【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体致冷件的原材料—晶棒的生产
，具体地说是涉及半导体晶棒熔炼拉晶装置。
技术介绍
半导体致冷件的原材料—晶棒的主要原料是三碲化二铋，这些原料在拉晶管中经过高温形成分子排列整齐的晶棒，在高温下原料的分子重新排列的过程就是拉晶，拉晶后的晶棒进行线切割生成半导体晶粒，然后将晶粒焊接在瓷板上就制造成半导体致冷件。晶粒排列的整齐程度决定了半导体致冷件的效率，原料分子排列越整齐，半导体致冷件的致冷效率越高，反之，原料分子排列越杂乱，半导体致冷件的致冷效率越低，所以拉晶的效果决定了半导体致冷件的品质。晶棒是在拉晶装置上进行的，拉晶装置具有加热环，现有技术中，拉晶炉的加热环是电加热的,这样的拉晶炉具有晶板温度升高不均匀的缺点,影响了拉晶的质量。
技术实现思路
本专利技术的目的就是针对上述缺点，提供一种晶棒受热更均匀、品质更好半导体晶棒熔炼拉晶装置。本专利技术半导体晶棒的拉晶装置是这样实现的:半导体晶棒熔炼拉晶装置，包括机座，在机座上具有可以升降的主立杆，主立杆和机座上有拉晶管的固定夹具，其特征是：在机座上还有副立杆，副立杆上有升降动力装置，升降动力装置连接电磁加热线圈，电磁加热线圈内部具有套接在拉晶管外面的结构，在所述的电磁加热线圈内部和盛装拉晶管外面还安装有不锈钢套管。本专利技术的有益效果是：这样的使用半导体晶棒的装置，可以得到受热更均匀、品质更好的晶棒。附图说明图1是本专利技术半导体晶棒的拉晶装置的结构示意图。其中：1、机座2、主立杆3、固定夹具4、副立杆5、升降动力装置6、电磁加热线圈7、拉晶管8、不锈钢套管。具体实施方式下面结合附图和实施例对...
【技术保护点】
半导体晶、半导体晶棒熔炼拉晶装置，包括机座，在机座上具有可以升降的主立杆，主立杆和机座上有拉晶管的固定夹具，其特征是：在机座上还有副立杆，副立杆上有升降动力装置，升降动力装置连接电磁加热线圈，电磁加热线圈内部具有套接在拉晶管外面的结构，在所述的电磁加热线圈内部和盛装拉晶管外面还安装有不锈钢套管。
【技术特征摘要】
1.半导体晶、半导体晶棒熔炼拉晶装置，包括机座，在机座上具有可以升降的主立杆，主立杆和机座上有拉晶管的固定夹具，其特征是：在机座上还有副立杆，副立杆上...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈磊，陈建民，赵丽萍，钱俊友，张文涛，蔡水占，张会超，王东胜，
申请(专利权)人：河南鸿昌电子有限公司，
类型：新型
国别省市：河南;41
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