一种半导体晶粒线切割的方法和切割液技术

本发明专利技术涉及半导体晶粒加工技术领域，名称是一种半导体晶粒线切割的方法和切割液，半导体晶粒线切割的方法，采用线切割晶棒，其特征是：在切割过程中使用含有20—30%的肥皂水作为切割液，在肥皂水中还含有2‑4%的碳化硅粉，碳化硅的细度小于500目，切割的晶棒和切割液保持在60—70℃的温度；半导体晶粒线切割切割液，它含有20—30%的肥皂水作为切割液，在肥皂水中还含有2‑4%的碳化硅粉，碳化硅的细度小于500目。这样的半导体晶粒线切割的方法和切割液，可以提高合格率和优质品率，减少晶粒缺角少棱现象，边角完整，提高产品的质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体晶粒加工
，具体地说是涉及半导体晶粒线切割的方法和切割液。
技术介绍
半导体致冷件是由晶粒焊接在瓷板上形成的，晶粒是由晶棒经过线切割而成的，晶棒的主要成分是三碲化二铋，晶棒切割成晶粒是在线切割机上完成的，晶粒是规整的长方体或正方体,它的边棱整齐、角部规范，合格的晶粒应该是没有缺角的现象，优质的晶粒更应该边角规范，为了切割好半导体晶粒，在线切割中不断在切割部位浇注切割液；现有技术中，所用的切割液是水，这样的切割液具有容易使晶粒缺角少棱，边角不完整，合格率和优质品率较低的缺点，影响了产品质量。
技术实现思路
本专利技术的目的就是针对上述缺点，提供一种提高合格率和优质品率的半导体晶粒线切割的方法和切割液。本专利技术半导体晶粒线切割的方法的技术方案是这样实现的：半导体晶粒线切割的方法，采用线切割晶棒，其特征是：在切割过程中使用含有20—30%的肥皂水作为切割液。较好的，在肥皂水中还含有2-4%的碳化硅粉，碳化硅的细度小于500目。最好的，切割的晶棒和切割液保持在60—70℃的温度。本专利技术半导体晶粒线切割切割液的方案是这样实现的：半导体晶粒线切割切割液，它含有20—30%的肥皂水作为切割液。较好的，在肥皂水中还含有2-4%的碳化硅粉，碳化硅的细度小于500目。本专利技术的有益效果是：这样的半导体晶粒线切割的方法和切割液，可以提高合格率和优质品率的优点，减少晶粒缺角少棱现象，边角完整，提高产品的质量；在肥皂水中还含有2-4%的碳化硅粉，碳化硅的细度小于500目，切割的晶棒和切割液保持在60—70℃的温度，可以达到更好的效果。具体实施方式下面结合实施例本专利技术作进一步说明。实施例1将晶棒放置在线切割机上进行切割,使用水作为切割液,合格品率为92%,优质品率为35%。实施例2将晶棒放置在线切割机上进行切割,使用含有20%的肥皂水作为切割液,合格品率为94%,优质品率为40%。实施例3将晶棒放置在线切割机上进行切割,使用含有30%的肥皂水作为切割液,合格品率为94.5%,优质品率为43%。实施例4将晶棒放置在线切割机上进行切割,使用含有30%的肥皂水作为切割液,合格品率为95.5%,优质品率为45%。在上述实施例2、3、4中加入肥皂水，肥皂水中还含有2-4%的碳化硅粉，碳化硅的细度小于500目，重复上述实施例，合格率会提高1—1.5个百分点，优质品率提高3—5个百分点。证明在肥皂水中含有2-4%的碳化硅粉，碳化硅的细度小于500目，效果更好。在上述实施例2、3、4、以及加入碳化硅粉，碳化硅的细度小于500目的实施例中，将切割的晶棒和切割液保持在60—70℃的温度的情况下，重复上述实施例，合格率会提高1—2个百分点，优质品率提高3—5个百分点。证明切割的晶棒和切割液保持在60—70℃的温度，效果更好。以上所述仅为本专利技术的部分具体实施例，专利技术人还做了许多类似的实验，得到相同的结论。以上所述仅为本专利技术的具体实施例，但本专利技术的结构特征并不限于此，任何本领域的技术人员在本专利技术的领域内，所作的变化或修饰皆涵盖在本专利技术的专利范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
半导体晶粒线切割的方法，采用线切割晶棒，其特征是：在切割过程中使用含有20—30%的肥皂水作为切割液。

【技术特征摘要】
1.半导体晶粒线切割的方法，采用线切割晶棒，其特征是：在切割过程中使用含有20—30%的肥皂水作为切割液。
2.根据权利要求1所述的半导体晶粒线切割的方法，其特征是：在肥皂水中还含有2-4%的碳化硅粉，碳化硅的细度小于500目。
3.根据权利要求1或2所述的半导体晶粒线...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈磊，陈建民，赵丽萍，钱俊有，张文涛，蔡水占，张会超，王东胜，
申请(专利权)人：河南鸿昌电子有限公司，
类型：发明
国别省市：河南;41