形成源极/漏极上包括导电接触件的半导体器件的方法技术

提供了形成半导体器件的方法。所述方法可以包括：在基底上形成多个鳍形沟道；形成横跨所述多个鳍形沟道的栅极结构；形成与栅极结构的一侧相邻的源极/漏极。源极/漏极可以横跨所述多个鳍形沟道并可以电连接到所述多个鳍形沟道。所述方法还可以包括：在源极/漏极的上表面上形成金属层以及在金属层上与源极/漏极相对地形成导电接触件。导电接触件在金属层的纵向方向上的第一长度可以比金属层在金属层的纵向方向上的第二长度小。

【技术实现步骤摘要】
本申请要求于2015年10月8日提交的第14/878,230号美国申请的优先权，通过引用将该美国申请的全部内容包含于此，就像在此提出一样。
本专利技术构思总体上涉及电子领域，更具体地涉及半导体器件。
技术介绍
寄生电阻和寄生电容会使半导体器件的性能劣化。随着缩放，寄生电阻和寄生电容会增大并且对于高性能半导体器件可能需要减小寄生电阻和寄生电容。
技术实现思路
一种形成半导体器件的方法可以包括：在基底上形成多个鳍形沟道；形成横跨所述多个鳍形沟道的栅极结构；形成与栅极结构的一侧相邻的源极/漏极。源极/漏极可以横跨所述多个鳍形沟道并可以电连接到所述多个鳍形沟道。所述方法还可以包括：在源极/漏极的上表面上形成金属层以及在金属层上与源极/漏极相对地形成导电接触件。导电接触件在金属层的纵向方向上的第一长度可以比金属层在金属层的纵向方向上的第二长度小。根据各种实施例，形成金属层可以包括：在栅极结构和源极/漏极上形成绝缘层；形成延伸穿过绝缘层并至少暴露源极/漏极的一部分的开口；在源极/漏极上形成金属层。在各种实施例中，金属层在金属层的纵向方向上的第二长度可以比所述多个鳍形沟道中的两个相邻的鳍形沟道之间的距离大。在各种实施例中，所述绝缘层可以包括第一绝缘层，形成栅极结构可以包括：形成横跨所述多个鳍形沟道的哑栅极结构；在哑栅极结构的侧面上形成第二绝缘层；用栅极绝缘层和栅电极替换哑栅极结构。栅电极可以包括金属。在各种实施例中，绝缘层可以包括第一绝缘层，形成导电接触件可以包括：在开口中的金属层上形成第二绝缘层；形成延伸穿过第二绝缘层并暴露金属层的接触开口；在接触开口中形成导电接触件。根据各种实施例，金属层可以包括硅化物层和/或堆叠层。堆叠层可以包括包含介电层和金属层的堆叠或者包含稀土金属层或碱土金属层、金属层和覆盖层的堆叠。在各种实施例中，形成源极/漏极和金属层可以包括：在所述多个鳍形沟道和栅极结构上形成绝缘层；形成延伸穿过绝缘层并暴露所述多个鳍形沟道的开口；通过使用被开口暴露的所述多个鳍形沟道作为种子层执行外延生长工艺在开口中形成源极/漏极；在源极/漏极上形成金属层。一种形成半导体器件的方法可以包括：在基底上形成多个鳍形沟道；形成横跨所述多个鳍形沟道的栅极结构；形成与栅极结构的一侧相邻的源极/漏极。源极/漏极可以横跨所述多个鳍形沟道并可以电连接到所述多个鳍形沟道。所述方法还可以包括：在源极/漏极的上表面上形成金属层；在金属层上与源极/漏极相对地形成导电接触件。导电接触件可以与比所有所述多个鳍形沟道少的沟道竖直地叠置。在各种实施例中，金属层可以与第一数量的所述多个鳍形沟道竖直地叠置，其中，所述第一数量的多个鳍形沟道大于与导电接触件竖直地叠置的第二数量的所述多个鳍形沟道。根据各种实施例，金属层可以与所有所述多个鳍形沟道竖直地叠置。在各种实施例中，在金属层的纵向上，导电接触件可以仅与金属层的一部分竖直地叠置。在各种实施例中，形成金属层和导电接触件可以包括：在栅极结构和源极/漏极上形成第一绝缘层；形成延伸穿过绝缘层并暴露源极/漏极的开口；在源极/漏极上形成金属层；在开口中的金属层上形成第二绝缘层；形成延伸穿过第二绝缘层并暴露金属层的接触开口；在接触开口中形成导电接触件。根据各种实施例，形成栅极结构可以包括：形成横跨所述多个鳍形沟道的哑栅极结构；在哑栅极结构的侧面上形成第三绝缘层；用栅极绝缘层和栅电极替换哑栅极结构。栅电极可以包括金属。根据各种实施例，金属层可以包括硅化物层和/或堆叠层。堆叠层可以包括包含介电层和金属层的堆叠或者包含稀土金属层或碱土金属层、金属层和覆盖层的堆叠。一种形成半导体器件的方法可以包括：在基底上形成多个鳍形沟道；形成横跨所述多个鳍形沟道的栅极结构；形成与栅极结构的一侧相邻的源极/漏极。源极/漏极可以横跨所述多个鳍形沟道并可以电连接到所述多个鳍形沟道。所述形成半导体器件的方法还可以包括在源极/漏极的上表面上形成导电接触件。导电接触件在源极/漏极的纵向上的第一长度可以比源极/漏极的在源极/漏极的纵向上的第二长度小。根据各种实施例，导电接触件可以仅与所述多个鳍形沟道的一部分竖直地叠置。在各种实施例中，所述方法还可以包括在源极/漏极与导电接触件之间形成金属层。金属层在源极/漏极的纵向上的第三长度可以比导电接触件的第一长度大。根据各种实施例，所述方法还可以包括在源极/漏极与导电接触件之间形成金属层。形成金属层和导电接触件可以包括：在栅极结构和源极/漏极上形成第一绝缘层；形成延伸穿过绝缘层并暴露源极/漏极的开口；在源极/漏极上形成金属层；在开口中的金属层上形成第二绝缘层；形成延伸穿过第二绝缘层并暴露金属层的接触开口；在接触开口中形成导电接触件。导电接触件可以与金属层接触。根据各种实施例，形成栅极结构可以包括：形成横跨所述多个鳍形沟道的哑栅极结构；在哑栅极结构的侧面上形成第三绝缘层；用栅极绝缘层和栅电极替换哑栅极结构。栅电极可以包括金属。在各种实施例中，金属层可以包括硅化物层和/或堆叠层。堆叠层可以包括包含介电层和金属层的堆叠或者包含稀土金属层或碱土金属层、金属层和覆盖层的堆叠。附图说明图1是根据本专利技术构思的一些实施例的半导体器件的透视图。图2是示出根据本专利技术构思的一些实施例的形成半导体器件的操作的流程图。图3是示出根据本专利技术构思的一些实施例的形成半导体器件的操作的流程图。图4至图8是示出根据本专利技术构思的一些实施例的形成半导体器件的操作中提供的中间结构的透视图，图9至图10是示出根据本专利技术构思的一些实施例的形成半导体器件的操作中提供的中间结构的剖视图。图11是示出根据本专利技术构思的一些实施例的形成半导体器件的操作的流程图。图12和图13是示出根据本专利技术构思的一些实施例的形成半导体器件的操作中提供的中间结构的透视图。图14至图17是根据本专利技术构思的一些实施例的半导体器件的透视图。图18和图19是示出包括根据本专利技术构思的一些实施例的半导体器件的电子系统的示例的框图。具体实施方式根据本专利技术构思的实施例，提供了形成包括低寄生电阻与低寄生电容接触件的半导体器件的方法。所述方法可以包括：在源极/漏极上形成金属层，以减小寄生电阻以及形成仅与金属层的一部分竖直地叠置的接触件，以减小寄生电容。根据本专利技术构思的实施例，可以在执行高温工艺(例如，替换栅极工艺)后形成金属层，从而可以减小金属层的劣化。现在将参照附图更详细地讨论根据本专利技术构思的实施例的方法和器件，在附图中示出了这些方法和半导体器件的示例实施例以及中间结构。图1是根据本专利技术构思的一些实施例的半导体器件的透视图。参照图1，半导体器件10可以包括位于基底100上的隔离层110和鳍结构120。鳍结构120可以沿第一方向延伸。如图1所示，鳍结构120可以埋在隔离层110中。在一些实施例中，鳍结构120可以在隔离层110上面突出。虽然在图1中示出了四个鳍结构120，但是将理解的是，器件10可以包括多于四个鳍结构120。基底100可以包括例如Si、Ge、SiGe、GaP、GaAs、SiC、SiGeC和/或InP。基底100可以是例如体硅基底或绝缘体上硅(SOI)基底。例如，隔离层110可以包括诸如氧化硅的绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在基底上形成多个鳍形沟道；形成横跨所述多个鳍形沟道的栅极结构；形成与栅极结构的一侧相邻的源极/漏极，源极/漏极横跨所述多个鳍形沟道并电连接到所述多个鳍形沟道；在源极/漏极的上表面上形成金属层；以及在金属层上与源极/漏极相对地形成导电接触件，导电接触件在金属层的纵向方向上的第一长度比金属层在金属层的纵向方向上的第二长度小。

【技术特征摘要】
2015.10.08 US 14/878,2301.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在基底上形成多个鳍形沟道；形成横跨所述多个鳍形沟道的栅极结构；形成与栅极结构的一侧相邻的源极/漏极，源极/漏极横跨所述多个鳍形沟道并电连接到所述多个鳍形沟道；在源极/漏极的上表面上形成金属层；以及在金属层上与源极/漏极相对地形成导电接触件，导电接触件在金属层的纵向方向上的第一长度比金属层在金属层的纵向方向上的第二长度小。2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成金属层的步骤包括：在栅极结构和源极/漏极上形成绝缘层；形成延伸穿过绝缘层并至少暴露源极/漏极的一部分的开口；以及在源极/漏极上形成金属层。3.根据权利要求2所述的方法，其中，金属层在金属层的纵向上的第二长度比所述多个鳍形沟道中的两个相邻的鳍形沟道之间的距离大。4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述绝缘层包括第一绝缘层，以及其中，形成栅极结构包括：形成横跨所述多个鳍形沟道的哑栅极结构；在哑栅极结构的侧面上形成第二绝缘层；以及用栅极绝缘层和栅电极替换哑栅极结构，栅电极包括金属。5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述绝缘层包括第一绝缘层，以及其中，形成导电接触件包括：在开口中的金属层上形成第二绝缘层；形成延伸穿过第二绝缘层并暴露金属层的接触开口；以及在接触开口中形成导电接触件。6.根据权利要求1所述的方法，其中，金属层包括硅化物层和/或堆叠层，以及其中，堆叠层包括包含介电层和金属层的堆叠或者包含稀土金属层或碱
\t土金属层、金属层和覆盖层的堆叠。7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成源极/漏极和金属层包括：在所述多个鳍形沟道和栅极结构上形成绝缘层；形成延伸穿过绝缘层并暴露所述多个鳍形沟道的开口；通过使用被开口暴露的所述多个鳍形沟道作为种子层执行外延生长工艺在开口中形成源极/漏极；以及在源极/漏极上形成金属层。8.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在基底上形成多个鳍形沟道；形成横跨所述多个鳍形沟道的栅极结构；形成与栅极结构的一侧相邻的源极/漏极，源极/漏极横跨所述多个鳍形沟道并电连接到所述多个鳍形沟道；在源极/漏极的上表面上形成金属层；以及在金属层上与源极/漏极相对地形成导电接触件，导电接触件与比所有所述多个鳍形沟道少的鳍形沟道竖直地叠置。9.根据权利要求8所述的方法，其中，金属层与第一数量的所述多个鳍形沟道竖直地叠置，其中，所述第一数量的多个鳍形沟道大于与导电接触件竖直地叠置的第二数量的所述多个鳍形...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔治·A·吉尔，咖尼时·海德，沃克·森古皮塔，伯纳·J·欧博阿多威，马克·S·荣德，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR