一种可散热的LED蓝宝石衬底制造技术

本实用新型专利技术公开了一种可散热的LED蓝宝石衬底，包括金属底座，所述金属底座的顶部设置有安装槽，该安装槽的上表面设置有褶皱槽，所述褶皱槽的顶部设置有金属连接板，所述金属底座两端的内部均设置有安装腔，该安装腔的内部设置有弹簧，所述弹簧的一端设置有承接板，该承接板的一侧设置有卡块。本实用新型专利技术通过设置金属底座、安装槽、金属连接板、安装腔、弹簧、承接板、卡块和滑动杆，达到了增加对LED蓝宝石衬底的固定，同时方便了卡块的移动，保证了胶体脱落后，LED蓝宝石衬底正常使用的效果；通过设置褶皱槽和透气孔，达到了增加了LED蓝宝石衬底与空气的接触，加强了热量的消散，保证了LED蓝宝石衬底的使用性能和使用寿命的优点。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及衬底
，具体为一种可散热的LED蓝宝石衬底。
技术介绍
蓝宝石的组成为氧化铝，是由三个氧原子和两个铝原子以共价键型式结合而成，其晶体结构为六方晶格结构。它常被应用的切面有A-Plane、C-Plane及R-Plane。由于蓝宝石的光学穿透带很宽，从近紫外光到中红外线都具有很好的透光性。因此被大量用在光学元件、红外装置、高强度镭射镜片材料及光罩材料上，它具有高声速、耐高温、抗腐蚀、高硬度、高透光性、熔点高等特点，它是一种相当难加工的材料，因此常被用来作为光电元件的材料。现阶段的LED蓝宝石衬底由于发亮会产生一定的热量，但LED蓝宝石衬底不具有散热的结构，导致热量消散的速率慢，会影响到LED蓝宝石衬底的使用性能和使用寿命，且LED蓝宝石衬底在安装使用时，一般都会使用胶类物质进行粘接，在产生热量的情况下，会使得LED蓝宝石衬底的脱落，影响到使用。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种可散热的LED蓝宝石衬底，具备散热功能，增加了热量消散的速率，保证了LED蓝宝石衬底的使用性能和使用寿命，增加了LED蓝宝石的衬底固定效果，保证了LED蓝宝石衬底正常使用的优点，解决了LED蓝宝石衬底由于发亮会产生一定的热量，但LED蓝宝石衬底不具有散热的结构，导致热量消散的速率慢，会影响到LED蓝宝石衬底的使用性能和使用寿命，且LED蓝宝石衬底在安装使用时，一般都会使用胶类物质进行粘接，在产生热量的情况下，会使得LED蓝宝石衬底的脱落，影响到使用的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种可散热的LED蓝宝石衬底，包括金属底座，所述金属底座的顶部设置有安装槽，该安装槽的上表面设置有褶皱槽，所述褶皱槽的顶部设置有金属连接板，所述金属底座两端的内部均设置有安装腔，该安装腔的内部设置有弹簧，所述弹簧的一端设置有承接板，该承接板的一侧设置有卡块，且承接板的顶端设置有滑动杆，所述褶皱槽的对应的金属底座侧壁的内部设置有透气孔，所述金属连接板的顶部设置有下衬底层，该下衬底层的顶部设置有上衬底层，所述上衬底层的顶部设置有低温GaN外延层，该低温GaN外延层的顶部设置有发光层，所述发光层顶部的两端分别设置有N型GaN层和量子阱，该N型GaN层的顶部设置有N型电极，所述量子阱的顶部设置有P型GaN层，该P型GaN层的顶部设置有P型电极。优选的，所述卡块的一端贯穿安装腔的侧壁，并延伸至安装槽的内部，卡块与安装腔侧壁的连接处设置有相适配的通孔，滑动杆的顶端贯穿安装腔顶部的金属底座，并延伸至金属底座顶部的外侧，滑动杆与金属底座的连接处设置有相适配的移动槽。优选的，所述金属连接板的两侧与卡块相对应的位置设置有相适配的卡槽，且金属连接板为U形，金属连接板与下衬底层的大小相适配。优选的，所述上衬底层的底部设置有插杆，插杆为倾斜状，下衬底层与插杆相对应的位置有相适配的插槽。优选的，所述上衬底层和下衬底层均为蓝宝石材质。与现有技术相比，本技术的有益效果如下：1、本技术通过设置金属底座、安装槽、金属连接板、安装腔、弹簧、承接板、卡块和滑动杆，达到了增加对LED蓝宝石衬底的固定，同时方便了卡块的移动，保证了胶体脱落后，LED蓝宝石衬底正常使用的效果；通过设置褶皱槽和透气孔，达到了增加了LED蓝宝石衬底与空气的接触，加强了热量的消散，保证了LED蓝宝石衬底的使用性能和使用寿命的优点。2、本技术通过插杆和插槽，使得下衬底层和上衬底层之间的连接更加的紧密，通过弹簧推动承接板和卡块与金属连接板连接，卡块插进卡槽中，对金属连接板的进行固定，能够有效避免粘接的胶体受热融化后出现了LED蓝宝石衬底脱落，通过透气孔将外界的空气进入安装槽中，并通过褶皱槽增加了空气的接触面积和时间，能够有效增强了LED蓝宝石衬底产生热量的消散，通过低温GaN外延层，能够有效降低LED蓝宝石衬底受热的形变，从而有效的解决了LED蓝宝石衬底由于发亮会产生一定的热量，但LED蓝宝石衬底不具有散热的结构，导致热量消散的速率慢，会影响到LED蓝宝石衬底的使用性能和使用寿命，且LED蓝宝石衬底在安装使用时，一般都会使用胶类物质进行粘接，在产生热量的情况下，会使得LED蓝宝石衬底的脱落，影响到使用的问题。附图说明图1为本技术结构示意图；图2为本技术图1的A处结构放大示意图；图3为本技术金属底座俯视结构示意图；图4为本技术结构通气孔示意图。图中：1金属底座、2安装槽、3褶皱槽、4金属连接板、5安装腔、6弹簧、7承接板、8卡块、9滑动杆、10下衬底层、11上衬底层、12低温GaN外延层、13发光层、14N型GaN层、15N型电极、16量子阱、17P型GaN层、18P型电极、19插杆、20插槽、21透气孔、22移动槽。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1-4，一种可散热的LED蓝宝石衬底，包括金属底座1，金属底座1的顶部设置有安装槽2，该安装槽2的上表面设置有褶皱槽3，褶皱槽3的顶部设置有金属连接板4，金属底座1两端的内部均设置有安装腔5，该安装腔5的内部设置有弹簧6，弹簧6的一端设置有承接板7，该承接板7的一侧设置有卡块8，且承接板7的顶端设置有滑动杆9，金属连接板4的两侧与卡块8相对应的位置设置有相适配的卡槽，且金属连接板4为U形，金属连接板4与下衬底层10的大小相适配，方便了下衬底层10的安装，同时，加强了金属连接板4与下衬底层10之间的固定，卡块8的一端贯穿安装腔5的侧壁，并延伸至安装槽2的内部，卡块8与安装腔5侧壁的连接处设置有相适配的通孔，方便了卡块8的移动，进而增加了卡块8对金属连接板4的固定，同时，加强了对LED蓝宝石衬底的固定，滑动杆9的顶端贯穿安装腔5顶部的金属底座1，并延伸至金属底座1顶部的外侧，滑动杆9与金属底座1的连接处设置有相适配的移动槽22，方便了将卡块8从金属连接板4内部的卡槽中移出，褶皱槽3的对应的金属底座1侧壁的内部设置有透气孔21，金属连接板4的顶部设置有下衬底层10，该下衬底层10的顶部设置有上衬底层11，上衬底层11和下衬底层10均为蓝宝石材质，上衬底层11的底部设置有插杆19，插杆19为倾斜状，下衬底层10与插杆19相对应的位置有相适配的插槽20，增加了下衬底层10与上衬底层11之间连接的稳定性和紧密性，上衬底层11的顶部设置有低温GaN外延层12，该低温GaN外延层12的顶部设置有发光层13，发光层13顶部的两端分别设置有N型GaN层14和量子阱16，该N型GaN层14的顶部设置有N型电极15，量子阱16的顶部设置有P型GaN层17，该P型GaN层17的顶部设置有P型电极18，通过设置金属底座1、安装槽2、金属连接板4、安装腔5、弹簧6、承接板7、卡块8和滑动杆9，达到了增加下衬底层10的固定，同时方便了卡块8的移动，保证了胶体脱落后，LED蓝宝石衬底正常使用的效果；通过设置褶皱槽3和透气孔21，达到了增加了LED蓝宝石衬底与空气的接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可散热的LED蓝宝石衬底，包括金属底座（1），其特征在于：所述金属底座（1）的顶部设置有安装槽（2），该安装槽（2）的上表面设置有褶皱槽（3），所述褶皱槽（3）的顶部设置有金属连接板（4），所述金属底座（1）两端的内部均设置有安装腔（5），该安装腔（5）的内部设置有弹簧（6），所述弹簧（6）的一端设置有承接板（7），该承接板（7）的一侧设置有卡块（8），且承接板（7）的顶端设置有滑动杆（9），所述褶皱槽（3）的对应的金属底座（1）侧壁的内部设置有透气孔（21），所述金属连接板（4）的顶部设置有下衬底层（10），该下衬底层（10）的顶部设置有上衬底层（11），所述上衬底层（11）的顶部设置有低温GaN外延层（12），该低温GaN外延层（12）的顶部设置有发光层（13），所述发光层（13）顶部的两端分别设置有N型GaN层（14）和量子阱（16），该N型GaN层（14）的顶部设置有N型电极（15），所述量子阱（16）的顶部设置有P型GaN层（17），该P型GaN层（17）的顶部设置有P型电极（18）。

【技术特征摘要】
1.一种可散热的LED蓝宝石衬底，包括金属底座（1），其特征在于：所述金属底座（1）的顶部设置有安装槽（2），该安装槽（2）的上表面设置有褶皱槽（3），所述褶皱槽（3）的顶部设置有金属连接板（4），所述金属底座（1）两端的内部均设置有安装腔（5），该安装腔（5）的内部设置有弹簧（6），所述弹簧（6）的一端设置有承接板（7），该承接板（7）的一侧设置有卡块（8），且承接板（7）的顶端设置有滑动杆（9），所述褶皱槽（3）的对应的金属底座（1）侧壁的内部设置有透气孔（21），所述金属连接板（4）的顶部设置有下衬底层（10），该下衬底层（10）的顶部设置有上衬底层（11），所述上衬底层（11）的顶部设置有低温GaN外延层（12），该低温GaN外延层（12）的顶部设置有发光层（13），所述发光层（13）顶部的两端分别设置有N型GaN层（14）和量子阱（16），该N型GaN层（14）的顶部设置有N型电极（15），所述量子阱（16）的顶部设置有P型GaN层（17），该P型GaN层（17）的顶部设置有...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖弘基，余剑云，陈华荣，刘乾坤，
申请(专利权)人：福建晶安光电有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35