【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体装置、电子器件、ph传感器、生物传感器、半导体装置的制造方法以及电子器件的制造方法。本专利技术要求2021年5月26日提交的日本专利申请号2021-088679的优先权，对于认可以文献引用的方式进行内容引入的指定国，将该申请中记载的内容以引用的方式引入到本申请中。
技术介绍
1、作为在薄膜晶体管(tft)等半导体装置中使用的半导体材料，例如使用含有in、ga和zn的氧化物(igzo；in-ga-zn-o)等无定形氧化物(参见专利文献1)。这样的现有半导体材料的化学耐久性不足，因而在制造半导体装置时，设置一种保护半导体材料免受化学损伤的结构来进行蚀刻工序等处理。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2013-051421号公报
技术实现思路
1、本专利技术的第一方式是一种半导体装置，其具有：第1电极，第2电极，以及与所述第1电极和所述第2电极相接的半导体层，所述半导体层包括：5～20nm的包含尖晶石型的znga2o4的第1氧化物层，以及5～50nm的包含in、ga和zn的第2氧化物层。
2、本专利技术的第二方式是一种电子器件，其具备第一方式的半导体装置。
3、本专利技术的第三方式是一种ph传感器，其具备第一方式的半导体装置。
4、本专利技术的第四方式是一种生物传感器，其具备第一方式的半导体装置。
5、本专利技术的第五方式是一种半导体装置的制造方法，该制造方法包括
6、本专利技术的第六方式是一种电子器件的制造方法，其包括通过第五方式的半导体装置的制造方法来形成半导体装置的工序。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体装置，其具有：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，
5.一种电子器件，其具备权利要求1～4中任一项所述的半导体装置。
6.一种pH传感器，其具备权利要求1～4中任一项所述的半导体装置。
7.一种生物传感器，其具备权利要求1～4中任一项所述的半导体装置。
8.一种半导体装置的制造方法，其是权利要求1～4中任一项所述的半导体装置的制造方法，该制造方法包括下述工序：
9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，在190℃以上进行所述第1氧化物层的形成工序。
10.一种电子器件的制造方法，其包括通过权利要求8或9所述的半导体装置的制造方法来形成半导体装置的工序。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体装置，其具有：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，
5.一种电子器件，其具备权利要求1～4中任一项所述的半导体装置。
6.一种ph传感器，其具备权利要求1～4中任一项所述的半导体装置。
7.一种生物传感器，...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。