【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开的实施例属于高级集成电路结构制作领域，并且具体而言涉及具有掩埋功率轨的集成电路结构。
技术介绍
1、对于过去的几十年而言，集成电路中的特征的缩放已经成为了持续增长的半导体工业背后的推动力。缩放到越来越小的特征允许在半导体芯片的有限的芯片面积上实现提高的功能单元密度。例如，缩小晶体管尺寸允许将更高数量的存储器或逻辑器件结合到芯片上，从而制造出具有提高的容量的产品。但是，不断追求更高的容量并非不存在问题。优化每个器件的性能的必要性变得越来越大。
2、常规的当前已知的制作工艺中的变化性可能限制进一步将这些工艺扩展到(例如)10纳米节点或亚10纳米节点范围的可能性。因此，未来技术节点所需的功能部件的制作可能需要引入新的方法，或者将新的技术整合到当前制作工艺中，或者以新技术替代当前制作工艺。
3、在集成电路器件的制造中，随着器件尺寸的持续缩小，多栅极晶体管(例如，三栅极晶体管)变得越来越占据主导地位。三栅极晶体管一般制作在体块硅衬底上，或者制作在绝缘体上硅衬底上。在一些情况下，优选的是体块硅衬底，因为其成本较低并且与现有的高产率体块硅衬底基础设施兼容。
4、然而，对多栅极晶体管的缩放并非没有后果。随着微电子电路系统的这些基本构建块的尺寸的减小以及在给定区域中制作的基本构建块的绝对数量的增大，有关用于制作这些构建块的半导体工艺的局限也已经变得无法克服。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种集成电路结构，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述器件层的单元边界将有效单元与虚设单元分隔开，其中，所述掩埋功率轨位于所述有效单元和所述虚设单元两者内，并且其中，所述漏极结构仅位于所述有效单元内。
3.根据权利要求2所述的集成电路结构，其中，所述导电结构包括高过孔结构，所述高过孔结构仅位于所述虚设单元内。
4.根据权利要求1、2或3所述的集成电路结构，其中，所述导电结构包括一个或多个过孔结构，每个过孔结构从所述掩埋功率轨的所述最上表面延伸至所述漏极结构的所述最上表面上方的位置。
5.根据权利要求1、2或3所述的集成电路结构，其中，一个或多个沟槽接触层位于所述漏极结构上。
6.根据权利要求1、2或3所述的集成电路结构，其中，所述掩埋功率轨在垂直方向上位于底部金属化结构之上并与所述底部金属化结构耦合，所述底部金属化结构在所述器件层的背面处被暴露。
7.根据权利要求1、2或3所述的集成电路结构，其中，所述掩埋功率轨不通过源极结构耦合至所述顶面功率轨。
8.一种集成电路结构，包
9.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，所述顶面功率轨通过高过孔结构耦合至所述掩埋功率轨，所述高过孔结构仅位于所述虚设单元内。
10.根据权利要求8或9所述的集成电路结构，其中，所述掩埋功率轨在垂直方向上位于底部金属化结构之上并与所述底部金属化结构耦合。
11.一种计算装置，包括：
12.根据权利要求11所述的计算装置，还包括：
13.根据权利要求11或12所述的计算装置，还包括：
14.根据权利要求11或12所述的计算装置，还包括：
15.根据权利要求11或12所述的计算装置，其中，所述部件是封装集成电路管芯。
16.一种计算装置，包括：
17.根据权利要求16所述的计算装置，还包括：
18.根据权利要求16或17所述的计算装置，还包括：
19.根据权利要求16或17所述的计算装置，还包括：
20.根据权利要求16或17所述的计算装置，其中，所述部件是封装集成电路管芯。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种集成电路结构，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述器件层的单元边界将有效单元与虚设单元分隔开，其中，所述掩埋功率轨位于所述有效单元和所述虚设单元两者内，并且其中，所述漏极结构仅位于所述有效单元内。
3.根据权利要求2所述的集成电路结构，其中，所述导电结构包括高过孔结构，所述高过孔结构仅位于所述虚设单元内。
4.根据权利要求1、2或3所述的集成电路结构，其中，所述导电结构包括一个或多个过孔结构，每个过孔结构从所述掩埋功率轨的所述最上表面延伸至所述漏极结构的所述最上表面上方的位置。
5.根据权利要求1、2或3所述的集成电路结构，其中，一个或多个沟槽接触层位于所述漏极结构上。
6.根据权利要求1、2或3所述的集成电路结构，其中，所述掩埋功率轨在垂直方向上位于底部金属化结构之上并与所述底部金属化结构耦合，所述底部金属化结构在所述器件层的背面处被暴露。
7.根据权利要求1、2或3所述的集成电路结构，其中，所述掩埋功率轨不通过源极结构耦合至所述顶面功率轨。
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