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提供了形成半导体器件的方法。所述方法可以包括：在基底上形成多个鳍形沟道；形成横跨所述多个鳍形沟道的栅极结构；形成与栅极结构的一侧相邻的源极/漏极。源极/漏极可以横跨所述多个鳍形沟道并可以电连接到所述多个鳍形沟道。所述方法还可以包括：在源极/...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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