。7.如权利要求4所述的元件制造方法，其中，前述电子元件是顶接触型的薄膜晶体管；前述功能层是以使用半导体材料堆积于前述第1导电层上的半导体层、与使用绝缘性材料堆积于前述半导体层上的绝缘层构成。8.如权利要求1或2所述的元件制造方法，其中，前述电子元件是顶接触型的薄膜晶体管；前述第1步骤，是在形成前述功能层前，对前述第1导电层施以利用光图案化法的加工处理以形成源极电极及漏极电极后，于前述源极电极及前述漏极电极之间形成半导体层；在形成前述第2导电层后，对前述第2导电层施以利用光图案化法的加工处理以形成栅极电极。9.一种转印基板，是用以在被转印基板转印构成电子元件的至少一部分积层构造体，其特征在于：于前述转印基板的表面形成有前述积层构造体，前述积层构造体是以使用导电性材料形成于前述转印基板上的第1导电层、使用绝缘性及半导体的至少一材料形成于前述第1导电层上的功能层、以及使用导电性材料形成于前述功能层上的第2导电层所构成。10.如权利要求9所述的转印基板，其中，于前述第2导电层或前述第1导电层，以利用光图案化法的...

【专利技术属性】
技术研发人员：奈良圭，中积诚，西康孝，
申请(专利权)人：株式会社尼康，
类型：发明
国别省市：日本;JP